ナノ多孔質炭素単独と比較した場合、硬度、耐磨耗性、及び靱性からなる群から選択される特徴について、複合体に強化した性質を与える材料で少なくとも一部が充填される多数の細孔を有する多孔質炭素複合体。多孔質炭素材料は、また塩素ガス用の貯蔵媒体とも、又は例えば、水素燃料電池用の水素貯蔵媒体とも呼ばれる。 （もっと読む）

【課題】
水素化物ならびにハロゲン化物からなる気体の貯蔵と計量分配に意図するものであって、従来技術で開示された方法の上記に論ぜられた不利益を克服する気体の貯蔵ならびに計量分配システムを提供する。
【解決手段】
気体たとえば水素化物およびハロゲン化物と、第Ｖ族有機金属化合物の吸着−脱離装置（１０２）と貯蔵ならびに計量分配の方法である。収着済気体の収着済気体の収着材料からの差圧脱離により選択的に計量分配するものである。セ゛ンキ収着材料は、前記装置（１０２）内の収着済気体を効果的に分解させる微量成分、たとえば、金属および酸化物よりなる遷移金属種の濃度を失わせる材料が好ましい。 （もっと読む）

３５０℃よりも低い温度で基板上に相変化メモリカルコゲニド合金の堆積を生じさせる条件下で相変化メモリカルコゲニド合金の前駆体に基板を接触させる、基板上に相変化メモリ材料を形成するシステム及び方法であって、接触が化学蒸着又は原子層堆積を介して行われるシステム及び方法。基板上にＧＳＴ相変化メモリ膜を形成するために有用である種々のテルル前駆体、ゲルマニウム前駆体及びゲルマニウム−テルル前駆体が記載されている。 （もっと読む）

低ｋ誘電体材料、エッチング停止材料、および／または金属スタック材料を、その上にこれらを有する不良微小電子素子構造から除去する除去組成物およびプロセス。除去組成物はフッ化水素酸を含む。組成物は、これらをその上に有する微小電子素子構造の表面からの材料の少なくとも部分的な除去を、前記構造のリサイクルおよび／または再使用のために、半導体構造に用いられている下位のポリシリコンまたはベアシリコン層に損傷をあたえることなく達成する。
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チタネート薄膜の原子層堆積（ＡＬＤ）及び化学蒸着（ＣＶＤ）に有用なバリウム、ストロンチウム、タンタル及びランタン前駆体組成物。前駆体は、式Ｍ（Ｃｐ）_２で表され、式中、Ｍはストロンチウム、バリウム、タンタル又はランタンであり、Ｃｐは、式（Ｉ）のシクロペンタジエニルであり、式中、Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ、互いに同じか又は異なり、それぞれ、水素、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１２アミノ、Ｃ_６〜Ｃ_１０アリール、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ、Ｃ_３〜Ｃ_６アルキルシリル、Ｃ_２〜Ｃ_１２アルケニル、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＮＮＲ^３から独立に選択され、式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、互いに同じか又は異なり、それぞれ、水素及びＣ_１〜Ｃ_６アルキルから独立に選択され、官能基を有するペンダントリガンドが、金属中心Ｍにさらに配位する。上式の前駆体は、フラッシュメモリやその他のマイクロ電子デバイスの製造において、高誘電率材料を均一にコーティングするのに有用である。
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ポスト化学的機械的研磨（ＣＭＰ）残渣および汚染物質をその上に有するマイクロ電子デバイスから上記残渣および汚染物質を洗浄するための酸性組成物および方法。この酸性組成物は、界面活性剤、分散剤、スルホン酸含有炭化水素、および水を含む。この組成物は、低ｋ誘電材料および銅相互接続材料を損傷することなくマイクロ電子デバイス表面からポストＣＭＰ残渣または汚染物質材料を非常に効果的に洗浄する。
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流体貯留／分配および脱硫用途に有用である炭素材料について説明する。１つの実施態様における炭素材料は、硬度、耐摩耗性、および靱性からなる群から選択される特性に関するナノ多孔質炭素のみと比較して向上された特性を複合物に与える材料で少なくとも部分的に充填される孔隙を有するナノ多孔質炭素複合物である。別の実施態様は、塩素ガスの貯留媒体として多孔質炭素材料を使用する。さらなる実施態様は、例えば、水素燃料電池などの水素貯留媒体として多孔質炭素材料を使用する。別の実施態様において、多孔質炭素材料が、複数の多孔質炭素物品の配置構成で流体貯留および分配システム内の収着媒体として使用され、この配置構成が移動しないように拘束するために位置安定化構造が用いられる。制御された方法で酸素と反応するシランを貯留するために炭素吸着体を使用する赤外線放射デバイスについて説明する。吸着体の抵抗および／または誘導加熱によって炭素吸着体が残留流体を脱着する配置構成について説明する。炭素吸着体を膨張剤と接触させ、続いて炭素吸着体を加圧したガス状浸透剤と接触させて、膨張剤および浸透剤を除去することにより、多孔質炭素吸着体の充填能力を増加させる方法についても説明する。
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フォトレジスト及び／又は犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料を、その上に当該材料を有するマイクロ電子デバイスから除去するための液体除去組成物及びプロセス。この液体除去組成物は、少なくとも１つの有機第４級塩基及び少なくとも１つの表面相互作用強化添加剤を含む。この組成物は、集積回路の製造において、銅及びコバルトなどのマイクロ電子デバイス上の金属種のエッチングを最小限にしながら、さらに、マイクロ電子デバイス・アーキテクチャで使用される低ｋ誘電体材料への損傷なしに、フォトレジスト及び／又はＳＡＲＣ材料の少なくとも部分的な除去を達成する。 （もっと読む）

ゲートスペーサ酸化物材料を、それを上に有するマイクロ電子デバイスから少なくとも部分的に除去するためのゲートスペーサ酸化物材料除去組成物および方法。無水除去組成物が、少なくとも１つの有機溶剤と、少なくとも１つのキレート剤と、塩基フルオリド：酸フルオリド成分と、場合により少なくとも１つの不動態化剤とを含有する。本組成物は、ゲート電極構造において使用された金属シリサイド相互接続材料種のエッチングを最小にして、マイクロ電子デバイスの表面上のゲート電極の近傍から、ポリシリコンおよび窒化ケイ素に対してゲートスペーサ酸化物材料の選択的な除去を達成する。
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ポストプラズマエッチング残渣および／またはハードマスク材料を、上記残渣を上に有するマイクロ電子デバイスから洗浄するための、酸化性水性洗浄組成物および方法。本発明の酸化性水性洗浄組成物は、少なくとも１種類の酸化剤と、第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン、およびアミン−Ｎ−オキシドからなる群より選択されるアミン種を含む少なくとも１種類の酸化剤安定剤と、必要に応じて少なくとも１種類の共溶媒と、必要に応じて少なくとも１種類の金属キレート剤と、必要に応じて少なくとも１種類の緩衝性化学種と、水とを含む。本発明の組成物は、マイクロ電子デバイスから残渣材料を非常に効果的に洗浄しながら、同時に、同じくデバイス上に存在する層間絶縁および金属相互接続材料は損傷しない。
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