マイクロエレクトロニクスデバイス基板上の小さい寸法からの粒子汚染物を洗浄するための洗浄組成物。洗浄組成物は、高密度ＣＯ_２（好ましくは超臨界ＣＯ_２（ＳＣＣＯ_２））、アルコール、フッ化物源、アニオン界面活性剤源、非イオン界面活性剤源および任意にヒドロキシル添加剤を含有する。洗浄組成物は、Ｓｉ基板／ＳｉＯ_２基板上に粒子状汚染物を有する基板の損傷のない且つ残留物のない洗浄を可能にする。
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好ましくはその上に堆積された銅を有するマイクロエレクトロニクスデバイス構造の平坦化のための単一ステップＩ ＣＭＰスラリー配合物を含む化学機械研磨処理。本処理は、酸化剤、不動態化剤、研磨材および溶剤を有する第１のＣＭＰスラリー配合物を用いる銅層のバルク除去、および第１のＣＭＰスラリー配合物および少なくとも１種の追加の添加剤を含む配合物を用いるマイクロエレクトロニクスデバイス構造のソフト研磨および過剰研磨を含む。本願明細書に記載のＣＭＰ処理は、高い銅除去速度、比較的低いバリア材料除去速度、バリア材料の露出開始時の銅ディッシングを最小限にする適切な材料選択性範囲、および良好な平坦化効率を提供する。
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希釈流体を送出するために、活性流体源（１２）、希釈流体源（１４）、活性および希釈流体の一方を分配する流体流測定装置（２４）、活性流体と希釈流体を混合して、希活性流体混合物を形成するように構成されたミキサ（２８）、および希活性流体混合物中の活性流体および／または希釈流体の濃度を感知し、それに応答して流体流測定装置（２４）を調節し、希活性流体混合物中の活性流体の所定濃度を達成するように構成されたモニタ（４２）を使用するシステム（１０）。圧力制御装置（３８）が、システムから分配される希活性流体混合物の所定圧力を維持するように、活性流体および希釈流体の他方の流れを制御するように構成される。これで、システムから分配される流体は、半導体プロセスツールなどの流体使用ユニットに所望の流れを提供するために、例えば質量流量制御装置などの流量制御装置によって調節自在に制御することができる。希活性流体混合物の送出の連続性を維持するよう流体源（１２、１５）を切り換えるために、終点監視アセンブリについても説明する。 （もっと読む）

硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および／または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。１つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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流体を保存し、分配するために、制限なく、適切な結合を確保し、流体汚染の問題を回避するために、流体保存および分配パッケージの用途に有用に使用される事前接続検証結合部と、流体分配作業にて圧力で圧縮されるライナーを組み込んだ流体保存および分配パッケージに有用に使用される空き検出システムと、キャップ付き容器からの分配コネクタの取り外しを容易にする人間工学的に強化された構造と、容器キャップの誤使用を防止するキャップ保全性保証システムと、適切な分配アセンブリと容器との結合を確保するキーコードシステムとを含み、種々のデバイス、構造および装置、さらに技術および方法を含む、流体保存および分配システムおよびプロセス。ゼロまたは略ゼロヘッドスペースの性質を達成し、オーバーパック容器内のライナーから分配される液体の可溶化効果を防止または改善する流体保存および分配システムについて説明する。 （もっと読む）

犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料を、その上にそれを有する基板から除去するための液体除去組成物およびプロセス。液体除去組成物は、少なくとも１種類のフッ化物含有化合物、少なくとも１種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも１種類のキレート剤を含有する。その組成物は、アルミニウム、銅およびコバルト合金などの基板上の金属種の腐食を最小限にし、かつ半導体構造で使用される低ｋ誘電材料に損傷を与えることなく、集積回路の製造におけるＳＡＲＣ材料の少なくとも部分的な除去を達成する。 （もっと読む）

銅およびバリア層材料を、それらを有するマイクロエレクトロニクス素子基板から除去するための化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物および単一ＣＭＰプラテンプロセス。このプロセスは、単一のＣＭＰプラテンパッドで、銅の選択的除去および平坦化に用いる工程Ｉのスラリー配合物の、バリア層材料を選択的に除去するのに用いる工程ＩＩのスラリー配合物へのインサイチュでの転換を含む。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣、エッチング後残渣及び／又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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【課題】流体保存・分配システム及びそれを使用するために流体を供給するプロセスを提供する。
【解決手段】物理的収着剤を閉じ込めた流体保存・分配容器、及び内部調整器を装備した流体保存・分配容器の交換を含め、流体保存・分配システムの様々な構成について説明する。システム及びプロセスは、安全性を強化した有害流体の保存及び分配等、多種多様な最終用途に適用可能である。特定の最終用途では、大気圧未満の圧力でガスを保持する物理的収着剤を閉じ込める大規模で固定配置された流体保存・分配容器から、半導体製造設備へと試薬ガスが分配され、このような容器は本明細書で開示しているように、補充ガスの安全なガス源から補充可能である。 （もっと読む）