大気圧より低い圧力でペンタボラン（９）含有流体を収容するための、液体窒素浴（１２８）中の容器（１２６）を含む、流体保管および分配システム（１００）。ペンタボランは液体または合成源（１２４）から供給することができ、窒素は弁（１２０）から供給することができ、これらはガス調整器（Ｒ−１およびＲ−２）によって制御される。流体保管および分配システムは、種々の弁（ＡＶ−１〜ＡＶ−１６およびＭＶ−１〜ＭＶ−４）を介して半導体または液晶製造設備に連通的に接続することができる。ジボランなどの市販の水素化ホウ素化合物の代替物としてペンタボラン（９）が使用される。このシステムは、排出ポンプ（１３０）、洗浄手段（１４０）、および送出されるペンタボラン（９）濃度をサンプリングするための三方弁（１６２）を含むことができる。 （もっと読む）

超小型電子装置前駆体構造物等のウェハ基材の表面調製及び／又は洗浄のための、超小型電子装置製造に有用な組成物。本組成物は、例えば、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄等の操作において、銅メタライゼーションを含めるために更に処理されなければならないウェハ、又は更に処理することが意図されているウェハの処理のために、用いることが可能である。本組成物は（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含有し、酸素曝露下において耐黒ずみ性及び耐劣化性を呈するだけでなく、貯蔵安定である。
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低誘電率（ｋ）薄フィルム、高ｋゲートシリケート、低温ケイ素エピタキシャルフィルム、ならびに窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、オキシ窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）含有フィルムのような、半導体デバイスの製造時のケイ素含有フィルムを形成するためのケイ素前駆体を開示する。本発明の前駆体は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の作製のための、低温（たとえば、＜５００℃または＜３００℃）化学蒸着法において使用可能である。
【化１】
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【課題】硬化フォトレジスト及び／又は底部反射防止膜（ＢＡＲＣ）材料をその上に有する超小型電子装置から、該材料を除去する。
【解決手段】水性組成物は、少なくとも１つのカオトロピック溶質、少なくとも１つのアルカリ性塩基、及び脱イオン水を含む。組成物は、集積回路製造において、銅などの基板上の金属種に対する悪影響なしに、そして超小型電子装置構造中で用いられる低誘電性材料への損害なしに、硬化フォトレジスト及び／又はＢＡＲＣ材料の高効率除去を達成する。 （もっと読む）

タンタル含有材料、たとえば、タンタル、ＴａＮ、ＴａＳｉＮなどの基板上への化学蒸着に好適なタンタル前駆体を開示する。該タンタル前駆体は置換シクロペンタジエニルタンタル化合物である。本発明の一態様では、かかる化合物はタンタル／シリコン源試薬を構成するためにシリル化される。本発明の前駆体は、半導体デバイス構造の銅メタライゼーションに関連して拡散バリアを形成するために半導体製造用途で有利に使用される。
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ここに開示されるのは、半導体処理のための組成物および方法である。一の実施形態において、フォトレジストの除去のためのウェットクリーニング組成物を提供する。この組成物は、強塩基と、酸化剤と、極性溶媒と、を含む。別の実施形態において、フォトレジストを除去するための方法を提供する。この方法は、約０．１から約３０重量パーセントの強塩基と、約１から約３０重量パーセントの酸化剤と、約２０から約９５重量パーセントの極性溶媒とを含むウェットクリーニング組成物を付与する工程と、フォトレジストを除去する工程とを含む。 （もっと読む）

高圧の流体供給源から低圧の処理ツールへのガスの搬送を制御する弁アセンブリであって、移動して弁座部材に係合可能な弁ポペットと、弁ポペットと弁座部材との間に位置する流体透過性挿入物とを備え、該挿入物は、弁ポペットが閉鎖位置にありそれによって弁アセンブリを通る流体流を阻止する場合、流れている流体に対して露出されず、弁ポペットが開放位置にある場合、流れている全ての流体の移送のための拡散経路を提供する。透過性挿入物は、弁座部材または弁ポペットのいずれかの密閉可能かつ係合可能な面に挿入されることが可能である。
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コンテナ（１４）から製造プロセス（１３）へ液体（１２）を供給するためのシステム（１０）は、外側コンテナ（２２）と、液体（１２）で満たされたフレキシブルな内側コンテナ（２０）と、を備えている。流体流路（４０）は、内側コンテナ（２０）の内部と製造プロセス（１３）との間に、液体の流通状態を形成する。加圧流体源（３０）は、外側コンテナ（２２）の内壁と、内部コンテナ（２０）との間のスペース（３１）と流体流通状態にある。この加圧流体源（３０）は、流体流路（４０）を介して内部コンテナ（２０）から製造プロセス（１３）へ液体を押し出すために、外側コンテナ（２２）の内壁と内側コンテナ（２０）との間のスペース（３１）に、加圧された流体が流れ込むようにする。圧力センサ（４４）は、流体流路（４０）における圧力を検出するために配置される。圧力センサ（４１）に応答する制御部（５０）は、加圧流体源（３０）からの圧力を調整することにより、流体流路（４０）における圧力を制御する。
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マイクロ電子デバイスの製造に使用されるイオン注入装置の真空室やビームラインの構成部品からの残留物を洗浄するための方法及び装置。残留物を有効に除去するため、構成部品は、残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間の間かつ十分な条件下で、気相反応性のハロゲン化物組成物と接触させられる。気相反応性のハロゲン化物組成物は、残留物と選択的に反応し、一方で、真空室のイオン源領域の構成部品と反応しないように選択される。
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直方体形状の流体貯蔵・計量分配容器を含む流体貯蔵・計量分配装置及び、こうした流体貯蔵・計量分配装置および／または使用時換気ガス清浄器を、換気されたガスキャビネット内に含む一体型ガスキャビネットアセンブリを開示する。たとえば、ガスキャビネットから供給された処理ガスが、有毒又は有害な特性のものである場合、ガスキャビネットは、物理的吸着剤及び化学吸着媒体の使用によって、運転の安全面で強化されることが可能である。
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