本発明は、出口を有する粉末フィードを有するコロナ帯電装置に関する。この装置は、入口と帯電粉末出口とを有する内部帯電空洞を有する。粉末フィード出口は、内部帯電空洞の入口に配置されている。この装置は、粉末の流れを粉末フィード出口から下流に帯電粉末出口まで導くようにされている。この装置は、１つ以上の突起を備えているコロナ帯電器も含んでおり、これらの突起は、粉末の流れと交差する、突起からのコロナイオン流、を促進するように配置及び構成されている。この装置は、回転接地電極も含んでおり、この回転接地電極は、帯電するか又は接地されて突起からの前記コロナ流を引きつけるようにされており、且つ、内部帯電空洞と設置電極クリーナーとの間で接地電極のセグメントを回転させるようにされている。
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潜在的な結合部位のために高分子を分析するコンピュータに実装される方法が提供され、その方法は、高分子の複数の潜在的な結合部位において有機フラグメント（ＯＲＦ）のコンピュータ上の表示の存在を位置づける工程；Ｂの値を選択する工程であって、ここで、Ｂ＝μ’／ｋＴ＋ｌｎ＜Ｎ＞ （μ’：過剰化学ポテンシャル、ｋ；ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、＜Ｎ＞：ＯＲＦの平均分子数）である工程；エネルギー最小化状態が得られるまで、ＯＲＦの存在を再度位置づける工程；再度位置づけされたＯＲＦの存在の各々について、再度位置づけＯＲＦが高分子と、選択したＢ値で結合された潜在的な結合部位にて結合するか否かを評価する工程；選択したＢ値で結合された潜在的な結合部位において結合しないＯＲＦの存在を消去する工程；より低いＢ値で、上述の工程を反復する工程；およびＯＲＦの消えていない存在のリストを出力する工程を包含する、方法である。 （もっと読む）

式中、ｘが０．０００１〜０．２であり、微量のユーロピウム成分が効率を改善する量のプラセオジムで置換され、蛍光体組成物の平均粒子サイズが２〜１２ミクロンである組成式（I）ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ：ｘＧａ_２Ｓ_３である蛍光体を形成する方法であって、この方法の生成物中に所望の平均粒子サイズを実現するため適切であるとして選択された条件下で、ＳｒＳＯ_４及びＥｕ（ＯＨ）_３とともにＧａ（ＯＨ）_３を析出させることと、生成物又はその後に繰り返されるこのステップの生成物を粉砕し、粉砕された生成物を硫化水素中で焼成する２つのサブステップを、少なくとも１回実行することと、少なくとも１回、焼成された生成物をそれが溶けない溶媒中に懸濁させ、焼成された生成物の一部分を第２の部分を懸濁させたまま沈殿させるための時間を設けることと、懸濁させた部分又は沈殿させた部分の１つ以上の部分中の蛍光体を収集することとを含む方法が提供される。 （もっと読む）

背面照射型半導体撮像デバイスの製造方法であって、
メカニカル基板（２５）と、絶縁体層（２０）と、半導体基板（１５）とを備えた基板を用意する工程と、
１つまたは複数のドーパント（９５）を半導体基板（１５）に加える工程と、
エピタキシャル層（３０）の成長の完了時には、半導体基板（１５）と絶縁体層（２０）との界面（３５）で最初の最大値を有し、半導体基板（１５）およびエピタキシャル層（３０）の初めの部分の範囲内で界面からの距離が増加するにつれて単調に減少するような正味ドーパント濃度プロファイル（４０）が半導体基板（１５）およびエピタキシャル層（３０）の中に存在するように、エピタキシャル層（３０）を半導体基板（１５）の上に成長させると同時にエピタキシャル層（３０）の中に１つまたは複数のドーパント（９５）の拡散を引き起こす工程と、
１つまたは複数の撮像素子（４５）をエピタキシャル層（３０）の中に製造する工程と、
を含む方法。
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走査可能ミラー（１００，１１０）を含んでいる機器（１０）は、マルチモード光ファイバ（２４，３２，３６，４２，４６，５２）と光結合器（４０）とを採用している。例えばマルチモード光ファイバ（２４，３２，３６，４２，４６，５２）からのモード分散が、逆畳込みを使用する方法（２００）によって低減される。走査可能ミラー（１００，１１０，４４，１４４）は、光導波管（１０４）の中で動くことのできるミラー（１１０）、又は、膨張可能なコア（１２４，１２４ａ，１２４ｂ）に巻かれている光ファイバ（４２，４６）を採用することができる。
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走査可能ミラー（１００，１１０）は、光導波管（１０４）の中を動くことのできるミラー（１１０）を採用している。光導波管（１０４）は、流体によって満たすことができ、ミラー（１１０）は、電磁モーター又は静電モーター（１１２，１１４，１１６，１２０，１２２）によって動かすことができる。
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【課題】焼成の際に二次元の収縮が低い多層セラミック支持プリント回路基板。
【解決手段】キャパシタ、抵抗器およびRFフィルタなどの受動素子が、グリーンテープ上に適したインクをスクリーン印刷することによって形成され、構成要素インク層の上下の導電層（14および15）で完成され得る。次いで、得られるグリーンテープ積層体は焼成され、埋込みキャパシタが形成される。グリーンテープ積層体を金属支持基板上に貼り合わせることによって、ｘおよびｙ次元への収縮が制限され、構成要素が精密許容範囲を維持し得る。多数のグリーンテープ層が積層されるとき、適量の酸化充填剤、例えば、グリーンテープ組成の約15重量％未満の酸化充填剤を有するグリーンテープが、より多い量、例えば、25重量％を超える酸化充填剤を有するグリーンテープと交互に重ねられると、改善された収縮が得られる。 （もっと読む）

ＭＯＳドライバまたはＥＳＤ保護デバイス内で有効スナップバック・トリガ電圧を減少させるＬＶウェル要素のトリガ構造を有する電子デバイス。トリガ電圧が下がるとマルチ・フィンガ・ターン・オンを、したがって均一な電流の流れを促進させ、かつ／または競合トリガの問題の回避を助長する。
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投与ユニットは、第１のポリマーを含む基体と、活性成分を含む付着物と、第２のポリマーを含むカバー層とを備え、カバー層は、付着物をカバーし、付着物を取り囲む結合剤によって基体の第１の表面に結合され、第１及び第２のポリマーの少なくとも一方はグラフトコポリマーである。投与ユニットは、上記第１及び第２のポリマーが同一であってもよく、また、グラフトコポリマーは、ポリビニルアルコール−ポリエチレングリコールグラフトコポリマーであってもよい。また、付着物が静電乾燥薬物付着によって基体に形成される投与ユニットも開示される。投与ユニットは、グラフトコポリマーであるポリマーと、活性成分と、を含んでもよく、グラフトコポリマーは、ポリビニルアルコール−ポリエチレングリコールであってもよい。 （もっと読む）

融合画像を形成するための方法および装置が説明される。一実施形態では、第１の波長で第１の画像が、第２の波長で第２の画像が生成される。次に、範囲情報が生成され、後に第２の画像と相関するように第１の画像をワープするために用いられる。次に、ワープされた第１の画像は第２の画像と融合され、融合画像を形成する。
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