【課題】各ノズルにおいてインクの吐出特性を安定化させることができる液滴吐出ヘッド及び液滴吐出ヘッドの製造方法を得る。
【解決手段】流路プレートユニット５２を、圧力室プレート２８（第１流路プレート２８）と、ノズルプレート２１、インクプールプレート２２、２３、スループレート２４、インク供給路プレート２６で構成された第２流路プレート５６と、に分け、圧力室プレート２８と振動板３０を接合した状態で、振動板３０の表面に圧電素子から構成されている圧電プレートを接合する。そして、圧力室１４の位置に合わせて該圧電プレートを個々の圧電部材群４２に個別化することで、圧電部材４２と圧力室１４は正確に位置決めされる。また、振動板３０をハーフエッチングすることで、振動板３０の肉厚を薄くして振動板３０の変形量を増大させ、インクの吐出特性を安定化させると共に、向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】インク吐出不良の原因となる複雑な構造物に微細に潜む異物（切削粉）を完全に的確に除去でき、エキシマレーザによる加工性の向上を図るとともに、製作工数と不良の発生の低減を図ることができる記録ヘッド、これを使用するインクジェット記録装置、及び記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】液滴を吐出するノズル５１ａを複数有するノズル基板５２と、各ノズルから液滴を吐出するためのエネルギを発生するアクチュエータ５３ａと、を備え、該アクチュエータを駆動してノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッド１４において、ノズル基板は、マイクロバブルを含む洗浄液にて洗浄されてから他の部材と接合される。 （もっと読む）

【課題】所望の凹部を高精度に形成することができるシリコン基板の加工方法及びノズルプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】第１のパターンを有する保護膜３０１ａをシリコン基板３００上に形成し、その保護膜３０１ａをマスクとして前記シリコン基板３００をドライエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程後に保護膜３０１ａの少なくとも一部を除去して第２のパターンを有する保護膜３０１ｂとする保護膜除去工程と、前記第２のパターンを有する保護膜３０１ｂをマスクとして前記シリコン基板３００をドライエッチングする第２エッチング工程により、前記シリコン基板３００に深さが異なる凹部３５０を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記第１エッチング工程と第２エッチング工程との間に、少なくとも前記第１エッチング工程でエッチングした領域を酸とアルカリとの混合液で洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）

【課題】積層体の接合時の、加熱による撥水膜の膜質の劣化を防止することが可能な、液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】液体を吐出するノズル２ａを有するとともに、表面に撥水膜１０が形成されたノズルプレート１と、ノズルプレート１の裏面に接合され、ノズル２ａに連通する連通孔３ａおよび液プール３ｂを有するプールプレート３とを備えた第１の積層体Ｓ１を準備する第１の工程と、複数の板４、５、６、７を接合して構成され、連通孔３ａを介してノズル２ａに液体を供給する圧力発生室６ａを有する第２の積層体Ｓ２を準備する第２の工程と、第１の積層体Ｓ１の裏面に第２の積層体Ｓ２を撥水膜１０の耐熱温度以下の温度で接合する第３の工程とを含む製造方法により液滴吐出ヘッド１を製造する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット記録ヘッドにおいて、流路形成および／または吐出口形成の高精度化と、流路壁と基板との接合信頼性の確保との両方を同時に達成する。
【解決手段】基板１上に、感光性樹脂１６と２１によって、インク吐出口１１と、インク供給口１４からインク吐出口１１に連通するインク流路１５とを形成するオリフィス部材が接合されている。感光性樹脂１６は、基板１との密着性に優れた材料であり、基板１と接合した、インク流路１５の側壁となる部分を形成している。感光性樹脂２１は、インク吐出口１１を高精度に形成するのに適した材料であり、インク吐出口１１の形成部を形成している。感光性樹脂１６は感光性樹脂２１に比べてシラン材を多く含有している。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に階段状の溝を安価に、精度良く形成すること。
【解決手段】ガラス基板２の表面にＣｒ膜５１を形成し、Ｃｒ膜の表面に第１段目の溝９
ａに対応したレジストパターン５２を形成し、レジストパターンに合わせてＣｒ膜の一部
をエッチングにより除去し、同時にアライメントマーク５３を形成し、ガラス基板の露出
表面にエッチングして第１段目の溝９ａを形成し、ガラス基板に残っているレジスト膜を
剥離液で剥離し、レジスト膜が剥離されたＣｒ膜に、第２段目の溝９ｂに対応したレジス
トパターン５４をアライメントマークに合わせて形成し、アライメントマークの部分にレ
ジストを滴下し、レジストパターンに合わせてＣｒ膜の一部をエッチングにより除去した
ガラス基板の露出表面にエッチングして第２段目の溝９ｂを形成し、ガラス基板に残って
いるレジスト膜を剥離液で剥離するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ワイパに対して従来よりも高い耐刷性を有し、また、簡素化されたプロセスによって形成されることができる撥水膜及び撥水膜の形成方法を提供することを例示的目的とする。
【解決手段】撥水膜を扁平硬質体とメッキ加工されたフッ素重合体とより構成し、ノズルを有するノズル板を基材として前記ノズル近傍に形成した。 （もっと読む）

シリコン基板をエッチングする方法が記載される。本方法は、第１シリコン基板（２００）を犠牲シリコン基板（２４０、２４１）へ接合するステップを含む。第１シリコン基板（２００）がエッチングされる。第１シリコン基板（２００）が犠牲シリコン基板（２４０、２４１）から分離することを引き起こすために、第１シリコン基板（２００）と犠牲シリコン基板（２４０、２４１）との界面に圧力が加えられる。金属刃（６２０）を有する装置を使用すると、これらの基板を分離することができる。
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【課題】振動板の割れを防止しつつ、液滴吐出ヘッドの小型化を図って、電極と振動板との間を気密空間とすることができる液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置を提供すること。
【解決手段】第１の基板４ａの一方の面に、電極４２を形成する第１の工程と、第２の基板２ａと電極４２との間に微小空隙を形成するように、第１の基板４ａの前記一方の面に、振動板を形成するための第２の基板２ａを接合する第２の工程と、封止材を用いて、前記微小空隙を密閉して、気密空間を形成する第３の工程と、第２の基板２ａの他方の面をエッチングすることにより、振動板を形成する第４の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 圧力発生室のような凹部を比較的容易に高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法、及びシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 流路形成基板用ウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、フッ硝酸をエッチング液として流路形成基板用ウェハの他方面側をエッチングするエッチング工程を少なくとも含み流路形成基板用ウェハを所定の薄さに形成する薄板化工程と、流路形成基板用ウェハの少なくとも他方面をオゾン水とフッ酸溶液とを用いて洗浄する洗浄工程と、流路形成基板用ウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に保護膜を介して流路形成基板用ウェハをウェットエッチングすることにより圧力発生室を形成する圧力室形成工程と、流路形成基板用ウェハと保護基板用ウェハとの接合体を所定の大きさに分割する分割工程とを具備するようにする。 （もっと読む）

【課題】 比較的厚さの薄い流路形成基板に圧力発生室を良好且つ高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 流路形成基板用ウェハの一方面に振動板を介して圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、パターニングされた圧電素子を保持する保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハを流路形成基板用ウェハの一方面側に接合する接合工程と、流路形成基板用ウェハの他方面側をウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハを所定の薄さに形成する薄板化工程と、流路形成基板用ウェハの他方面を酸化させる酸化工程と、過酸化水素水とアンモニア水とを含む洗浄液によって流路形成基板用ウェハの他方面を洗浄するＳＣ１洗浄工程と、流路形成基板用ウェハの他方面に所定パターンで保護膜を形成すると共に保護膜を介して流路形成基板用ウェハをウェットエッチングすることにより圧力発生室を形成する圧力室形成工程と、流路形成基板用ウェハと保護基板用ウェハとの接合体を所定の大きさに分割する分割工程とを具備するようにする。 （もっと読む）

【課題】 複数の装置又は設備を用いることなく、汚染物質の除去を確実に行うことができる記録ヘッドノズルの製造方法を得る。
【解決手段】 レーザを用いて、ポリイミド部材の微粒子による汚染物質６０を除去することで、ノズル形成用のエキシマレーザ５０を汚染物質除去用として兼用することができ、汚染物質６０を除去するための装置又は設備を別途設ける必要がない。さらに、レーザを用いることで、ノズル１０の周縁部に凹部（ノズル連通室１２）が形成されていても、汚染物質６０を確実に除去することができる。 （もっと読む）

微細加工されたデバイス、および微細加工されたデバイスを形成するための方法が記載される。シリコン（６８０）を含む薄膜が、シリコン・オン・インシュレーター基材（６８５）をシリコン基材に接着させることによって、シリコン本体（２５）の上に形成される。シリコン・オン・インシュレーター基材の、ハンドル層（６９５）および絶縁体層（６９０）は、取り除かれ、シリコン本体に接着されたシリコンの薄膜を残し、その結果、膜と本体との間には、絶縁体物質の介在層は残らない。圧電性層は、膜に接着される。
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