説明

Fターム[2F063EC28]の内容

Fターム[2F063EC28]に分類される特許

1 - 5 / 5


【課題】構造材のひずみを測定できると共に、構造材に生じる疲労破壊の兆候を事前にかつ的確に予測可能な疲労度検出ひずみゲージを提供する。
【解決手段】構造物の疲労強度を検出するため、ストランド151と隣接するストランド151とを疲労度検出用折り返しタブ152で接続することにより構成される疲労度検出部を複数備えた疲労度検出用ひずみゲージ100であって、複数の前記ストランド151の線幅に対する疲労度検出用折り返しタブ152の長さの比をETRとしたとき、ETRの等しい疲労度検出部150における疲労度検出用折り返しタブ152の折り返し数をストランド151の両端側においてそれぞれ複数形成して、ストランド151と隣接するストランド151とを疲労度検出用折り返しタブ152で接続することにより構成される疲労度検出部150を複数形成した。 (もっと読む)


【課題】ひずみを受感する素子と温度補償素子との接合部の段差に対する応力集中による疲労破断が発生しにくいひずみゲージおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】ひずみを受感する素子11、12、13、14と、温度補償素子17、18と、を一体に形成して成るひずみゲージ10であって、前記温度補償素子17、18が、表面にメッキまたは蒸着を施して成ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、(a)上記ゲート電極の長さが2μmより大きいこと、(b)上記ゲート電極の幅が1mmより小さいこと、(c)上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が13μmより大きいこと、の3条件のうち少なくともいずれか1つの条件が成立していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電型歪みセンサをデバイスの表面上で形成するための、より簡単な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、デバイスの表面における歪みを計測するために、該デバイスの該表面で導電型歪みセンサを形成するための方法であって、ステップ:(a)デバイスを準備すること、(b)任意的に該デバイスの表面に絶縁層を設けること、(c)ステップ(b)で得られた該絶縁層の上に第1の金属の粒子の分布を作ること、および(d)ステップ(c)で得られた該第1の金属の粒子の分布の少なくとも一部分の上に、無電解めっき法又は電着法を用いて第2の金属の層を堆積させること、を含む。 (もっと読む)


【課題】コストやサイズの増加を殆ど来たすことなく、小ひずみから20%を超える大ひずみまでの広範囲にわたるひずみを精度良く測定し得るひずみゲージを提供する。
【解決手段】この大ひずみ測定用ひずみゲージは、ゲージベース11上にゲージ素子パターン部12、ゲージタブパターン部13a、13bおよび接続パターン部15a、15bからなる金属箔パターン部が添着されている。この金属箔パターン部が添着され、ゲージリード14a、14bの基端部が接続されたゲージベース11の表面は、ほぼ全体がラミネート膜17で被覆されており、ラミネート膜17の先端側は、ゲージベース11の先端縁11aより所定の長さ延長されて、はみ出し部17aが形成されている。このはみ出し部17aは、ゲージベース11が被測定対象物19から剥離するのを防止する機能を有する。 (もっと読む)


1 - 5 / 5