【課題】オーバーレイバーニアの整列に関する情報と、リアルセル内のパターンの整列に関する情報と、が一致しない現象を防止することで、リアルセル内のパターンを正確に整列できるオーバーレイバーニアを提供する。また、前記オーバーレイバーニアを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】リアルセル１１０内に配置されるパターン１１１と同一のレイアウトを有するオーバーレイバーニアパターン１２１を含んでオーバーレイバーニアを構成する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】 被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク又はウェハのパターンを電子顕微鏡（ＳＥＭ）から撮像し、得られたパターン画像を計測する方法において、そのパターン画像特有のチャージアップやフォーカスのボケによるパターン計測の信頼性の低下を防ぎ、パターン計測結果の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】計測対象のパターンのＳＥＭ画像を取得し、計測するパターンを輪郭線を抽出処理し、該輪郭線の各点の近傍領域の濃度値から判別分析処理を行い判別分析処理によって算出したη値を統計解析処理し、画質の定量化し、信頼度の判定処理することにより、前記パターン計測の結果の信頼度を向上させるが可能となるパターン画像計測方法。 （もっと読む）