【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板検査方法であって、
（１）荷電粒子線発生手段から一次荷電粒子線を放出させるステップと、
（２）前記発生された一次荷電粒子線を一次光学系を介して基板に照射するステップと、
（３）前記一次荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を検出器に投入するステップと、
（４）前記検出器に投入された前記二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換するステップと、
（５）前記電気信号を処理して基板を評価するステップと、を備えた基板検査方法において、
前記基板のパターン形成面中で欠陥の発生が多いと予想される領域や評価値のバラツキが多いと予想される領域を選択して、当該領域に荷電粒子線を照射して評価を行うようにしたことを特徴とする基板検査方法。
【請求項２】
基板に一次荷電粒子線を照射して二次荷電粒子線を放出させ、前記二次荷電粒子線を検出して基板を評価する電子線装置において、
荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段と、
前記一次荷電粒子線を走査させて前記基板に照射する一次光学系と、
前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器と、
前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系と、
を備え、
前記パターン形成面は複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われているパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行うようにした電子線装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【公開番号】特開２００６−１５３８７１（Ｐ２００６−１５３８７１Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３２８５９０（Ｐ２００５−３２８５９０）
【出願日】平成１７年１１月１４日（２００５．１１．１４）
【分割の表示】特願２００２−５４２８５９（Ｐ２００２−５４２８５９）の分割
【原出願日】平成１３年１１月２日（２００１．１１．２）
【出願人】（００００００２３９）株式会社荏原製作所 (1,477)
【Ｆターム（参考）】