【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】結晶ウェハにより製造した３次元湾曲型Ｘ線反射レンズによる分光光学系により測角器を必要としない小型化に適した蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源とＸ線結晶分光器とＸ線検出器によってなる蛍光Ｘ線分析装置であって、１方向の長さが25mm以上300ｍｍ以下で板状単結晶からなる３次元形状に湾曲した１枚のＸ線結晶分光器と、位置敏感かつエネルギー分解能力のあるＸ線検出器の少なくとも何れか一方を用いることにより、結晶分光器の角度走査をすることなくＸ線の分光波長帯域の蛍光Ｘ線分析を行う。 （もっと読む）

【課題】測定感度および測定精度が高く、効率の良い、半導体ウェハプロセス用希ふっ酸溶液の不純物分析方法を提供すること。
【解決手段】希ふっ酸溶液を浸漬槽から採取するＡ工程と、液中のＳｉの質量数２８、Ｐの質量数３１およびＰＯ不純物の質量数４７の質量スペクトル強度を計測するＢ工程と、採取した希ふっ酸溶液を乾燥濃縮して固形化するＣ−１工程、この固形物中のＳｉ、Ｐ、ＰＯ元素の真空中でのエネルギー強度を測定するＣ−２工程と、前記固形物の真空中での質量スペクトル強度を計測するＣ−３工程、Ｃ−３工程で求めた目的の不純物の質量スペクトル強度とマトリックス質量のスペクトル強度とを合わせたスペクトル強度と目的の不純物の質量スペクトル強度との強度比を求め、この強度比によって前記Ｂ工程で求めた質量スペクトル強度を補正して、希ふっ酸溶液中のＳｉ、Ｐ，ＰＯの真の不純物量を求める。 （もっと読む）

【課題】結晶構造を有する試料から発生する散乱線および不純線を抑制し、回折Ｘ線を回避することができるＸ線分析装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＸ線分析装置は、試料Ｓを試料Ｓの所定点周りに回転させながら１次Ｘ線２を照射し、試料Ｓから発生する２次Ｘ線４の強度を試料Ｓの回転角度と対応させた回折パターンを取得して記憶し、回折パターンを、２次Ｘ線４の強度を示す直線で強度の高低方向に走査しながら、直線が示す強度以下の強度をもつ回折パターン上の点を候補点とし、隣接する候補点間の回転角度差の最大値が所定の角度になったときに走査を止めて候補点の回転角度を記憶し、試料Ｓの測定点の座標に応じて、記憶した候補点の回転角度の中から測定点の座標に最も近い回転角度を読み出し、読み出した回転角度に試料Ｓを設定するとともに、試料Ｓの測定点を検出器７の視野Ｖ内に配置する。 （もっと読む）

【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】２段に重ねられた放射線検出器の画素間での対応がとれなくなったことを早期に知ることができる非破壊検査装置を提供すること。
【解決手段】非破壊検査装置１は、Ｘ線照射器２０、低エネルギ検出器３２、高エネルギ検出器４２、低エネルギ透過率算出部７２、高エネルギ透過率算出部７４及び検出部７６を備えている。低エネルギ透過率算出部７２は、被検査物Ｓを透過したＸ線の低エネルギ範囲における透過率を、低エネルギ検出器３２で検出された輝度データから算出し、高エネルギ透過率算出部７４は、被検査物Ｓを透過したＸ線の高エネルギ範囲における透過率を、高エネルギ検出器４２で検出された輝度データから算出する。検出部７６は、低エネルギ透過率算出部７２で算出された透過率と、高エネルギ透過率算出部７４で算出された透過率との比に基づいてＸ線照射器２０の位置ずれを検出する。 （もっと読む）

【課題】２段に重ねられた検出器の画素間での対応がとれなくなったことを検出し、画素間での対応がとれるように輝度データを補正する非破壊検査装置を提供すること。
【解決手段】非破壊検査装置１は、Ｘ線照射器２０、低エネルギ検出器３２、高エネルギ検出器４２、低エネルギ透過率算出部７２、高エネルギ透過率算出部７４、検出部７６及び補正部７８を備えている。算出部７２は、透過Ｘ線の低エネルギ範囲における透過率を示す値を算出する。算出部７４は、透過Ｘ線の高エネルギ範囲における透過率を示す値を算出する。検出部７６は、両算出部７２，７２で算出された透過率の比に基づいてＸ線照射器２０の位置ずれ内容を検出する。補正部７８は、検出部７６でＸ線照射器２０の位置ずれ内容が検出された場合に、当該位置ずれ内容に応じて、検出器３２，４２で検出されたＸ線の輝度データを補正する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊（ＥＳＤ）を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。 （もっと読む）

【課題】画像形成システムを用いて対象領域の三次元モデルを生成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ｘ線画像形成システムにおいて、ターゲット・オブジェクト上の対象領域の三次元表現を生成する方法を提供する。本方法は、既知の幾何学的形状の基準マーカーを使用する。対象領域及び基準マーカーが、複数の所定位置において画像形成される。各々の所定位置についての基準マーカーの予測される画像を計算し、各々の所定位置における基準マーカーのキャプチャされた画像と比較する。予測される画像とキャプチャされた画像との間の相違を用いて、各々の所定位置についての対象領域の修正された画像を生成し、これらの修正された画像を用いて、対象領域の三次元モデルを生成する。本方法は、高価な機械的位置決めシステムを必要とすることなく、ｘ線画像形成システムにおける対象領域の有用な三次元モデルを生成することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】基板が含む検査対象に３次元的な変位が生じても、検査対象の正確な位置に基づいて検査を実行させる技術を提供する。
【解決手段】検査対象と測定点とを含む平面状の基板に対して互いに方向が異なる第１照射方向および第２照射方向に放射線が照射されるように、基板が保持される保持基準位置と放射線発生器の焦点位置との少なくとも一方を移動させる移動制御手段と、基板に対して第１照射方向に放射線を照射した場合における相対焦点位置と相対投影位置とを結ぶ直線と、基板に対して第２照射方向に放射線を照射した場合における相対焦点位置と相対投影位置とを結ぶ直線との交点の位置を測定点の位置として特定する測定点位置特定手段と、測定点の位置に基づいて特定した検査対象の位置について検査を実行する検査手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに１μｍ〜０．１μｍ等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部１と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Ｆを有し、当該金属薄膜Ｆから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部２と、前記荷電粒子ビーム生成部２から射出された荷電粒子ビームＩＢを磁場又は電場により収束して、測定試料Ｓに照射する荷電粒子ビーム制御部３と、前記荷電粒子ビームＪＢが測定試料Ｓに照射された際に生じる放射線Ｒを測定する放射線測定部４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】フレーム間の画素の対応関係を考慮してアベレージングを行うことにより、高周波成分の劣化を回避しつつノイズ成分を低減する。
【解決手段】実施形態によれば、画像処理方法は、注目フレーム内の濃度値変化と参照フレーム内の濃度値変化との間の差分の大きさを示すマスク画像内の各濃度値を閾値と比較し、マスク画像の注目位置の濃度値が閾値以下であれば参照フレームの参照フレームの高周波成分の注目位置の画素を平均化有効に設定し、そうでなければ参照フレームの高周波成分の注目位置の画素を平均化無効に設定し、参照フレームの高周波成分内の各画素の平均化有効／平均化無効の設定に従って注目フレームの高周波成分及び参照フレームの高周波成分を合成して合成高周波画像を生成すること（Ｓ５０７，Ｓ５０８，Ｓ５０９）と、合成高周波画像を注目フレームの低周波成分に加算すること（Ｓ５１０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】
従来の断面ＳＥＭやＴＥＭで撮像した断面画像とその倍率情報を元にユーザが物差しをあてて配線の寸法を計測したり、分度器をあてて配線の側壁の傾斜角度を計測する方法によっては、ユーザの裁量に依存する部分が大きいという課題があった。
【解決手段】
被検査対象試料の断面形状データに対して複数の形状モデルをフィッティングするフィッティング工程と、前記フィッティング工程にてフィッティングしたフィッティングモデルの精度の指標である誤差関数値に基づいて該複数の形状モデルから少なくとも一の形状モデルを最適モデルとして選択する選択工程とを有する被検査対象試料の断面形状推定方法である。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ステージの正しい高さと実際の高さとのズレを割り出し、該ズレを補正することができるパターン計測装置、ステージ高さ調整方法およびパターン計測方法を提供する。
【解決手段】パターン計測方法は、計測対象である周期構造のパターンが形成された基体を支持するステージと、前記ステージの位置と高さを制御するステージ制御手段と、電磁波を生成し、任意の仰角で前記基体へ照射する電磁波照射手段と、前記基体で散乱された電磁波の強度を検出する検出手段と、データ処理手段と、ステージ高さ補正手段と、を持つ。前記データ処理手段は、周期が既知である周期構造の領域に、照射位置を変えながら前記電磁波を照射して得られた検出信号から散乱プロファイルを作成し、該散乱プロファイルから前記周期が既知である周期構造の周期を算出し、算出された周期と前記既知の周期とのズレ量を算出して前記ステージの高さの位置のズレ量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】検査精度および検査速度の低下が防止できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置がアーチファクトを認識するために実行する処理は、撮像条件１の再構成画像から断層画像Ｓ１を取得するステップ（Ｓ５１０）と、撮像条件２の再構成画像から断層画像Ｓ２を取得するステップ（Ｓ５２０）と、断層画像の差分（Ｓ１−Ｓ２）を計算するステップ（Ｓ５３０）と、差分の絶対値が閾値以上であればアーチファクトと判断するステップ（Ｓ５４０）とを含む。 （もっと読む）