【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】物体から放射される電磁波を利用して路面上にある凹凸を検出することのできる路面凹凸検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の路面凹凸検出装置１は、物体から放射される電磁波を検知するアンテナ２と、電磁波の受信電力の変化が所定値以内となる領域を路面領域として検出し、路面領域の受信電力に基づいて基準レベルを設定する基準レベル設定部３と、電磁波の受信電力が基準レベルから所定値以上まで増加してから基準レベルまで減少する領域を増減領域として検出する増減領域検出部４と、受信電力の振幅に基づいて凹凸の高さを検出する凹凸高検出部５と、増減領域における水平方向の幅に基づいて凹凸の幅を検出する凹凸幅検出部６と、路面領域の間に増減領域が存在している場合に増減領域を路面上の凹凸として検出する凹凸検出部７とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの表面傷の観察が可能な技術を提供することである。
【解決手段】基体の表面特性を観察する方法であって、基体の表面に、該基体表面を構成する材料の仕事関数と異なる仕事関数を有する材料で構成される膜を設ける成膜工程と、前記成膜工程において設けられた前記基体表面に存する凹部を埋めた該膜の構成材料が残存するように該基体表面に設けられた膜を除去する膜除去工程と、前記膜除去工程後の基体の表面を電子顕微鏡で観察する観察工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合成画像を形成する場合に、重複領域のパターンの状態に応じて、適正に合成画像を形成することを目的とする合成画像形成方法、及び合成画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、複数の画像を合成して合成画像を形成する合成画像形成方法、及び装置であって、複数の画像間の重複領域について、当該重複領域中に含まれるパターンの属性情報を作成し、当該パターンの属性情報に基づいて、合成対象となる画像を選択し、当該選択に基づいて画像合成を行う方法、及び装置を提案する。また、他の一態様として、重複領域内の属性情報を用いて、複数段階で画像合成を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物の表面領域を撮影して得た画像に対し表面領域でのセンサによる電磁波の検出値をいわゆるマッピングさせて表示可能なセンサ検出値表示システムを提供する。
【解決手段】主装置３は、センサ２とともに撮影された表面領域１０１の画像であるセンサ込み表面領域画像を用いてセンサ２の表面領域での座標を検出するセンサ座標検出部３２と、カメラ１により撮影される表面領域の画像である表面領域画像とセンサ２により得られる検出値とセンサ座標検出部３２により検出される座標を取得し、表示装置３１に表面領域画像を表示させるとともに座標の位置に検出値を表示させる表示制御部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】広帯域でシールド部材の異常を検出するシールド部材の異常検出方法及びその装置を提供する。
【解決手段】互いに別体に設けられた送信アンテナＡＴ１１及び受信アンテナＡＴ１２を、銅テープ１３がある正常部を走査したときと銅テープ１３がない異常部を走査したときとでアンテナインピーダンスが変化するように、ＣＶケーブル１０に近接配置すると共に、ＣＶケーブル１０の長手方向Ｙ１に沿って互いに間隔を空けて並べて配置する。次に、送信アンテナＡＴ１１から電波を送信させる。そして、判別回路２４が、受信アンテナＡＴ１２が受信した受信電波Ｗ４に基づいて銅テープ１３の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で構造が変化するようなパターンであっても、走査型顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて取得した画像データを用いて所望のパターンエッジが再現性よく決定できる画像処理条件（閾値等）を、簡便に得ることのできる画像データ解析装置を提供する。
【解決手段】記録装置５０４と処理部５０３と表示部５０２とを有する画像データ解析装置であって、処理部５０３は、記録装置５０４に記録された画像データを用いてノイズ及びノイズを除去したエッジラフネスと閾値との関係を表すグラフや、それから求めたエッジを決定するための閾値を表示部５０２に表示する。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭを用いた半導体パターンの画像の取得に関して、ＳＥＭの撮像に伴う電子線照射による試料へのダメージを抑えつつ、高分解能なＳＥＭ画像を取得することである。
【解決手段】
電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。また、設計データを用いて前記類似領域および画像復元処理が実行可能となるＳＥＭの撮像位置および撮像範囲を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シールド部材のズレ幅を検出することができるシールド部材の異常検出装置及びシールド部材の異常検出方法を提供する。
【解決手段】送受信アンテナＡＴがＣＶケーブル１０に向かって電波を送信する。発振回路２１が、送受信アンテナＡＴに対して電波を入力する。検波回路２４１が、送受信アンテナＡＴから発振回路２１に戻る反射波Ｗ２を検波する。判別回路２４２が、検波回路２４１により検波された反射波Ｗ２の受信パワーが基準値に比べて第１閾値以上低い場合に判別ズレ幅未満の銅テープ１３のズレを検出し、検波回路２４１により検波された反射波Ｗ２の受信パワーが基準値に比べて第２閾値以上高い場合に判別ズレ幅以上の銅テープ１３のズレを検出する。 （もっと読む）