【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを２枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置を用いたパターンの寸法計測または、形状観察において、高スループット化を可能にする。
【解決手段】試料の表面に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の収束させた電子ビームを照射し走査して試料から発生する二次電子または反射電子を検出して試料のＳＥＭ画像を取得し、取得したＳＥＭ画像を処理して画像取得条件を設定し、設定した画像取得条件に基づいて走査電子顕微鏡で試料のＳＥＭ画像を取得し、設定した画像取得条件に基づいて取得したＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて試料を撮像して得たＳＥＭ画像を処理する走査電子顕微鏡装置及びその画像取得方法において、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件と、画像取得条件を設定するためのＳＥＭ画像を取得するときの電子ビームの走査条件を変えてＳＥＭ画像を取得するようにした。 （もっと読む）

【課題】マルチチャンネル方式の板厚計を採用しつつ、校正処理の高速化と板厚測定精度向上を両立させることができる鋼板の板厚測定装置およびその校正方法を提供する。
【解決手段】通板中の鋼板Ｓを通板方向と直交する方向に検出器４を走査して鋼板Ｓの厚さを幅方向に沿って測定するシングルチャンネル板厚計１と、通板中の鋼板Ｓの幅方向に沿う厚さを鋼板Ｓの幅方向に沿って配列された複数の検出器６により同時に測定するとともに、通板中の鋼板Ｓの長手方向に沿う厚さを所定間隔で測定することにより鋼板全体の厚さ分布を測定するマルチチャンネル板厚計２とを併設し、シングルチャンネル板厚計１の検出器４の検量線を、通板前に予め測定された校正用基準板の厚さで校正し、鋼板Ｓの通板中に得られるシングルチャンネル板厚計１による鋼板の幅方向の鋼板の板厚測定値で、マルチチャンネル板厚計２の各検出器６の検量線を校正する。 （もっと読む）

【課題】より迅速にチップの反りを測定できる手法を提供する。
【解決手段】単結晶基板の反り測定方法であって、角度広がりを持つＸ線を発生させる発生ステップと、前記角度広がりを持つＸ線を単結晶基板に照射する照射ステップと、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を検出して、前記単結晶基板の反りを測定する検出・測定ステップと、を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】精度よく基板に塗布されたはんだと部品とのはんだ付け検査を行なうＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置は、予め基板に塗布されたはんだの厚みとして、クリームはんだ印刷におけるマスク厚を取得し、記憶しておく。検査対象の基板のマスク厚から、基板面に平行な断層のうち検査対象とする高さ方向の範囲を設定し、その断層数Ｎを特定する（Ｓ８０１）。Ｘ線検査装置は、各断層について検査ウィンドウ中のはんだの面積Ｓおよび真円度Ｔを計測し（Ｓ８０７〜Ｓ８１９）、その最小値がいずれも基準値以上である場合にはその検査ウィンドウのはんだ付けが良好と判定し（Ｓ８２１、Ｓ８２３）、一方でも基準値を下回ったら不良と判定する（Ｓ８２１、Ｓ８２３）。 （もっと読む）

【課題】被検査物の形状異常を容易かつ迅速な方法で判断することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】形状異常判断部は、一の領域における濃淡情報として変化線ＫＨ１と、他の領域における濃淡情報として変化線ＫＨ２とを比較することにより、被検査物の形状異常を判断する。具体的には、同一の検出位置における変化線ＫＨ１の濃淡値と変化線ＫＨ２の濃淡値とが比較される。例えば、検出位置Ａ１における変化線ＫＨ１の濃淡値Ｋ１と変化線ＫＨ２の濃淡値Ｋ２との差Ｓ１が所定範囲内か否かが形状異常判断部により判断される。この場合、差Ｓ１が所定範囲を超えるものであれば、形状異常が存在すると判断される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、実波形とライブラリとの比較に基づいて、形状を推定するに際し、適正な形状推定を行うことができるパターン形状選択方法、及び装置の提案を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、取得された波形をライブラリに参照することによって、パターンの形状を選択する方法、及び装置であって、試料に対する荷電粒子線の照射に基づいて、複数の波形取得条件にて波形情報を取得し、当該複数の波形情報を、複数のパターン形状毎に、異なる波形取得条件で取得された波形情報が記憶されたライブラリに参照することによって、前記ライブラリに記憶されたパターン形状を選択する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】短時間で精度良く対象物の形状を推定できることができる形状測定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る形状測定装置は、複数の搬送波を生成する複数の発振回路１２２と、変調信号を用いて前記複数の搬送波を変調する複数の送信回路１２４と、前記複数の送信回路１２４により変調された複数の搬送波を複数の放射波として放射する複数の送信アンテナ１３０Ａ〜１３０Ｃと、前記対象物で反射された前記複数の放射波それぞれの一部である複数の反射波を受信する複数の受信アンテナ１４０Ａ〜１４０Ｃと、前記複数の受信アンテナ１４０Ａ〜１４０Ｃで受信された前記複数の反射波と前記複数の放射波との相関を示す複数の相関波形を求める複数の受信回路１２５と、前記複数の相関波形に基づいて前記対象物の形状を推定する信号処理回路１５０とを備え、前記複数の搬送波それぞれの周波数は、独立に設定される。 （もっと読む）

【課題】従来の荷電粒子線装置では、格子状に反復して配列された複数の素子を観察又は測定することを前提とする。このため、回転軸対称に配置されたパターンに対しては、それらが規則的に反復するパターンであったとしても、観察点又は測定点毎にテンプレートを登録する必要がある。
【解決手段】試料上に回転軸対称に配置されたパターンを、予め定めた手順に従って自動的に観察又は計測する際、テンプレート画像、観察点若しくは計測点の画像又は荷電粒子線の走査範囲である視野領域を、試料上の座標から算出した角度だけ自動的に回転させる。 （もっと読む）

【課題】複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを抽出するパターン検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパターン検査方法は、画像中に含まれる複数の画像パターン同士を各々すべて比較し、相関値マトリックスを生成して合計相関値を比較する。これにより、複数の近似形状の画像パターン同士から欠陥パターンを自動的に抽出することが可能となり、欠陥パターンの測定を効率良く、高精度に実施することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】ドリフトが生じやすい試料であっても、輪郭の明瞭さが安定した試料像を得ることができる画像形成方法及びその方法を用いる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】画像形成方法は、試料Ｓをラインスキャンによって撮像し、第１の画像データを得る第１の撮像工程と、第１の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第１の数値化工程と、第１の数値化工程で得られた第１の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ１から、明瞭さの閾値Ｍｓを設定する閾値設定工程と、試料Ｓをエリアスキャンによって撮像し、第２の画像データを得る第２の撮像工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第２の数値化工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ２が閾値Ｍｓを満たしているか判定する判定工程と、判定工程の結果に基づいて、画像を選択して記憶する記憶工程とを備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、高精度かつ短時間の薄膜の膜厚測定と異常値検出を可能とする薄膜の膜厚測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｘ線回折装置を用いて、評価試料の最上層の膜厚を測定する方法であって、Ｘ線回折装置以外の膜厚測定方法を用いて、標準試料の膜厚基準値を測定する基準値測定ステップと、前記標準試料のＸ線回折強度分布から検出された特徴量と、前記膜厚基準値とを対応付けた校正情報１０をあらかじめ生成する校正情報生成ステップと、評価試料のＸ線回折強度分布を取得する分布取得ステップＳ１００と、前記分布取得ステップＳ１００で取得されたＸ線回折強度分布から特徴量を検出する特徴量検出ステップＳ１０１と、前記特徴量検出ステップＳ１０１で検出された特徴量と、前記校正情報１０とから前記評価試料の最上層の膜厚を算出する膜厚算出ステップＳ１０６とを備えたことを特徴とする膜厚測定方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによるマスクのホールパターン計測値を実際のマスクパターン転写に適応した値に補正することで、マスク転写特性の予想やＯＰＣの調整を正確に行うことができる実用的に信頼性が高いパターン寸法測定方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】マスクの各ホールパターン寸法における回折光強度を測定するステップと、前記パターンをＳＥＭで測定し測長値を得るとともに、コーナーラウンディングの見積りを行うステップと、電磁場解析シミュレーションを行い、回折光強度のシミュレーション値を得るステップと、前記回折光強度測定とシミュレーションとから算出されたパターン寸法値と前記ＳＥＭ測長値とのオフセット量を補正値とし、前記コーナーラウンディングの見積もりからのオフセット量を補正値として決定するステップと、前記補正値を前記ＳＥＭで測定した他のパターン寸法値に適用するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
CD-SEM画像からパターンのエッジを抽出する際にパターン上における高さ（基板からの距離を表す値）を指定してエッジ点を抽出する。あるいは、それを行って得られるLER値やLERのフーリエスペクトルを得る。
【解決手段】
あらかじめ同じサンプルをAFMとCD-SEMとで観察しておき(601)、AFM観察結果から、高さを指定して得られるLERの大きさやLERの自己相関距離あるいはスペクトルという指標を求め、さらにCD-SEM観察結果からは、エッジ点を検出する画像処理条件を指定して得られるこれらの指標を求め(602)、値が一致するときにその値を与える高さと画像処理条件とが対応していると判断し（603）、以降、AFM観察の代わりにCD-SEM画像からこの画像処理条件を用いてエッジ点を抽出する。 （もっと読む）

【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】CD-SEMによる半導体パターンの寸法計測において，パターンの断面形状に依存して寸法計測値と実際のパターンの寸法との誤差が変動することにより、計測精度が悪くなる問題があった。
【解決手段】
予め形状の異なる複数パターンのAFM計測結果と，同一形状のパターンをCD-SEMで計測したときの前記AFM計測結果との寸法計測誤差とを対応付けてデータベースに保存しておき，実際の寸法計測時には，計測対象パターンの少数箇所から得たAFM計測結果を前記データベースに照合し，最も形状が類似した側壁形状に対応したCD-SEM計測の寸法計測誤差を呼び出し，次に計測対象パターンのCD-SEM計測結果を前記呼び出した寸法計測誤差に基づき補正することにより，パターンの断面形状に依存した寸法誤差を低減した補正寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）