【課題】半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。
【解決手段】この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。観察工程の際、ｐ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２１のピークＰ２１を含み、且つｎ型半導体領域から放出される二次電子のエネルギー分布Ｇ２２のピークＰ２２を含まないエネルギー範囲Ｅ１の二次電子を選択的に検出することにより、ＳＥＭ像を取得する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の結晶欠陥を、高感度に検出し精度良く評価することのできる半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板を水素雰囲気下８００〜１１００℃で熱処理した後、該熱処理した半導体単結晶基板の表面に顕在化した結晶欠陥の検出を行うことによって、前記半導体単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とする半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 （もっと読む）

【課題】集束ビームを使用して基板を選択的にエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップ１０２では、少なくとも２種類の材料を有する基板を用意する。この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０８では、電子ビームなどの集束ビームを基板に向かって、少なくとも２種類の材料を含む領域上に誘導する。このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電子線の影響を少なくしてプロービングできる装置を提供する。
【解決手段】通常見る倍率よりも低倍の倍率を利用してプロービングの粗寄せができる。目標となる半導体のコンタクトを検出すると、通常、測定位置を画面の中心にしてステージは移動しないで、プローブを移動する。微細化により、コンタクトは高倍でしか確認できないが、プローブは反対に低倍で確認できるがリアルタイムに表示する必要がある。プロービングに必要な目標コンタクトとプローブの特性から高倍で１回の静止画と低倍でリアルタイムに画像を取得した画像を合成して表示したことで、低倍でのプロービングが実現できたことで、電子線の影響を少なくし、正しい電気特性を取得することができる。 （もっと読む）

非ファラデーカップ型イオンドーズ量測定装置であり、この測定装置はプラズマプラズマプロセスチャンバ内に設置され、チャンバ内のワークピースの上方に位置するセンサを含む。センサはプロセス注入プロセスに曝されるワークピースの表面から放出される二次電子の数を検出するように構成される。センサは検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流回路がセンサから発生された検出二次電子電流を引き出し、この電流をチャンバ内でワークピースに供給されるバイアス電流から差し引く。両電流の差が注入プロセス中に源位置で計算されるイオンドーズ量電流の測定値を提供する。
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【課題】本発明が解決しようとする課題は、プローブのランダムアクセス操作のような厄介な作業をすることなく、電子顕微鏡等の走査型荷電粒子顕微鏡の観察から半導体デバイスにおける回路要素の導通等の検査を可能とする検査手法を提示し、それを実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明の検査手法は電子鏡筒２とイオンビーム鏡筒１と二次荷電粒子検出器４とをそなえた複合装置を用い、電子ビーム又は正電荷のイオンビームを半導体デバイス試料面に照射して高い帯電をさせた場合と、該高い帯電状態を示した領域の所望のパターンに逆電荷の正電荷のイオンビーム又は電子ビームを照射した場合との試料面のコントラスト変化を顕微鏡観察して電子回路検査するものである。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ断面加工方法に関し、精度の高い断面加工を施すことができるＦＩＢ断面加工方法及びその加工方法を用いて製品断面解析を行った結果を利用する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ断面加工方法は、半導体チップの解析ポイント８が、第１のパターンの端辺と第２のパターンの端辺とが交差する第１の交点に位置する際に、半導体チップにＦＩＢによって粗加工９を施し、粗加工９により得られた粗加工断面９ａと第１のパターンの端辺とが交差する第２の交点αと、粗加工断面９ａと記第２のパターンの端辺とが交差する第３の交点βと、第１の交点８とを頂点とする三角形を形成し、三角形の辺の長さ又は角度θを用いることにより、粗加工断面９ａと第１の交点８との距離ｂを求め、粗加工断面９ａから距離ｂだけ半導体チップにＦＩＢによって断面加工を施すことにより、解析ポイント８が露出した断面を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改良された電圧コントラストテスト構造を提供する。
【解決手段】テスト構造は単一のフォトリソグラフィステップ、単一のレチクルまたはマスクで製造され、電圧コントラスト検査中に特定の電位パターンを有するサブ構造１０２、１０４ａ〜ｇを含む。電子ビームがテスト構造にわたって走査されるとき、予期された輝度パターンが作られ、テスト構造の予期された電位の結果、画像化される。しかし電圧コントラスト検査中に予期されないパターンの電位が存在するとき、これは欠陥がテスト構造内に存在することを示す。異なる電位を作るために、サブ構造の第１セット１０２は、大きい導電パッドのような比較的大きい導電構造１１０に結合され、サブ構造の第１セットは、比較的大きい導電構造に結合されないサブ構造の第２セットよりもより遅く帯電する。 （もっと読む）

【課題】放電防止の機能を有し、吸収電流の検出をより効率よく行う検査装置を提供する。
【解決手段】吸収電流検出器２３を真空試料室２６の内部に搭載し、探針１９から吸収電流検出器２３までの信号配線のもつ静電容量を数ｐＦ程度まで低減することにより、数十ｋＨｚ以上の高周波数吸収電流信号であっても検出が可能となる。また、信号切換制御部１５により信号切換部２２を動作させ、試料９に接触した探針１９と半導体特性解析装置２５の信号線を導通させることにより、探針１９に繋がる信号経路を吸収電流の伝送に限定することなく、試料９の電気的特性の測定が可能となる。また、探針１９や試料ステージ１８に帯電のスローリークのための抵抗を設ける。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度を変化させて試料検査を行う場合、チャンバー内にあるホルダ，試料ステージ，プロービング機構全体，試料台などの熱膨張によるドリフトが生じてしまう。この試料ドリフトの影響は、プローブを測定箇所へ接触させる際の大きな障害となる。一方、荷電粒子線を用いた観察では、コンタミネーションが生じることがあり、目的とする測定領域を埋没させてしまうため、プローブによる電気特性測定が困難となる。特に、試料を加熱する場合、試料表面や試料内部に内在するガス分子が発生しやすくなり、コンタミネーションが生じやすくなる。さらに、荷電粒子線を用いた観察では、荷電粒子線照射による熱ダメージの影響で試料の構造が破壊されてしまう場合がある。
【解決手段】
上述の問題点に鑑み、本発明では、局所加熱および冷却を実現出来る機能を有する微小ブロックの集合体を特徴とする試料台を用いて、所望箇所の温度調整を実現する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）

【課題】試料の絶縁体に帯電した帯電電位をより正確に測定する帯電電位測定機能、及び測定した帯電電位の情報を用いて試料上のパターンを高精度に計測するシステムを提供する
【解決手段】少なくとも一層の絶縁膜を有する試料（たとえば、半導体基板）における絶縁膜表面の帯電電位を測定する帯電電位測定方法を提供する。本方法では、電子線を、金属薄膜を介して絶縁膜表面に照射し、電子線を絶縁膜表面に照射したときの試料電流を測定する。次に、試料に印加する電圧を所定範囲で変化させて得られる、印加電圧と試料電流との関係（検量線）を用いて得られた試料電流に対応する試料の電圧を求める。そして、この得られた試料の電圧を絶縁膜の帯電電位と定める。試料電流は、電子線照射により誘起された電流を含む。また、検量線は、試料の種類ごとに予め取得しておいてもいいし、帯電電圧測定動作の度に、電子線を照射しながら検量線を取得し、それを用いるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】試料ステージ及びプローブ装置の移動範囲が温度制御装置によって制限されることなく半導体試料の温度特性測定を行うことができる不良検査装置を提供する。
【解決手段】ヒータ５５によって試料ステージを加熱し、試料ステージに接続された熱伝達線３４、熱伝達線３４に接続された受熱部３６Ａ、受熱部３６Ａに対し着脱可能な受熱部３６Ｂ、受熱部３６Ａに接続された熱伝導線３５、及び熱伝導線３５に接続された熱伝達棒３７を介して冷媒容器３８に貯留した冷媒により試料ステージを冷却することによって試料ステージに保持された半導体試料２５の温度を調整する。受熱部３６Ａと受熱部３６Ｂを分離して試料ステージ及びプローブ装置の拘束を解くことにより、試料ステージ及びプローブ装置の試料室３０内における移動を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＢＡＣ解析は解析対象配線に吸収された電流を検出するため、アンプ接続されたプローブ針を解析対象配線に当てる必要があり、その作業が作業者にとって大きな負担である。たとえば、針当て対象パターンを探し出してＳＥＭ画面中央に位置させた後、プローブ針先端をＳＥＭ画面中央に移動させなければならないが、この操作は、ＳＥＭ像の倍率を低倍にしてプローブ針をＳＥＭ画面内に移動させ、ＳＥＭ観察倍率を上げながらプローブ針を針当てパターン上に移動させる作業を繰り返す必要がある。
【解決手段】本願発明は試料中の解析対象位置（針当て位置）を画像表示部の視野の中心部に移動すると、それに対応して、プローバのプローブ針の先端部を自動的に画像表示部の視野内に移動することができる走査型電子顕微鏡装置である。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面部の画像を得るための方法及びシステムの提供。
【解決手段】 試料の断面部をさらすように試料を粉砕するが、断面部が、第一材料から製造された少なくとも一つの第一部分と第二材料から製造された少なくとも一つの第二部分を備えるステップと；断面部を平滑にするステップと；断面部の少なくとも一つの第一部分と少なくとも一つの第二部分との間で形状差を生じるように断面部のガス援助エッチングを行うステップと；断面部を導電物質の薄層で被覆するステップと；断面部の画像を得るステップと；を含み、粉砕するステップ、平滑にするステップ、エッチングを行うステップ、被覆するステップ、画像を得るステップが、試料が真空のチャンバ内に配置されている間に行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程において電子顕微鏡を用いて試料の材料分析を簡便に行う。
【解決手段】材料分析装置１は、試料１２に電子線ＥＢを照射する電子銃１３と、試料１２の表面から飛び出す反射電子ＲＥを検出する電子検出部１４と、電子検出部１４による反射電子ＲＥの検出強度に応じて試料の材料を分析する材料分析部３０を備え、材料分析部３０は、原子量Ｎ１、Ｎ２が既知の材料Ａ１、Ａ２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂ１、Ｂ２に基づき、ある材料に電子線ＥＢを照射するときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度とその材料の原子量との間の近似一次式を決定する近似式決定部３３と、決定した近似一次式に従って試料１２に電子線ＥＢを照射したときの反射電子ＲＥを電子検出部１４で検出した検出強度Ｂｘから、試料１２の材料の原子量Ｎｘを決定する原子量決定部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度調整を局所的に行うことにより、試料ドリフトを抑制することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体試料１１８を保持する試料ステージ１０９と、半導体試料１１８上の半導体素子の電気特性測定に用いる複数のプローブ１０６と、プローブ１０６に前記プローブに電圧及び／又は電流を印加する電源と、前記プローブが接触した前記試料上の半導体素子の電気特性を測定する検出器と、半導体試料１１８の測定対象箇所に電磁波を照射する電磁波照射機構とを備える。 （もっと読む）