【課題】 撮像カメラの処理能力に制約を受けることなく、検査時間を短縮することができる自動外観検査装置を提供する。
【解決手段】 テーブル部、走査ステージ部、ストロボ照明部、鏡筒部、撮像部並びに、予め登録しておいた検査条件に基づいて、撮像された検査対象物の画像の良否判断をする検査部とを備え、
走査ステージ部には、テーブルの現在位置を計測する位置計測手段が備えられており、
鏡筒部には、観察光を一部透過させると共に、角度を変えて一部反射させる、
光分岐手段が備えられており、
鏡筒部には、光分岐手段で分岐された光を各々撮像することができるように、撮像部が複数取り付けられており、
制御部は、ストロボ発光させる毎に、撮像に用いる撮像部を逐次変えて撮像を行う機能を備えていることを特徴とする、自動外観検査装置。 （もっと読む）

【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するＡＤ変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】暗視野式（散乱光検出式）半導体ウェハ検査においては、パターンの微細化と共に欠陥信号も微弱化し、かつ欠陥種類により散乱光の方向特性も異なるため、これらを有効に検出する必要がある。
【解決手段】平面内で移動可能なテーブルに載置した表面にパターンが形成された試料上の線状の領域に試料の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、この照明光が照射された試料から発生した散乱光の像を複数の方向で検出し、この散乱光の像を検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置において、散乱光の像を複数の方向で検出することを、光軸が前記テーブルの前記試料を載置する面の法線と前記照明光を照明する線状の領域の長手方向とが成す面に直交する同一平面内における異なる仰角方向でそれぞれ円形レンズの左右を切除した長円形レンズを介して検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源１１と、光源１１から出射される赤外光を平行光としてウエハ３０に略垂直に入射させ、当該ウエハ３０からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するＩＲカメラ１９、２０とを備え、光源１１からの赤外光を導光する光ファイバ１３の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】欠陥検出を行なう被対象物である試料に照射する光の偏光（アルファ）（ｓ偏光からの角度（アルファ））を、試料の回路パターンの条件、照射光の方位角及び入射角を所定の計算式に代入して算出する。偏光（アルファ）は、ｐ偏光とｓ偏光との間にある。算出した偏光（アルファ）の光を試料に照射して欠陥を検査する。これにより、配線間の底部のショートに対する検査感度を向上させ、微細化されたパターンであり、平行に並んだ複数の配線間の底部におけるパターンショートであっても検出可能な欠陥検査方法を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置１００は、ポンプ光の照射に応じて、基板Ｗに向けてテラヘルツ波を照射する照射部１２と、プローブ光の照射に応じて、基板Ｗを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部１３と、テラヘルツ波が検出部１３に到達する時間と、検出部１３における検出タイミングを遅延させる遅延部１４とを備える。また、基板検査装置１００は、基板Ｗの第１領域を透過した第１テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部２１と、基板Ｗの第２領域を透過した第２テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第１テラヘルツ波と第２テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】対象物の表面における光の照射位置に微小な凹凸が形成されている場合でも、この凹凸の影響を排除しつつ、予め規定された高さ以上の異物欠陥が対象物の表面上に存在するか否かを判定する。
【解決手段】表面欠陥検査装置１０は、ウェハ２６の表面に斜方から光を照射するラインレーザ１４と、ウェハ２６の表面におけるラインレーザ光２８の照射位置Ｐ２よりもラインレーザ１４側の位置であってウェハ２６の表面から予め規定された高さ離間した規定高さ位置Ｐ１において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第一ラインカメラ１６と、照射位置Ｐ２において反射したラインレーザ光２８の反射光を検出するための第二ラインカメラ１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ１０３を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極１０６と左・右検出器１１０、１１１を設け、その電子ビームを試料１０４に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 （もっと読む）

【課題】検出感度の向上には、画素の検査サイズを小さくしてＳ／Ｎ比を向上させることや、領域別に最適なアルゴリズムを用いて処理する方法が有効である。しかし、処理データ量が増加するため、処理時間増加によるスループットの低下、処理回路の並列化による回路規模増加およびコストが増加する、という課題がある。
【解決手段】検査領域の量から処理時間が最短、および回路規模が最小のうち少なくとも１つの条件を満たす処理基板とアルゴリズムとの組み合わせを得る。 （もっと読む）

【課題】迅速に欠陥レビューを行うことができる欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム３１を試料８の表面に照射し、試料８の表面の観察領域内で電子ビーム３１を走査させる電子鏡筒１と、電子ビーム３１の光軸周りに相互に９０°の角度を開けて配置された４つの電子検出器９ａ〜９ｄと、電子検出器９ａ〜９ｄの検出信号に基づいて、観察領域をそれぞれ異なる方向から写した複数の画像データを生成する信号処理部１１とを備えた欠陥レビュー装置１００において、観察領域のパターンがラインアンドスペースパターンである場合には、欠陥検査部１２によってラインパターンに平行であって電子ビーム３１を挟んで対抗する２方向からの画像データの差分をとった差分画像に基づいて、欠陥の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】検査対象とする配線区間に含まれる不良箇所から取得される吸収電流の変化がその他の配線区間に対して強調される技術を提供する。
【解決手段】電子線の走査時に２本の探針４から出力される吸収電流を、電子線１の走査に連動させて吸収電流像１３，１５を出力する試料検査装置に、以下の仕組みを採用する。２つの探針４により電気的に接続された試料２側の配線区間のうち不良箇所に電子線が照射された場合、その抵抗値の変化は、正常な配線区間に電子線が照射された場合より大きくなる。この抵抗値の変化を、２つの探針４で特定される配線区間と既知の抵抗値との比率の変化として検出する。この方式により、不良箇所に対応する吸収電流像１５をその他の配線区間の吸収電流像１３に対して識別容易にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は半導体ウェハを検査するための方法に関する。半導体ウェハのエッジをイメージング方法を用いて検査し、エッジ上の欠陥の位置および形状をこのようにして求める。加えて、その外縁がエッジから１０ｍｍ以下である、半導体ウェハの平坦領域上の環状領域を、光弾性応力測定によって検査し、上記環状領域の中で応力を受けた領域の位置をこのようにして求める。欠陥の位置および応力を受けた領域の位置を互いに比較し、欠陥をその形状および光弾性応力測定の結果に基づいてクラスに分類する。本発明はまたこの方法の実施に適した装置に関する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置では検出倍率を上げて微細欠陥検出感度を向上させるため、焦点深
度が浅くなり、環境変動によって結像位置がずれ、欠陥検出感度が不安定になる課題があ
る。
【解決手段】被検査基板を搭載して所定方向に走査するＸＹステージと、被検査基板上の
欠陥を斜めから照明し、その欠陥を上方に配した検出光学系で検出する方式で、この結像
状態を最良の状態に保つために、温度及び気圧の変化に対して、結像位置変化を補正する
機構を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】表面検査ツールおよび方法を提供する。
【解決手段】検査ツールの実施形態は、光ビームをワークピース上に導くことによって、前記ワークピースの欠陥から散乱された光、および前記ワークピースの通常の散乱パターンにしたがって散乱された光を含む、散乱された光を発生する照射源を含む。この実施形態は、前記ワークピースから散乱された光を受け取り、前記ワークピースの欠陥から散乱された前記光を、この光を電気信号に変換する前記フォトセンサに選択的に導くプログラム可能な光選択アレイを含む。処理回路は、前記光検出要素からの電気信号を受け取り、ワークピースの欠陥の特徴付けを含みえる前記ワークピースの表面分析を行う。プログラム可能な光選択アレイは、以下に限定されないが、反射器アレイおよびフィルタアレイを含みえる。本発明はまた関連付けられた表面検査方法も含む。 （もっと読む）

【課題】開口から形成された２つのリングを備えたフレームを有するコンパクトな表面検査光学ヘッドを提供する。
【解決手段】検査される表面（２０）に対して垂直な方向を取り囲んだ第１の組の開口（１２ａ）が、マイクロスクラッチの検出に有用な散乱照射線を集めるために使用されるファイバ（４２）に接続され、パターン化された表面上の異常を検出する。さらに、検査される表面に対して低い高度角度の開口の第２のリング（１２ｂ）は、パターン化された表面上の異常検出を行う。開口のこのようなリング（１２ｂ）は、パターン回折や散乱によって飽和される検出器（４４）からの信号出力が捨てられるように収集スペースを方位角で区分し、飽和されていない検出器の出力のみが異常検出のために使用される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）