【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】設定された精度の検査結果を得るのに要する時間の点で有利な検査装置を提供する。
【解決手段】異物または欠陥としての不具合に関して物体を検査する検査装置は、光を照射された物体からの光を検出し、当該光の強度が閾値を超えた前記物体上の位置を示す信号を出力する検出部と、前記物体上の位置に異物または欠陥としての不具合が存在することを示す情報を出力する制御部と、前記物体上の位置に前記不具合が存在する確率を示す情報を記憶する記憶部と、前記不具合の検査漏れの数に対する上限値を示す情報を入力する操作部と、を備える。前記制御部は、前記検出部に既定回数（少なくとも１回）前記検出を行わせ、推定された総数と前記記憶部に記憶された情報が示す前記確率とに基づいて、決定された全回数から前記既定回数を減じた残り回数の前記検出を前記検出部に行わせる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被検査物上に検出される異物や欠陥の座標精度を安定化させる被検査物の検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の被検査物の検査装置は、被検査物外周部の所定領域から、ベベルやエッジロールオフに関する特徴量を捕らえることによって、被検査時の位置状態を検出する。そして、検出された被検査時の位置状態に応じて、検出された異物や欠陥の位置座標を、被検査物の中心座標を基に補正するように構成した。 （もっと読む）

【課題】パターン付きウェーハの金属及び有機物の汚染を非破壊で短時間で測定し、処理条件を適正化して後続のウェーハの処理を行う高生産性の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１の第１主面１１ａ上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第１パターンを有する第１層２１を形成し、前記第１層が形成された前記第１主面に対向して設けられた探針３０と、前記第１基板と、の間の相対位置を前記第１主面に平行な平面内で変化させ、前記探針に発生する電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて設定された条件を用いて、第２基板の第２主面上に、導電膜及び誘電膜の少なくともいずれかを含み第２パターンを有する第２層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

干渉計システムは、２つの間隔を空けて配置された参照フラットを含み得る。前記２つの間隔を空けて配置された参照フラットは、２つの平行参照表面間に光キャビティを形成する。第１のおよび第２の基板表面が対応する第１の参照表面および第２の参照表面に実質的に平行な様態で、前記第１のまたは第２の基板表面の間の空間が前記参照表面または減衰表面のうち対応するものから３ミリメートル以下の位置に来るように、前記基板を前記キャビティ内に配置するように基板ホルダが構成され得る。前記キャビティの直径方向において対向する両側においてかつ前記キャビティ光学的に結合して、干渉計デバイスが設けられ得る。
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【課題】 偏光解析装置、偏光解析による異常検出方法、磁気記録媒体の製造方法、及び、半導体ウェーハの製造方法に関し、試料の広範囲の平均的な膜厚、形状、物理特性を短時間、かつ精度よく計測する。
【解決手段】 試料上の分光光学特性を計測する計測機構と、前記計測機構からの計測光が前記試料に当たる位置を調整できるステージ機構と、前記計測光の前記試料上での照射位置を検出するためのステージ位置検出機構と、前記試料を移動させながら前記計測光が前記試料上の予め設定した所定の領域にある時のみ所定の波長の光学特性を加算して取得および記録する受光記録機構と、前記受光記録機構における記録を基に前記試料の表面の構造を解析するエリプソメーター或いはスキャトロメーターのいずれかの解析機能を有する偏光解析機構とを設ける。 （もっと読む）

少なくとも１つのウエハ支持体が設けられているウエハ移送アーム（３０）と、ウエハの対向する縁部をつかむように構成される２つのリモートリム（１８、１９）を有するウエハグリッパ（１５）であって、前記グリッパ（１５）はおおよそ水平方向位置とおおよそ垂直方向位置との間でウエハを回転させるために軸上で回転するように取付けられたグリッパと、前記ウエハの一方側および他方側に、おおよそ垂直方向位置で前記ウエハを通る平面に対して対称的に配置された少なくとも２つの検査システムとを備える半導体ウエハ検査装置（１）。 （もっと読む）

【課題】 実機による欠陥検査の作業工数を低減させ、欠陥検査装置のスループットを向上させる欠陥検出レベル調整方法および欠陥検査システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 欠陥検査装置で、欠陥検出アルゴリズムに対して高感度パラメータを設定し、実検出データを取得した後は、前記欠陥検査装置に対してオフライン上で、所望の検出レベルを達成するまで、感度パラメータの再設定とシミュレーション検出データの取得及び／またはレビュー用データ生成を繰り返す欠陥検出レベル調整方法およびこの調整方法の実行可能な欠陥検査システムを提供する。
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【課題】ハードディスク装置に用いられる磁気ディスク、及び半導体製造に用いられるシリコン基板において、従来では検出できなかった微小な欠陥をも高い感度で欠陥を検出する方法を提供すること。
【解決手段】現行光学系以上に微細な結果を検出可能とするために、以下の手段を備えたシステムとして構成されるようにしたものである。
(1)レーザ及び照明光学系。
(2)プラズモン増強用ヘッド及びヘッドを基板面から浮上させるための位置制御機構。
(3)散乱光の検出光学系及び光検出器。
(4)検出光学系を微調するためのZ微動機構。
(5)基板ホルダと走査用ステージ。
(6)上記検査に先立って大異物を検出しておく前検査系。 （もっと読む）

【課題】剛性が優れた接触式カンチレバーとその使用方法、及び本発明のカンチレバーを備えたＬＳＩ検査装置及びリソグラフ装置を提供する。
【解決手段】カンチレバーの探針をヘテロカーボンナノチューブにより構成する。窒素やボロン等をドーピングすることでヘテロ化されたカーボンナノチューブは硬さが高く、剛性が優れている。このヘテロカーボンナノチューブをカンチレバーの探針に用いることにより、短針の撓みを防止でき、画像障害を抑制できる。 （もっと読む）

光学計測における2次元構造についてのシミュレーションによる回折信号を生成するのに用いられる回折次数が、第1回折次数と2次元構造の仮説プロファイルを用いて第1のシミュレーションによる回折信号を生成することによって選択される。第2のシミュレーションによる回折信号は、第1のシミュレーションによる回折信号の生成に用いられた仮説プロファイルと同一のものを用いた第2回折次数を用いて生成される。ここで第1回折次数と第2回折次数とは異なる。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号とは比較される。第1のシミュレーションによる回折信号と第2のシミュレーションによる回折信号との比較に基づいて、第1回折次数と第2回折次数のいずれを選ぶのかが決定される。
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【課題】半導体ウエハの欠陥を検出するフーリエフィルタが、環境に存在する通常の振動によりその出力が影響を受けない方法を提供する。
【解決手段】フーリエフィルタ機構６００の減衰タブ６０６は磁石６１０間の中心に位置する。タブ６０６が磁界中で移動するとき、タブ６０６の電気ループを通過する磁束は変化し、タブ６０６に渦電流が誘発され、その渦電流により生じた磁気力ベクトルはＺ−スプリング６０８の振動を減衰させるように働く。 （もっと読む）

【課題】電子線による半導体装置やフォトマスク等のパターン検査・計測技術に関し、従来技術に比べて高い精度で試料の帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置、検査・計測方法を提供する。また、簡単な構成で帯電電位を測定することが可能な検査・計測装置を実現する。
【解決手段】各検査・計測対象となる半導体装置に対して、S字カーブを観測する際に、照射する一次電子線のエネルギーを最適化することにより、被検査試料表面の帯電電位の変動を抑制できる。
【効果】半導体装置の表面電位を測定する際，絶縁膜表面本来の帯電電位にほとんど影響を及ぼさずに、従来より正確な電位測定が可能となる。また、エネルギーフィルタ等、ウェハ表面電位測定用の専用装置を搭載せずに表面電位測定が可能であるため、装置のコストダウンに繋がる。 （もっと読む）

材料の表面上にある欠陥または汚染を特定するための方法およびシステム。この方法およびシステムは、半導体ウェハなどの材料を提供することと、ウェハを走査するための非振動接触電位差センサを用いることと、接触電位差データを発生し、欠陥または汚染の特徴を示すパターンを特定するためにそのデータを処理することとを含む。
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【課題】ミラー電子を使った電子線式検査装置においては、ウェハ上で予備帯電された領域の境界が像となって現れてしまい、正しい検査ができなかった。また、予備帯電は検査と同時に行われるため、照射時間を長くする必要がある場合、ステージの移動速度を遅くせざるを得ず、検査速度が遅くなってしまっていた。
【解決手段】予備照射のビーム源とウェハとの間に、そのサイズが可変な開口を設け、その大きさの一辺をウェハのチップ列の幅と等しくなるように設定し、かつ、チップ列と垂直方向へのウェハの動きに合わせて、開口も移動するように制御する。また、ステージの移動速度を遅くすること無く、ウェハの検査時のステージ移動途中に十分なビーム照射ができるように、その開口をチップ列と平行な方向に大きくするよう設定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】 偏光を使用した欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】 表面を検査する装置は、調整可能な偏光を有する照射ビームで表面を照射するように適応される照射光学系を備えている。この装置は、更に、配向を有する各分析器に各々関連され、表面上の照射エリアから分析器を経て受け取った光に応答して信号を発生するように適応される少なくとも１つの検出器を備え、少なくとも１つの検出器の１つは、照射エリアからの散乱光を受け取るように適応される。又、この装置は、照射エリアを照射するように照射光学系を向け、それにより少なくとも１つの検出器に発生される較正信号に応答して、調整可能な偏光、及び各検出器の各分析器の配向を設定するように適応されるコントローラも備えている。 （もっと読む）

【課題】 外部からの雑音を減らして精度の高い非破壊検査を可能とする。
【解決手段】 電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）