【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ１，Ｆ２が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ３〜Ｆ６（図中、点線で示す）が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所（欠陥箇所Ｆ６，Ｆ３）を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 （もっと読む）

【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部１４が周期的に形成された半導体ウェハ１０の検査装置であって、半導体ウェハ１０の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向３１に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置２２と、照明装置２２から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ１０からの光を受光する検出器２３と、半導体ウェハ１０と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ２１と、を備えた検ものである。 （もっと読む）

【課題】被検査物の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物２の表面の凹凸パターンのサイズ変動を検査するマクロ検査装置１００である。マクロ検査装置１００は、被検査物２を乗せるためのステージ１と、被検査物２の表面に対して所定の角度方向から被検査物２側に光を照射する拡散光源５と、被検査物２の表面からの反射光を受光可能なラインセンサ９と、被検査物２とラインセンサ９との間に設けられ、反射光のうち拡散光源５のエッジ部からの光束に起因する反射光束が、ラインセンサ９の両端の少なくとも一方に設けられた所定領域でのみ受光されるように、反射光をラインセンサ９に導くための光学系と、を備える。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】欠陥検出の精度を向上させることのできる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】ウェハ上に欠陥があるか否かを検査する第１の欠陥検査処理（ステップＳ１１）を実行した後、その第１の欠陥検査処理にて検出された欠陥により、不良チップを判定する（ステップＳ１２，Ｓ１３）。続いて、不良チップを除いて、その不良チップに隣接するチップに欠陥があるか否かを、第１の欠陥検査処理よりも検査感度を上げて検査する（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題がある。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエーハ等の表面欠陥検査装置において、前方散乱光を高感度で検出し、正反射光をも同時に高感度検出可能とすることで、欠陥捕捉率の高い高効率の欠陥検査を実現。
【解決手段】前方散乱光検出手段２０は、ベアウエーハ１の前方散乱光を受光する光学系であり、照明手段１０よりベアウエーハ１に照射された検査光３による欠陥２からの散乱光を受光する検出レンズ２１と全反射ミラー２２とで構成され、その中央部（検査光入射平面と直行した方向）で分割した特徴を持つ。この全反射ミラー２２で側方に分離された前方散乱光は光電変換素子２３で検出され、中央の分割領域を直通する正反射光７は正反射光検出手段３０で検出されるので、前方散乱光と正反射光とで互の影響を抑制しつつ同時に検出することできる。 （もっと読む）

【課題】装置コストの上昇、及びスループットの低下を抑えつつ、荷電粒子線装置に搭載される光学式顕微鏡のフォーカス合わせを精度良く行うことが可能な装置を提供する。
【解決手段】予め測定された光学式顕微鏡のフォーカスマップを基に多項式近似式を作成し、その時のウエハ高さ情報と、実際の観察時におけるウエハ高さ情報との差分を前記多項式近似式に加算した制御量を光学式顕微鏡のフォーカス制御値として入力する。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅の測定精度を向上させた表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０２）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０３）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０４）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅を求める演算ステップ（Ｓ１０５）とを有し、演算ステップでは、瞳面における対角線上の瞳内位置および対角線外の瞳内位置での階調値から、繰り返しパターンの線幅を求める。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上の欠陥の誤検出を抑制する欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの表面全体に照射光を走査し、該照射光の散乱強度にて前記ウェーハの表面上の欠陥をＬＰＤとして検出するに当たり、散乱強度に関して初期値を設定し、該初期値の下でＬＰＤの数を検出し、該検出数が基準値以下であれば初期値を閾値とする一方、検出数が基準値を超える場合は、初期値を増加させてＬＰＤの検出を繰り返し、ＬＰＤの数が基準値以下となった際の当該初期値を閾値とし、次いで、該閾値の下でＬＰＤの数の検出を繰り返し行い、ウェーハ表面への照射光の散乱強度が閾値以上であり、かつウェーハの同一位置にて２回以上検出された、ＬＰＤの数および位置を以て、ウェーハにおける欠陥の数および位置を判定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハで検出された欠陥の座標を適正に変換する。
【解決手段】ウェハ端部の表面画像を取得し（ステップＳ１）、取得された表面画像を用いて、ウェハ端部の欠陥を、そのウェハに設定されている第１原点からの座標によって検出する（ステップＳ２）。更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。そして、検出されたその一のスクライブラインに基づき、ウェハ端部の欠陥の、第１原点からの座標を、ウェハ上の複数のスクライブラインに設定されている第２原点からの座標に変換する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低いパターンと信頼性の高いパターンを均一に評価されるため、パターンマッチングの成功率が低い場合がある。
【解決手段】パターンマッチングに使用するデザインパターン又はデザインテンプレートのパターンに重みを付し、信頼性の低いパターンの領域と信頼性の高いパターンの領域を重みにより区別可能にする。 （もっと読む）

【課題】
試料全面を短時間で走査し、試料に熱ダメージを与えることなく微小な欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】
試料を回転可能なテーブルに載置して回転させ、この回転している試料にレーザ光源から発射されたパルスレーザを照射し、このパルスレーザが照射された試料からの反射光を検出し、この検出した試料からの反射光を検出し、この検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法において、回転している試料にレーザ光源から発射されたパルスレーザを照射することを、このレーザ光源から発射されたパルスレーザの１パルスを複数のパルスに分割し、この分割したそれぞれの分割パルスレーザを試料上の異なる位置に照射することにより行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ビア、例えばＴＳＶの中のボイドのような故障を検出するために熱画像を調べる装置、方法を提供する。
【解決手段】制御された量の熱が光ビームを用いてスタックダイ中に注入され、伝搬された熱は、ダイの反対側からＬＩＴカメラで測定される。得られた熱画像は、既知のスタックレイヤからの位相シフトを較正するのに用いられるよう、またはスタックダイ中の欠陥を特定するのに用いられるよう、その特性が得られる。本プロセスは、将来のテストのためのレファレンスを生成するために、スタックの中のそれぞれのダイについて繰り返され得る。 （もっと読む）

【課題】静電解析装置、静電解析方法、及び半導体装置の製造方法において、解析時の空間分解能を向上させること。
【解決手段】半導体装置３に電子線EBを照射し、半導体装置３の周囲に静電界Eを発生させるステップP1と、半導体装置３の表面から間隔をおいてセンサ１３を配し、半導体装置３とセンサ１３とを相対的に移動させることにより、センサ１３により静電界Eの強度の空間分布を取得ステップP2と、上記の空間分布を画像化することにより、静電界Eの画像IM_Eを作成するステップP3とを有する解析方法による。 （もっと読む）

【課題】空間フィルタの設定には、オペレータの目視によるスキャン画像の確認と空間フィルタの調整の繰り返し作業が必要とされる。また、設定状態がオペレータに依存する。
【解決手段】散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）を同時に観察すると共に、散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）の各強度プロファイルを同時に監視する。１本の空間フィルタだけを回折光の像の視野範囲でスキャンし、空間フィルタを挿入しない場合の強度プロファイルに対する状態変化を検出する。検出された状態変化に基づいて空間フィルタの設定条件を決定する。 （もっと読む）