検査装置
【課題】従来技術では、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題がある。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップや液晶製品を製造する際の薄膜基板，半導体基板，フォトマスク等に存在する異物や欠陥等の異常を検出する検査装置、及び方法に関する。また、それらの異常を分析して対策を施す検査装置、及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、半導体基板（ウェハ）上に異物が存在すると配線の絶縁不良や短絡などの不良原因になる。さらに半導体素子の微細化に伴い、より微細な異物がキャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。これらの異物は、搬送装置の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料に混入していたものなど種々の原因により種々の状態で混入される。
【０００３】
同様に液晶表示素子の製造工程においても、上記異物によりパターン欠陥が生じると、表示素子として使えないものになってしまう。
【０００４】
また、プリント基板の製造工程においても同様の状況であって、異物の混入はパターンの短絡，不良接続の原因となる。
【０００５】
このような背景の下、半導体製造においては、各製造ライン毎に異物検査装置を場合によっては複数配置し、上記異物の早期発見による製造プロセスへのフィードバックにより半導体製造の歩留まり向上を図っている。
【０００６】
従来のこの種の半導体基板上の異物を検出する技術の１つとして、特開昭６２−８９３３６号公報（特許文献１）に記載されているように、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の検査結果と比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ高信頼度な異物及び欠陥検査を可能にするものが開示されている。
【０００７】
また、特開昭６３−１３５８４８号公報（特許文献２）に開示されているように、半導体基板上にレーザ光を照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、この検出した異物をレーザフォトルミネッセンスあるいは２次Ｘ線分析（ＸＭＲ）などの分析技術で分析するものが知られている。
【０００８】
また、ウェハ上に形成された回路パターンに対して該回路パターンの主要な直線群に対して４５度傾けた方向から照射して主要な直線群からの０次回折光を対物レンズの開口内に入射させないようにした異物検査装置が、特開平１−１１７０２４号公報（特許文献３）において知られている。
【０００９】
また、異物等の欠陥検査装置およびその方法に関する従来技術としては、特開平１−２５０８４７号公報（特許文献４），特開２０００−１０５２０３号公報（特許文献５）が知られている。特許文献５には、検出光学系を切り換えて検出画素サイズを変えることが記載されている。
【００１０】
異物のサイズ測定技術としては、特開２００１−６０６０７号公報（特許文献６）が開示されている。
【００１１】
その他の先行技術としては、特許文献７−１２が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開昭６２−８９３３６号公報
【特許文献２】特開昭６３−１３５８４８号公報
【特許文献３】特開平１−１１７０２４号公報
【特許文献４】特開平１−２５０８４７号公報
【特許文献５】特開２０００−１０５２０３号公報
【特許文献６】特開２００１−６０６０７号公報
【特許文献７】特開２００７−２３２５５５号公報
【特許文献８】特開２００６−２６７０２２号公報
【特許文献９】特開２００４−１７７３７７号公報
【特許文献１０】特開２００８−００４６３８号公報
【特許文献１１】米国特許第７４３６５０３号公報
【特許文献１２】米国特許第７３９７５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記先行技術では、繰り返しパターンや非繰り返しパターンが混在する基板上の微細な異物または欠陥を、高感度で、かつ高速に検出することは容易にできなかった。すなわち、上記先行技術では、例えば、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題があった。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンからの回折光に対応した遮光パターンを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、前記薄膜に前記遮光パターンを形成するための形成装置を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明は、前記遮光パターンは蛍光体であることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、前記遮光パターンは濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明は、被検査対象基板上に存在するパターンからの回折光を遮光するために対物レンズのフーリエ変換面に設置している空間フィルタを透明基板上に遮光部を形成する構成とすることにより、パターンからの回折光のみを遮光し、それ以外を通過する欠陥散乱光の遮光を最小限に抑える装置構成としたことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、被検査対象基板上に照射される照明光の照明幅を光路途中に配した濃度フィルタで調節してレンズ開口でのケラレによる照明光の不具合（サイドローブ発生）を防止することにより迷光を低減させ、微小欠陥を効率的に検出できるように制御する構成を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、例えば、検査対象が非繰り返しパターンを備える場合であっても、高感度な検査を行うことが可能となる。
【００２１】
例えば、本発明によれば、空間フィルタの遮光部を任意に変更できることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】欠陥検査装置の概略構成図である。
【図２】照明光学系の配置関係，低角度照明光学系の概略構成、及び照明領域と検出領域の関係を示す図である。
【図３】照明光学系に用いられている円錐曲面レンズ及び円筒レンズの斜視図である。
【図４】欠陥検査装置の全体動作説明図である。
【図５】オリフラ検出光学系，端面検査装置の配置を示す側面図である。
【図６】空間フィルタの全体動作説明図である。
【図７】空間フィルタの説明図である。
【図８】空間フィルタ製作ステーションの配置図である。
【図９】空間フィルタ作製動作を説明するための図である。
【図１０】空間フィルタの別の実施例を示す図である。
【図１１】線状照明の光学系の概略構成を示す図である。
【図１２】照明光の適正光学系の木戸分布を示す図である。
【図１３】信号処理系の詳細な構成を示すブロック図である。
【図１４】信号処理系の画素マージ回路の説明図である。
【図１５】信号処理系で凸欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１６】信号処理系で凹欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１７】観察光学系を付けた欠陥検査装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２４】
まず、本発明に係る欠陥検査装置の実施の形態について具体的に説明する。なお、以下の実施の形態では、半導体ウェハ及び該ウェハ上に形成された透明膜上の小／大異物やマイクロスクラッチおよび、透明膜中の異物やパターン欠陥等の欠陥（異常）を検査する場合について説明するが、半導体ウェハに限らず、薄膜基板やフォトマスク，ＴＦＴ，ＰＤＰ等にも適用可能である。
【実施例１】
【００２５】
図１に、第１の実施例に係る物体表面の欠陥検査装置の構成を示す。本欠陥検査装置は、大きくは、照明光学系１０，検出光学系２０，搬送系３０，信号処理回路４０及び欠陥検査装置全体を制御する全体制御部５０によって構成される。
【００２６】
搬送系３０は、様々な品種や様々な製造工程から得られるウェハ等の被検査対象基板１を載置台３４に載置，移動させるＸステージ３１−１，Ｙステージ３１−２，Ｚステージ３２，θステージ３３と、これらを制御するための駆動回路３５とを備えている。
【００２７】
照明光学系１０は図２の如く、レーザ光源１１，シャッタ５８，ビーム拡大光学系１６，ミラー２６０〜２６８，レンズ２３１〜２３３，波長板２１１〜２１３を備え、レーザ光源１１から射出された光を、ビーム拡大光学系１６である大きさに拡大後、ミラー，波長板，レンズ等を介して、斜め複数方向からウェハ１表面上に照明する。
【００２８】
検出光学系２０は、対物レンズ２１，空間フィルタ２２，結像レンズ２３，光学フィルタ２５，ミラー９０，ＴＤＩイメージセンサ等の光検出器２６を備えて構成されている。
【００２９】
信号処理回路４０は、光検出器２６で検出された画像信号を処理して欠陥，異物を検出する。
【００３０】
観察光学系６０は、対物レンズ６１，ハーフミラー６２，チューブレンズ６５，照明光源６３及び撮像手段６４を備え、照明光源６３から出射した光をハーフミラー６２で反射して光路をウェハ１の方向に曲げ、対物レンズ６１で集光させてウェハ１の表面を照明する。ウェハ１で反射，散乱した光のうち対物レンズ６１に入射した光は、ハーフミラー６２を透過して撮像手段６４の受光面に結像する。観察光学系６０はウェハ１を検出光学系２０で検査して得られた検査結果に基づいて異物の有無，形状を確認するものであり図示しない倍率可変手段を備えている。
【００３１】
全体制御部５０は、検査条件などを設定し、上記照明光学系１０，検出光学系２０，搬送系３０および信号処理回路４０の全体を制御する。全体制御部５０には、入力出力手段５１（キーボードやネットワークも含む），表示手段５２，記憶部５３が設けられている。５５は被検査対象基板１の表面に形成されている回路パターンなどの設計データが格納されている記憶手段（サーバ）であり、設計データから空間的な光学像を形成することができる。
【００３２】
なお、この欠陥検査装置には、ウェハ１の表面の像を光検出器２６の受光面に結像させるように自動焦点制御系（図示せず）を備えており、検査中、光検出器２６の配列画素２０３は線状照明領域２０１内に含まれるよう制御される。
【００３３】
本検査装置では、複数の方向から被検査対象基板１の表面に照明可能な構成になっており、シャッタ５８は検査中にレーザ光Ｌ０が被検査対象基板１表面への照射の有無で開閉するようになっている。すなわち、レーザ光が被検査対象基板１表面以外に照射される場合は閉じて、後方の光学素子にレーザ光を導かないよう制御される。照明光学系１０としては、特開２０００−１０５２０３号公報に記載されているように、図２（ａ）に示す如く、レーザ光源１１から射出された光Ｌ０を、例えば図示しない凹レンズおよび凸レンズ等から構成されるビーム拡大光学系１６，スリット状ビームに成形するレンズ１４，ミラー２５５等で構成され、レーザ光源１１から出射された光Ｌ０をスリット状（線状）ビーム２００に成形してウェハ１にスリット状の照明領域２０１を形成するものである。
【００３４】
本実施例による検査装置では、単波長のレーザビームでウェハ１の表面を低角度（低い入射角度）で照明するための構成として、図２（ｂ）に示す如く、スリット状ビーム２００（ウェハ１のスリット状の照明領域２０１に照射する光、以後、この光をスリット状ビームと記載する）を平面的に複数の方向（図２（ｂ）においてはレーザ光Ｌ１〜Ｌ５）、及び複数の照明角度（図２（ｂ）におけるα，β，γ，δ）にて、載置台（ウェハチャック）３４上に載置されたウェハ１に照射するように構成されている。
【００３５】
ここで、照明光をスリット状ビーム２００にするのは、照明により発生する異物や欠陥からの散乱光の像を、光検出器２６の一列に配置した受光素子の検出面上に結像させて、一括して検出することにより、異物検査の高速化を図るためである。
【００３６】
すなわち、ウェハ１上に形成されたチップ２０２の配列方向がＸステージ３１−１の走査方向およびＹステージ３１−２の走査方向に対して平行になるようにθステージ３３を駆動して載置テーブル３４上に載置されたウェハ１の向きを調整し、この向きを調整したウェハ１上にスリット状ビーム２００を照射する。
【００３７】
このスリット状ビーム２００が照射されるウェハ上のスリット状の照明領域２０１の形状は、Ｘ方向に集光してＹ方向に平行光となるように構成された光学系により、Ｘステージ３１−１の走査方向Ｘに直角（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＸステージ３１−１の走査方向Ｘに直角）、Ｙステージ３１−２の走査方向Ｙに平行（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＹステージ３１−２の走査方向Ｙに平行）、また光検出器２６の画素配列２０３方向とも平行になるよう光軸が調整されているものである。これは画像信号のチップ間比較を行う際に、ウェハ１上に配列されたチップ２０２のチップ間の位置合わせが容易に行える効果を奏する。このスリット状の照明領域２０１は、図３に示すように光路中に例えば円錐曲面レンズ１４を設けるかまたは円筒レンズ２３２を設けることにより形成することができる。一例として、ここでレンズ２３１及２３３は、図３（ａ）に示すように、長手方向の曲率半径が連続的に変化するような円錐曲面レンズであり、水平方向角度φ方向からＹステージ３１−２の走査方向に対してウェハ１上に照射されるスリット状ビーム２０１の長軸方向が平行になるようにしている。
【００３８】
すなわちここで、レーザ光Ｌ１及びＬ３による照明では、ウェハのＹ軸方向に対して、時計回り，反時計回りに角度φ回転し、かつＺ軸方向に角度α傾斜した方向（図２（ｂ）では、Ｌ３からの照明光がミラー２６５で反射されてレンズ２３３を透過してミラー２６８に到る光路と、ミラー２６８からウェハ１のスリット状ビーム２００の照射領域２０１までの光路とが重なって表示されている）からそれぞれスリット状に成形されたレーザ光をウェハ１上に照射する。
【００３９】
また、レーザ光Ｌ２による照明は、例えば図３（ｂ）に示す円筒形レンズ２３２により、ウェハのＹ軸に対して、角度γ傾斜した方向から、Ｙステージ３１−２の走査方向と同方向にスリット状ビーム２００の照射領域２０１−２を形成する構成となっている（円筒形レンズ２３２は、Ｙ軸に対して傾斜して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−２がウェハ１上に集光するように配置されている）。
【００４０】
また、レーザ光Ｌ４（Ｌ５）による照明は、例えば図３（ｃ）に示すレンズ２３４（２３５），ミラー２６９，２７１（２７０，２７２）により、ウェハのＹ軸に平行で、Ｚ軸方向に角度δ傾斜した方向から、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−４（２０１−５）を形成する構成となっている。この場合、レンズ２３４の曲率面はＹ軸に対してＸ方向には左右非対称な球面形状となっている（スリット状ビーム２００の照射領域２０１−４（２０１−５）の集光方向がＸ方向に長くならないように若干の球面収差を与えている）。
【００４１】
また、全体制御部５０からの指令に基づいて、図２（ａ）に示すように、ミラー２５５の角度θを図示していないパルスモータ等の駆動手段で変えることにより、照明角α（β，γ，δ）を例えば被検査対象基板１上で検査対象とする異物の種類によって変えられる構成になっている。図２（ｃ）に示すように、いかなる照明角の場合でもスリット状ビーム２００の照射領域２０１は、光検出器２６の画素配列２０３をカバーし、また、レーザ光Ｌ１〜Ｌ５による照明であっても、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−１〜２０１−５はウェハ１上で一致するよう構成されるものである。
【００４２】
これにより、Ｙ方向に平行光を有し、かつφ＝４５度付近の照明を実現することができる。特に、スリット状ビーム２００をＹ方向に平行光にすることによって、主要な直線群がＸ方向およびＹ方向を向いた回路パターンから発する回折光が空間フィルタ２２によって効率的に遮光されることになる。ここで空間フィルタ２２は、図１に示すように、検出光学系２０の光路中に、検査中はＹ方向に退避可能なミラー９０と、投影レンズ９１，ＴＶカメラ９２からなる瞳観察光学系７０を用いて、フーリエ変換の結像位置における繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点を撮像し、処理回路９５により処理してこの輝点をフーリエ変換の結像位置に設けた複数の遮光部を有する空間フィルタで遮光するように調整されるものである。
【００４３】
これらの動作は、全体制御部５０からの指令に基づいて駆動回路２７からの信号により行われるが、例えば、被検査対象基板１上に形成された回路パターンが高密度の場合は高倍率での高感度検査モードとし、回路パターンが低密度の場合は低倍率にして高速検査を行う等、ステージ上に載置される被検査対象基板１の表面情報、製造プロセスにあわせて微小欠陥を多く検出するように照明，検出条件を設定するものである。
【００４４】
なお、レーザ光源１１としては、例えばＹＡＧ第２高調波の波長５３２ｎｍの高出力レーザや第４高調波の２６６ｎｍを用いても良く、また、紫外，遠紫外あるいは真空紫外光レーザでも良く、またＡｒレーザや窒素レーザ，Ｈｅ−Ｃｄレーザやエキシマレーザ，半導体レーザ等の光源であっても良い。また、高輝度ＬＥＤを用いても良いが、同様の機能を得るには、光学系に改良が必要である。
【００４５】
一般的には、照明波長を短波長化することにより、検出系の解像度が向上するため、高感度な検査が可能となる。
【００４６】
次に本発明における欠陥検査の動作の一例について図４により説明する。図４において、５００は欠陥検査装置、８５はウェハを収納するウェハカセット、８０は搬送ロボット、８２はウェハをつかんで搬送するための搬送アーム、３４０はウェハのオリフラ検出部、３５０はオリフラ検出光学系、３００はウェハのエッジ部の欠陥を検出する端面検査装置、３４５はウェハ表面の欠陥を検出する欠陥検査装置である。被検査対象基板であるウェハ１は、搬送アーム８２でウェハカセット８５から取り出され、オリフラ検出部３４０に搬送される。図５はオリフラ検出部３４０を、図４のＹ方向から見た断面図である。ウェハ１は、チャック３５３に真空吸着され、モータ３５４により回転する。オリフラ検出光学系３５０は、例えば投光部３５１と検出部３５５から成り、投光部３５１からの照明光３５２を受光して、検出部３５５の受光信号が処理回路３５６を介して全体制御部５０に送られる。全体制御部５０は、ウェハ１の偏芯量とオリフラ（Ｖノッチ）位置を算出し、コントローラ３５７を介してＹ軸に対するオリフラの補正信号をモータ３５４に送る。また、偏芯量は搬送ロボットが欠陥検出部３４５の搬送系３０にウェハ１を設置する際に補正値として搬送アーム８２の移動値にフィードバックされ、ウェハ１が欠陥検出部３４５の載置台３４の中央に位置合わせされる。一方、ウェハ１が回転している間、端面検査装置３００はウェハ１の端面部（エッジ部）の欠陥検査を行う。検出された信号は処理回路３０１で処理されて欠陥信号が全体制御部５０に送られる。欠陥が検出された場合、オリフラの位置を原点位置として、モータ３５４に連結された図示していないロータリーエンコーダのパルスカウントから回転方向の座標位置が全体制御部５０に記憶される。
【００４７】
欠陥検査においては、ウェハ１表面の微細な欠陥を高速に検査する必要があり、且つ、欠陥検査部３４５の載置台３４に載置されたウェハ１の表面には色々な欠陥種が存在し、欠陥検査においては、より多くの欠陥種を安定して検出することが要求される。このため、検出する欠陥種に合わせた検査条件を設定する必要がある。本欠陥検査装置では、照明の方向、角度を欠陥種に合わせて変更可能な構成とし、かつ一定の検査条件で検査できるような装置構成としている。例えば、欠陥検査装置内において光路中にミラー３２０と測定系３１０を配して照明光量測定を行うことにより、光路中に配したミラーやフィルタなどの光学素子の透過率低下等の不具合を監視している。もし、光学系の光路中に配したミラー，フィルタなどの光学素子に不具合箇所が発見された場合は、光学素子を一次元または二次元方向に移動して不具合箇所を光が通過しないようにしている。一例として、ＮＤフィルタや偏光子が設けられた光学ユニット１４０をモータ１２２，送りネジ１２３とリニアガイド１２４によって、図２（ｂ）の如くレーザ光Ｌ０の光軸に対して垂直方向（Ｙ方向）に移動して照明ビームの照射される位置を変更、且つ、移動によって光軸が変化しないような構成になっている。なお、光学素子の移動量は、予め照明ビームＬ０のビーム径より算出され、損傷部分と干渉しない程の移動量が全体制御部５０からの指令により設定されるが、移動箇所がなくなった場合は、新規光学素子と交換されることになる。この場合、予備の光学ユニットと交換、あるいは光学ユニットにもう一式同様の光学素子を設置し、モータと送りネジでリニアガイド上を移動させて切り換える構成にしてもよい。
【００４８】
ところで、高集積の半導体基板上の微細欠陥を高速検出するためには、高輝度の照明ビームをウェハ１上に照射し、回路パターンからの回折光を遮光して欠陥から発生する散乱光を効率よく検出する必要がある。このため、光検出器２６の画素配列に対して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１がウェハ１上で一致し、検査中は検出光学系２０の物体焦点に対して、ウェハ１の表面が一定高さになるように記述していない自動焦点系により制御されるため光検出器２６の画素配列に対して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１はウェハ１上で一致した状態が保持される。このため、ウェハ上のメモリセル部の繰り返しパターンからの回折光は、対物レンズ２１の後側焦点位置（フーリエ面）で空間フィルタ２２で遮光され、欠陥からの散乱光のみが空間フィルタ２２を通過して光検出器２６に到達する。
【００４９】
ここで空間フィルタは、図６（ｃ）に示すように、収縮自在のバネに均等間隔で矩形断面のロッドが複数本設置されている構成となっている。同図（ａ）（ｂ）は空間フィルタの間隔（Ｐｘ）を、対物レンズ２１のフーリエ面に形成される繰り返しパターンからの回折光５０７の間隔に合わせて設置するための機構の一例を示すものである。すなわち、矩形ロッド５０３および、遮光幅の異なるロッド５０４が複数本設置されたバネ７１５，７１６の両端を支持バー７１０ａ，７１０ｂで支持し、モータ７３５，送りネジ７３０でリニアガイド７２２上をスライドさせて支持バー７１０ａ，７１０ｂをＸ方向に開閉して各ロッド５０３の間隔がＰｘとなるように設定する構成になっている。対物レンズ２１のフーリエ面の瞳径５０１に対して、空間フィルタ２２全体を位置決めするために、Ｘ方向には、モータ７２６，送りネジ７３７，リニアガイド７２８で、Ｙ方向には、モータ７３５，送りネジ７３０，リニアガイド７３２でそれぞれ位置合わせ可能になっており、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、移動量が全体制御部５０からの指令により設定されるようになっている。なお、空間フィルタ２２は、上記同様な機構構成でＸＹ方向に直交して配置されている。
【００５０】
また、空間フィルタとして図１０に示す如く、四角形枠（または円形枠、これらは例えば開口を有する板と表現することができる）の上面に複数のＶ形の溝を設け、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、複数の小径ロッド８０７を配列し、（ｂ）の如く押え板８１０で固定して空間フィルタ８００として使用することも考えられる。この場合、Ｖ溝の深さはロッド８０７を押え板８１０で固定できるようにピッチＰと溝の深さに基づいて決定される。また、（ｃ）に示すように、回転軸８０８に対して遮光部８０９の断面を楕円形状にし、超音波モータ等を駆動源としたアクチュエータ８１１で任意に回転させ、異なった遮光幅を有する空間フィルタを形成することも可能である。また、遮光部分には回路パターンからの高輝度な光が照射されるため、これらが対物レンズ２１のレンズ表面とで多重反射し迷光となって欠陥検出に悪影響を及ぼすことも考えられる。このため、（ｄ）のようにロッドの表面に溝８１２を形成したり、（ｅ）のように針状の微小突起８１３をエッチング等を用いて形成することにより反射光を低減するような構造にすることが好ましい。また、任意の位置にロッドを配列するほかの方法として、磁性流体をＶ溝に塗布して金属ロッドを固定しても良い。
【００５１】
本実施例１では、このロッド８０７をＶ溝８１２間を移動させることで遮光パターンの粗調整を行い、ロッド８０７自体を回転させることで微調整を行うことが可能となる。
【００５２】
本実施例１では、このロッド８０７等の遮光材の間隔をそれぞれ異なるように設定することができる。
【００５３】
本実施例１では、従来よりも高感度な検査が可能となる。
【実施例２】
【００５４】
次に実施例２について説明する。
【００５５】
実施例１の上記構成の空間フィルタは、対物レンズ２１のフーリエ面の瞳径５０１がある程度大きい口径には設置可能であるが、例えば、小径（例えば１０mm以下）のフーリエ面の瞳径５０１については、機構が複雑なため設置できないことも考えられる。
【００５６】
これを解決するために、本実施例２では、可動機構を持たない空間フィルタを設置することを考案した。すなわち、欠陥検査装置内に空間フィルタ製造ステーションを設けて、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、パターン回折光を遮光するように遮光部が配置された空間フィルタ６８０を作製し、フーリエ面に位置決め、設置するようにした。
【００５７】
本実施例２は、図７（ａ）に示すように、円形（又は正方形）の枠６０１上に、検出光学系２０の検出性能に影響されない膜厚の透明膜６１０（例えば異物付着防止膜）が形成されたフィルタ用基板６００に対して、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２で検出したフーリエ変換面の検出画像に基づいて、図７（ｂ）のように回路パターンの回折光の輝点の配置と相対的に同配置となるように、透明膜６１０の表面に遮光部５１０を印刷し、空間フィルタとして用いるものである。
【００５８】
次に本実施例２における空間フィルタ６８０を作製する動作の一例について図８及び図９を用いて説明する。
【００５９】
図８において、５００は欠陥検査装置、６６０はフィルタ用基板６００と、フィルタ用基板６００に遮光部を形成した空間フィルタ６８０を収納するカセット、６３０は搬送ロボット、６３２は枠６０１を保持して搬送するための搬送アーム、６５０はフィルタ用基板６００の透明膜６１０上に遮光パターン５１０を形成すための印刷装置である。フィルタ用基板６００は収納カセット６６０から搬送アーム６３２で取り出され、印刷装置６５０の下部の回転ステージ６４２に載置される。６４３はフィルタ用基板６００の枠６０１の円周端部に設けられた位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂを検出するための位置検出部であり、フィルタ用基板６００が回転している間、検出信号は処理回路６４４を介して全体制御部５０に送られ、検出された位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂの回転位置は検出光学系２０のフーリエ変換面設置時の位置情報として記憶される。全体制御部５０は瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２から得られる対物レンズ２１のフーリエ変換の結像位置における繰り返しパターンからの反射回折光像から輝点の位置座標と面積を算出し、印刷装置と、Ｘステージ６４０−１及びＹステージ６４０−２をコントローラ６４１を介して制御し、フィルタ用基板６００の透明膜６１０の表面に遮光パターン５１０を全面に亘って形成する。印刷は繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点より数十パーセントの余裕度を見込んで若干、大きめに印刷される。余裕度は入力出力手段５１から任意に設定でき、また、印刷は同一ウェハ上の他の検査領域のパターンの遮光部も、予め取得したＴＶカメラ９２の画像を用いて同時に印刷することができる。印刷完了後は搬送アーム６３２で取り出され検出光学系２０のフーリエ変換面に設置されるが、図６のように支持バー７１０ａ，７１０ｂに、図示しない位置決めプレートを設けて、位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂで位置決めした後、固定しても良い。ここで、透明膜６１０は検査波長に応じたものが適用される。
【００６０】
また、透明膜６１０の膜厚は検出光学系２０の性能を劣化させない膜厚（例えば薄膜、より具体的には、光学的に透明であり、十分に薄い薄膜）とし、波長の整数倍とすることで、パターン回折光の透明膜６１０の表裏面での反射光の欠陥検出への影響を防止する効果が考えられる。
【００６１】
また、遮光パターンを蛍光体で形成すれば回折光の影響を低減することもできる。例えば、この場合の蛍光体は、基板からの散乱光を受けてこの散乱光の波長とは異なる波長の光を発生させるものであると表現することができる。
【００６２】
また、透明膜６１０の遮光パターンに濃度勾配をつければ検出する光の強度プロファイルに含まれるサイドローブの影響を低減することができる。例えば、この濃度勾配は、検出する光の強度ガウスプロファイルに対応している。より具体的には、この濃度勾配は、このガウスプロファイルのある高さ以下のものを消すような関数となっている。さらに、この関数によるサイドローブの打ち消し方は、非常に滑らかな打ち消し方であることが望ましい。併せて、上記の透明膜６１０は照明光学系に用いることもできる。その場合、濃度勾配は、照明光学系の照明ビームのガウスプロファイルに対応させればよい。
【００６３】
本実施例２では、パターン回折光に対応した部分のみを遮光することが可能になる。よって、従来よりもさらに高感度な検査が可能となる。
【実施例３】
【００６４】
次に本検査装置の検査感度を向上すべく、図３（ｂ）に示した照明の別の照明方法について図１１により説明する。
【００６５】
本欠陥検査装置には被検査対象基板１に対して、図３で示した照明系構成により、５方向からの照明を可能にしている。これは、回路パターンからの回折光発生の抑制し欠陥からの散乱光を有効に検出するためや、照明ビームを広げて拡大視野で検査することにより短時間で検査する目的で構成されているものである。しかし、半導体の益々の高密度化により、より高感度での検査が望まれるようになってきている。このため、検出光学系２０を高倍率化し、より最小の検出画素で検査を行うことが必須になってきている。これに合わせて、照明幅も細線化する必要がある。
【００６６】
そこで、本実施例３では、図１１（ａ）の如く、第１の光学系９００ａで集光した後、リレー光学系９００ｂにより、被検査対象基板１に対して投影する構成とした。すなわち、レーザ光源１１から出射された平行レーザ光Ｌ０を、ビームエキスパンダ１６で拡大後、ビーム整形素子９０４，集光レンズ９０３で回折格子９０２上に集光させ、図１１（ｂ）の如く回折格子９０２で回折した光９０５を、レンズ９０１ｂ及びレンズ９０１ａで構成されるリレー光学系９００ｂで被検査対象基板１表面に集光してスリット状ビーム２０１を形成する構成になっている。この構成によれば、第１の光学系９００ａで回折格子８０２上に集光するビームの形状を、リレー光学系９００ｂのリレー倍率を変えることにより、スリット状ビーム２０１のビーム幅を任意に設定することが可能である。また、図１１（ａ）では回折格子上に線照明を行うために、プリズム等のビーム整形素子を用いたが、同図（ｃ）のように円筒レンズにより線照明を形成する構成にしても良い。
【００６７】
また、集光レンズ９０３及び９０５への入射ビーム径は大きい方が、より細く絞れるが、ビームエキスパンダ１６で拡大したレーザ光がレンズの開口で制限された場合、集光ビームのプロファイルを観察した際にサイドローブが発生し、欠陥検出に悪影響を及ぼす。このため、本実施例３では、図１２（ａ）に示す特性の濃度フィルタを光路中に配して、レンズに入射するレーザ光の強度がレンズ開口で急激に低下しないようにしてサイドローブの発生を防止している。本検査装置においては、検査の倍率ごとに検査領域が変化するため、これに合わせて照明幅も変化する。したがって図１２（ａ）に示す濃度フィルタ９５０が数種類必要であるため、同図（ｂ）に示すように円形の回転板９６０に濃度特性の異なるフィルタ９５０ａ〜９５０ｄを配置して図示しない駆動手段により回転させて、切り換える構成にしている。
【００６８】
次に、欠陥検査装置における欠陥検出信号処理について説明する。図１３は、本実施例３の信号処理系の構成を示すものである。ウェハ１表面からの反射回折光を受光して光検出器２６で光電変換された検出画像信号１３００は信号処理回路４０で処理される。信号処理回路４０は、Ａ／Ｄ変換器１３０１，Ａ／Ｄ変換された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０を記憶するデータ記憶部１３０２，上記検出画像信号に基づいて閾値算出処理をする閾値算出処理部１３０３、上記データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））１４２０を基に画素マージ毎に異物検出処理を行うための回路を複数備えた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎ、低角，高角度照明によって検出欠陥から得られた散乱光量や欠陥の大きさ示す検出画素数等の特徴量を算出する特徴量算出回路１３０９、該特徴量算出回路１３０９から得られる各マージ毎の特徴量を基に、欠陥，異物のサイズや種類を分類する統合処理部１３１０から構成されている。
【００６９】
異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの各々は、例えば検出された二次元画像に対して１×１，３×３，５×５，…ｎ×ｎ画素単位で画像処理するためのマージオペレータ１５０４を備えた画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎと、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎおよび、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎとで構成されている。
【００７０】
Ａ／Ｄ変換器１３０１でデジタル化された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０は、データ記憶部１３０２と閾値算出処理部１３０３に送られる。閾値算出処理部１３０３は、検出画像信号から欠陥，異物を検出するための閾値画像Ｔｈ（ｉ，ｊ）１４２０を算出し、画素マージ回路１３０６に出力する。画素マージ回路１３０５，１３０６は、データ記憶部１３０２および閾値算出処理部１３０３から出力された画像信号１４１０，１４２０に対して、ｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能を有し、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路であり、各種マージオペレータ毎に画像処理が行われる。異物検出処理回路１３０７は、画素マージ回路１３０５および１３０６から出力された信号を処理して欠陥，異物を検出する。ここで、画素をマージするのはウェハ１上に存在する大きさの異なる欠陥，異物をそれらのサイズに合った検出画素でＳ／Ｎ良く検出する目的であるが、検出すべき欠陥の形状によっては、必ずしもｎ×ｎの必要はなくｎ×ｍでも良い。
【００７１】
検査領域処理部１３０８は、異物検出処理回路１３０７によって検出された欠陥または異物が存在するチップを特定するための処理を行うものであり、欠陥または異物を検出するため、検出閾値Ｔｈ（Ｈ，Ｌ）と、検証閾値Ｔｈ（Ｈｍ，Ｌｍ）を設けて、異物または欠陥を検出したチップを特定するものである。図１５（ａ）はチップ１７０１，１７０２，１７０３のうち、中央のチップ１７０２に凸形の欠陥１７０４が存在する場合の検出画像例と、断面Ｘ−Ｘでの信号波形を示している。また、図１６（ａ）はチップ１８０１，１８０２，１８０３のうち、中央のチップ１８０２に凹形の欠陥１８０４が存在する場合の検出画像例を示している。図１５（ａ）において、信号１７０６は凸欠陥１７０４の信号を示し、信号１７０５，信号１７０７はチップ内に欠陥が存在しない場合を示している。
【００７２】
図１５（ｂ）は、隣接チップ単位での差分処理結果を示すものであり、差分信号１７１０，１７１１はチップ１７０１，１７０２，１７０３で得られた画像信号の差画像１７０８，１７０９の断面Ｘ′−Ｘ′での信号波形を示している。差分信号１７１０はチップ１７０２の画像信号「Ｂ」とチップ１７０１の画像信号１「Ａ」との差信号（Ｂ−Ａ）であり、差分信号１７１１はチップ１７０３の画像信号「Ｃ」とチップ１７０２の画像信号「Ｂ」との差分信号（Ｃ−Ｂ）である。ここで、検出閾値Ｈ，検証閾値Ｈｍは凸形の差分信号を検出するための閾値であり、検出閾値Ｌ，検証閾値Ｌｍは凹形の差分信号を検出するための閾値である。
【００７３】
図１５（ｂ）において、差分信号１７１０（Ｂ−Ａ）が正の場合、その値が検出閾値Ｈまたは検証閾値Ｈｍよりも大きい場合に異物または欠陥として検出し、また、差分信号１７１１（Ｃ−Ｂ）が負の場合、その値が検出閾値Ｌまたは検証閾値Ｌｍよりも小さい場合（差分値，閾値共に負の値のために符号付の値が小さい場合である。絶対値としては閾値よりも差分値の方が大きい）に異物または欠陥として検出される。
【００７４】
ところで、ウェハ１の外周検査時には隣接チップが存在しなくなる。この場合、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、全体制御部５０から得られる検査座標データを基に上記隣接チップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ｂ）｝から、飛び越えた隣のチップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ａ）｝に切り換えることになる。
【００７５】
検査領域処理部１３０８は、検出された異物信号や閾値画像を検査領域処理部１３０８により、検出場所による処理を施す。同時に、各種マージオペレータ毎に設けられた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの、画素マージ回路１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎ，異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎ，検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎから得られた信号を基に、特徴量算出回路１３０９で特徴量（例えば、高角度照明により得られた散乱光量，低角度照明により得られた散乱光量，欠陥の検出画素数等）を算出し、前記異物信号と前記特徴量を統合処理部１３１０で統合し、統合したデータを全体制御部５０へ送信する。
【００７６】
以下に詳細を述べる。Ａ／Ｄ変換器１３０１は光検出器２６で得られたアナログ信号１３００をデジタル信号に８〜１２ビットで変換する回路であり、データ記憶部１３０２は、Ａ／Ｄ変換されたデジタル信号を記憶しておくための回路である。画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎは、図１４に示す各々異なるマージオペレータ１５０４で構成されている。
【００７７】
マージオペレータ１５０４は、データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる検出閾値画像Ｔｈ（Ｈ），検出閾値画像Ｔｈ（Ｌ），検証閾値画像Ｔｈ（Ｈｍ）、および検証閾値画像Ｔｈ（Ｌｍ）からなる差分閾値画像信号１４２０との各々をｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能であり、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路である。
【００７８】
ここで、画素マージ回路部について、１３０５ａ，１３０６ａは例えば１×１画素を、１３０５ｂ，１３０６ｂは３×３画素を、１３０５ｃ，１３０６ｃは５×５画素を、…１３０５ｎ，１３０６ｎはｎ×ｎ画素をマージする奇数画素のマージオペレータで構成される。例えば、１×１画素をマージするマージオペレータは、入力信号１４１０，１４２０をそのまま出力することになる。
【００７９】
閾値画像信号は、４種の画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））からなるため、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎにおいても上記４種のマージオペレータＯｐが必要となる。従って、各画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎからは、検出画像信号が各種マージオペレータ１５０４でマージ処理してマージ処理検出画像信号４３１ａ〜４３１ｎとして出力されることになる。他方、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎからは、４つの閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））が各種マージオペレータＯｐ１〜Ｏｐｎでマージ処理してマージ処理閾値画像信号４４１ａ（４４１ａ１〜４４１ａ４）〜４４１ｎ（４４１ｎ１〜４４１ｎ４）として出力されることになる。なお、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎ内のマージオペレータは同じものである。
【００８０】
ここで、画素をマージする効果を説明する。異物検査では、微小異物だけでなく、数μｍの範囲に広がった薄膜状の大きな異物も見逃すことなく検出する必要がある。しかし、薄膜状異物からの検出画像信号は、必ずしも大きくならないため、１画素単位の検出画像信号ではＳ／Ｎ比が低く、見逃しが生じることがある。このため、薄膜状異物の大きさに相当するｎ×ｎ画素の単位で切出して畳み込み演算をすることによってＳＮ比を向上させるようにしている。
【００８１】
次に、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎについて説明する。検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎからチップを特定して得られる異物又は欠陥検出信号に対して、検査不要領域（チップ内の領域も含む）のデータ除去や、検出感度を領域（チップ内の領域も含む）毎に変える場合や検査領域を選択する場合に用いる。
【００８２】
検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、例えば、被検査対象基板１上の領域のうち、検出感度が低くても良い場合には、閾値算出処理部１３０３から得られる該当領域の閾値を高く設定しても良いし、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎから出力される異物のデータから異物の座標を基にして検査したい領域の異物のデータのみを残す方法でも良い。
【００８３】
ここで、検出感度が低くする場合は、例えば、被検査対象基板１において回路パターンの低密度の領域であり、回路パターンが高密度領域では、高感度検査によりデバイス製造の歩留りを向上することができる。
【００８４】
しかしながら、被検査対象基板１上の全領域を同一感度で検査した場合、重要な異物と重要でない異物が混じるために、重要な異物を容易に抽出することができない。そこで、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、チップ内のＣＡＤ情報または閾値マップ情報に基づいて、回路パターンが存在しないような、歩留りにあまり影響しない領域の検出感度を低くすることにより、効率良く重要異物を抽出することができる。ただし、異物の抽出方法は、検出感度を変更する方法だけでなく、後述する異物の分類により、重要異物を抽出しても良いし、異物サイズを基に重要異物を抽出しても良い。
【００８５】
次に、特徴量算出回路１３０９について説明する。この特徴量とは、検出された異物や欠陥の特徴を表す値であり、特徴量算出回路１３０９は、前記特徴量を算出する処理回路である。特徴量としては、例えば、照明角α，β，γを変えた高角度照明及び低角度照明によって得られた異物又は欠陥からの反射回折光量（散乱光量），検出画素数，異物検出領域の形状や慣性主軸の方向，ウェハ上の異物の検出場所，下地の回路パターン種類，異物検出時の閾値等がある。
【００８６】
次に、統合処理部１３１０について説明する。統合処理部１３１０では、画素マージ回路１３０５，１３０６で並列処理された異物検出結果を統合したり、特徴量算出回路１３０９で算出した特徴量と異物検出結果（異物欠陥の位置情報）を統合し、全体制御部５０に結果を送る機能を有する。この検査結果統合処理は、処理内容を変更し易くするためにＰＣ等で行うのが望ましい。
【００８７】
一方、ＴＶカメラ９２で撮像した検出光学系２０のフーリエ変換像の結像位置におけるウェハ１に形成された繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、信号処理回路９５に送られる。信号処理回路９５には、Ａ／Ｄ変換器，画像データ処理部，パターンピッチ演算部があり、繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、Ａ／Ｄ変換された後、画像データ処理部で画像データとして処理され、パターンピッチ演算部で反射回折光像の輝点のピッチが求められる。この求めた輝点のピッチのデータと画像データとは全体制御部５０に送られ、空間フィルタ２２の遮光板の配列ピッチを制御する信号として空間フィルタ制御部２７へ送られる。なお、ミラー２４０が対物レンズ２１と結像レンズ２３の間に挿入される際は、空間フィルタは退避することになる。
【実施例４】
【００８８】
欠陥検査装置に顕微鏡を付けた実施の形態を図１７に示す。この実施形態においては、検査によって検出された異物は、観察用光学系６０によって確認可能な構成になっている。この観察用光学系６０は、ステージ３１，３２を動かすことにより、観察用光学系６０の顕微鏡視野の位置に、ウェハ１上の検出した異物（虚報も含む）を移動させ、この画像を観察するものである。
【００８９】
観察用光学系６０を備えている利点は、ＳＥＭなどのレビュー装置にウェハを移動させなくても、検出した異物を即座に観察できることである。検査装置での検出物を即座に観察することによって、すばやく異物の発生原因を特定することができる。また、観察用光学系６０のＴＶカメラ６４の画像は、パソコンと共用のカラーモニタ上に検出した異物の画像が映し出され、検出異物の座標を中心として、部分的にレーザ照射とステージ走査による検査ができ、異物の散乱光像と異物位置をマーキングしてモニタ上に写す機能も有している。これにより、実際異物を検出したか否かの確認も可能である。なお、ステージ走査による部分画像は、異物の検出されたダイの隣接ダイの検査画像も取得できるのでその場での比較確認も可能である。
【００９０】
観察用光学系６０としては、光源には可視光（例えば白色光）でも良いし、紫外光を光源とした顕微鏡でも良い。特に微小な異物を観察するためには、高解像度の顕微鏡、例えば、紫外光を用いた顕微鏡が望ましい。また、可視光の顕微鏡を用いると異物の色情報が得られ、異物の認識を容易に行えるという利点がある
【符号の説明】
【００９１】
１ ウェハ（被検査対象基板）
１０ 照明光学系
１１ レーザ光源
２０ 検出光学系
２５ 光学フィルタ
３０ 搬送系
３５ 駆動回路
４０ 信号処理回路
５０ 全体制御部
５１ 入力出力手段
５２ 表示手段
５３ 記憶部
６０ 観察用光学系
７０ 瞳観察光学系
８０ 搬送ロボット
８２ 搬送アーム
１５５ 裏面検査装置
１８０ 異物付着防止手段
１９５ 異物除去手段
２４０，３２０ ミラー
３００ 端面検査装置
３５０ オリフラ検出光学系
６００ フィルタ用基板
６１０ 透明膜
６５０ 印刷装置
９００ａ 第１の光学系
９００ｂ リレー光学系
９０２ 回折格子
１３０１ Ａ／Ｄ変換器
１３０２ データ記憶部
１３０３ 閾値算出処理部
１３０７ 異物検出処理回路
１３０８ 検査領域処理部
１３０９ 特徴量算出回路
１３１０ 統合処理部
１３１１ 結果表示部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップや液晶製品を製造する際の薄膜基板，半導体基板，フォトマスク等に存在する異物や欠陥等の異常を検出する検査装置、及び方法に関する。また、それらの異常を分析して対策を施す検査装置、及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、半導体基板（ウェハ）上に異物が存在すると配線の絶縁不良や短絡などの不良原因になる。さらに半導体素子の微細化に伴い、より微細な異物がキャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。これらの異物は、搬送装置の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスにより処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料に混入していたものなど種々の原因により種々の状態で混入される。
【０００３】
同様に液晶表示素子の製造工程においても、上記異物によりパターン欠陥が生じると、表示素子として使えないものになってしまう。
【０００４】
また、プリント基板の製造工程においても同様の状況であって、異物の混入はパターンの短絡，不良接続の原因となる。
【０００５】
このような背景の下、半導体製造においては、各製造ライン毎に異物検査装置を場合によっては複数配置し、上記異物の早期発見による製造プロセスへのフィードバックにより半導体製造の歩留まり向上を図っている。
【０００６】
従来のこの種の半導体基板上の異物を検出する技術の１つとして、特開昭６２−８９３３６号公報（特許文献１）に記載されているように、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の検査結果と比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ高信頼度な異物及び欠陥検査を可能にするものが開示されている。
【０００７】
また、特開昭６３−１３５８４８号公報（特許文献２）に開示されているように、半導体基板上にレーザ光を照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、この検出した異物をレーザフォトルミネッセンスあるいは２次Ｘ線分析（ＸＭＲ）などの分析技術で分析するものが知られている。
【０００８】
また、ウェハ上に形成された回路パターンに対して該回路パターンの主要な直線群に対して４５度傾けた方向から照射して主要な直線群からの０次回折光を対物レンズの開口内に入射させないようにした異物検査装置が、特開平１−１１７０２４号公報（特許文献３）において知られている。
【０００９】
また、異物等の欠陥検査装置およびその方法に関する従来技術としては、特開平１−２５０８４７号公報（特許文献４），特開２０００−１０５２０３号公報（特許文献５）が知られている。特許文献５には、検出光学系を切り換えて検出画素サイズを変えることが記載されている。
【００１０】
異物のサイズ測定技術としては、特開２００１−６０６０７号公報（特許文献６）が開示されている。
【００１１】
その他の先行技術としては、特許文献７−１２が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開昭６２−８９３３６号公報
【特許文献２】特開昭６３−１３５８４８号公報
【特許文献３】特開平１−１１７０２４号公報
【特許文献４】特開平１−２５０８４７号公報
【特許文献５】特開２０００−１０５２０３号公報
【特許文献６】特開２００１−６０６０７号公報
【特許文献７】特開２００７−２３２５５５号公報
【特許文献８】特開２００６−２６７０２２号公報
【特許文献９】特開２００４−１７７３７７号公報
【特許文献１０】特開２００８−００４６３８号公報
【特許文献１１】米国特許第７４３６５０３号公報
【特許文献１２】米国特許第７３９７５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記先行技術では、繰り返しパターンや非繰り返しパターンが混在する基板上の微細な異物または欠陥を、高感度で、かつ高速に検出することは容易にできなかった。すなわち、上記先行技術では、例えば、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題があった。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンからの回折光に対応した遮光パターンを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、前記薄膜に前記遮光パターンを形成するための形成装置を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明は、前記遮光パターンは蛍光体であることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、前記遮光パターンは濃度勾配を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明は、被検査対象基板上に存在するパターンからの回折光を遮光するために対物レンズのフーリエ変換面に設置している空間フィルタを透明基板上に遮光部を形成する構成とすることにより、パターンからの回折光のみを遮光し、それ以外を通過する欠陥散乱光の遮光を最小限に抑える装置構成としたことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、被検査対象基板上に照射される照明光の照明幅を光路途中に配した濃度フィルタで調節してレンズ開口でのケラレによる照明光の不具合（サイドローブ発生）を防止することにより迷光を低減させ、微小欠陥を効率的に検出できるように制御する構成を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、例えば、検査対象が非繰り返しパターンを備える場合であっても、高感度な検査を行うことが可能となる。
【００２１】
例えば、本発明によれば、空間フィルタの遮光部を任意に変更できることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】欠陥検査装置の概略構成図である。
【図２】照明光学系の配置関係，低角度照明光学系の概略構成、及び照明領域と検出領域の関係を示す図である。
【図３】照明光学系に用いられている円錐曲面レンズ及び円筒レンズの斜視図である。
【図４】欠陥検査装置の全体動作説明図である。
【図５】オリフラ検出光学系，端面検査装置の配置を示す側面図である。
【図６】空間フィルタの全体動作説明図である。
【図７】空間フィルタの説明図である。
【図８】空間フィルタ製作ステーションの配置図である。
【図９】空間フィルタ作製動作を説明するための図である。
【図１０】空間フィルタの別の実施例を示す図である。
【図１１】線状照明の光学系の概略構成を示す図である。
【図１２】照明光の適正光学系の木戸分布を示す図である。
【図１３】信号処理系の詳細な構成を示すブロック図である。
【図１４】信号処理系の画素マージ回路の説明図である。
【図１５】信号処理系で凸欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１６】信号処理系で凹欠陥を検出する場合の説明図である。
【図１７】観察光学系を付けた欠陥検査装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２４】
まず、本発明に係る欠陥検査装置の実施の形態について具体的に説明する。なお、以下の実施の形態では、半導体ウェハ及び該ウェハ上に形成された透明膜上の小／大異物やマイクロスクラッチおよび、透明膜中の異物やパターン欠陥等の欠陥（異常）を検査する場合について説明するが、半導体ウェハに限らず、薄膜基板やフォトマスク，ＴＦＴ，ＰＤＰ等にも適用可能である。
【実施例１】
【００２５】
図１に、第１の実施例に係る物体表面の欠陥検査装置の構成を示す。本欠陥検査装置は、大きくは、照明光学系１０，検出光学系２０，搬送系３０，信号処理回路４０及び欠陥検査装置全体を制御する全体制御部５０によって構成される。
【００２６】
搬送系３０は、様々な品種や様々な製造工程から得られるウェハ等の被検査対象基板１を載置台３４に載置，移動させるＸステージ３１−１，Ｙステージ３１−２，Ｚステージ３２，θステージ３３と、これらを制御するための駆動回路３５とを備えている。
【００２７】
照明光学系１０は図２の如く、レーザ光源１１，シャッタ５８，ビーム拡大光学系１６，ミラー２６０〜２６８，レンズ２３１〜２３３，波長板２１１〜２１３を備え、レーザ光源１１から射出された光を、ビーム拡大光学系１６である大きさに拡大後、ミラー，波長板，レンズ等を介して、斜め複数方向からウェハ１表面上に照明する。
【００２８】
検出光学系２０は、対物レンズ２１，空間フィルタ２２，結像レンズ２３，光学フィルタ２５，ミラー９０，ＴＤＩイメージセンサ等の光検出器２６を備えて構成されている。
【００２９】
信号処理回路４０は、光検出器２６で検出された画像信号を処理して欠陥，異物を検出する。
【００３０】
観察光学系６０は、対物レンズ６１，ハーフミラー６２，チューブレンズ６５，照明光源６３及び撮像手段６４を備え、照明光源６３から出射した光をハーフミラー６２で反射して光路をウェハ１の方向に曲げ、対物レンズ６１で集光させてウェハ１の表面を照明する。ウェハ１で反射，散乱した光のうち対物レンズ６１に入射した光は、ハーフミラー６２を透過して撮像手段６４の受光面に結像する。観察光学系６０はウェハ１を検出光学系２０で検査して得られた検査結果に基づいて異物の有無，形状を確認するものであり図示しない倍率可変手段を備えている。
【００３１】
全体制御部５０は、検査条件などを設定し、上記照明光学系１０，検出光学系２０，搬送系３０および信号処理回路４０の全体を制御する。全体制御部５０には、入力出力手段５１（キーボードやネットワークも含む），表示手段５２，記憶部５３が設けられている。５５は被検査対象基板１の表面に形成されている回路パターンなどの設計データが格納されている記憶手段（サーバ）であり、設計データから空間的な光学像を形成することができる。
【００３２】
なお、この欠陥検査装置には、ウェハ１の表面の像を光検出器２６の受光面に結像させるように自動焦点制御系（図示せず）を備えており、検査中、光検出器２６の配列画素２０３は線状照明領域２０１内に含まれるよう制御される。
【００３３】
本検査装置では、複数の方向から被検査対象基板１の表面に照明可能な構成になっており、シャッタ５８は検査中にレーザ光Ｌ０が被検査対象基板１表面への照射の有無で開閉するようになっている。すなわち、レーザ光が被検査対象基板１表面以外に照射される場合は閉じて、後方の光学素子にレーザ光を導かないよう制御される。照明光学系１０としては、特開２０００−１０５２０３号公報に記載されているように、図２（ａ）に示す如く、レーザ光源１１から射出された光Ｌ０を、例えば図示しない凹レンズおよび凸レンズ等から構成されるビーム拡大光学系１６，スリット状ビームに成形するレンズ１４，ミラー２５５等で構成され、レーザ光源１１から出射された光Ｌ０をスリット状（線状）ビーム２００に成形してウェハ１にスリット状の照明領域２０１を形成するものである。
【００３４】
本実施例による検査装置では、単波長のレーザビームでウェハ１の表面を低角度（低い入射角度）で照明するための構成として、図２（ｂ）に示す如く、スリット状ビーム２００（ウェハ１のスリット状の照明領域２０１に照射する光、以後、この光をスリット状ビームと記載する）を平面的に複数の方向（図２（ｂ）においてはレーザ光Ｌ１〜Ｌ５）、及び複数の照明角度（図２（ｂ）におけるα，β，γ，δ）にて、載置台（ウェハチャック）３４上に載置されたウェハ１に照射するように構成されている。
【００３５】
ここで、照明光をスリット状ビーム２００にするのは、照明により発生する異物や欠陥からの散乱光の像を、光検出器２６の一列に配置した受光素子の検出面上に結像させて、一括して検出することにより、異物検査の高速化を図るためである。
【００３６】
すなわち、ウェハ１上に形成されたチップ２０２の配列方向がＸステージ３１−１の走査方向およびＹステージ３１−２の走査方向に対して平行になるようにθステージ３３を駆動して載置テーブル３４上に載置されたウェハ１の向きを調整し、この向きを調整したウェハ１上にスリット状ビーム２００を照射する。
【００３７】
このスリット状ビーム２００が照射されるウェハ上のスリット状の照明領域２０１の形状は、Ｘ方向に集光してＹ方向に平行光となるように構成された光学系により、Ｘステージ３１−１の走査方向Ｘに直角（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＸステージ３１−１の走査方向Ｘに直角）、Ｙステージ３１−２の走査方向Ｙに平行（ウェハ１上に照射されたスリット状の照明領域２０１の長手方向がＹステージ３１−２の走査方向Ｙに平行）、また光検出器２６の画素配列２０３方向とも平行になるよう光軸が調整されているものである。これは画像信号のチップ間比較を行う際に、ウェハ１上に配列されたチップ２０２のチップ間の位置合わせが容易に行える効果を奏する。このスリット状の照明領域２０１は、図３に示すように光路中に例えば円錐曲面レンズ１４を設けるかまたは円筒レンズ２３２を設けることにより形成することができる。一例として、ここでレンズ２３１及２３３は、図３（ａ）に示すように、長手方向の曲率半径が連続的に変化するような円錐曲面レンズであり、水平方向角度φ方向からＹステージ３１−２の走査方向に対してウェハ１上に照射されるスリット状ビーム２０１の長軸方向が平行になるようにしている。
【００３８】
すなわちここで、レーザ光Ｌ１及びＬ３による照明では、ウェハのＹ軸方向に対して、時計回り，反時計回りに角度φ回転し、かつＺ軸方向に角度α傾斜した方向（図２（ｂ）では、Ｌ３からの照明光がミラー２６５で反射されてレンズ２３３を透過してミラー２６８に到る光路と、ミラー２６８からウェハ１のスリット状ビーム２００の照射領域２０１までの光路とが重なって表示されている）からそれぞれスリット状に成形されたレーザ光をウェハ１上に照射する。
【００３９】
また、レーザ光Ｌ２による照明は、例えば図３（ｂ）に示す円筒形レンズ２３２により、ウェハのＹ軸に対して、角度γ傾斜した方向から、Ｙステージ３１−２の走査方向と同方向にスリット状ビーム２００の照射領域２０１−２を形成する構成となっている（円筒形レンズ２３２は、Ｙ軸に対して傾斜して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−２がウェハ１上に集光するように配置されている）。
【００４０】
また、レーザ光Ｌ４（Ｌ５）による照明は、例えば図３（ｃ）に示すレンズ２３４（２３５），ミラー２６９，２７１（２７０，２７２）により、ウェハのＹ軸に平行で、Ｚ軸方向に角度δ傾斜した方向から、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−４（２０１−５）を形成する構成となっている。この場合、レンズ２３４の曲率面はＹ軸に対してＸ方向には左右非対称な球面形状となっている（スリット状ビーム２００の照射領域２０１−４（２０１−５）の集光方向がＸ方向に長くならないように若干の球面収差を与えている）。
【００４１】
また、全体制御部５０からの指令に基づいて、図２（ａ）に示すように、ミラー２５５の角度θを図示していないパルスモータ等の駆動手段で変えることにより、照明角α（β，γ，δ）を例えば被検査対象基板１上で検査対象とする異物の種類によって変えられる構成になっている。図２（ｃ）に示すように、いかなる照明角の場合でもスリット状ビーム２００の照射領域２０１は、光検出器２６の画素配列２０３をカバーし、また、レーザ光Ｌ１〜Ｌ５による照明であっても、スリット状ビーム２００の照射領域２０１−１〜２０１−５はウェハ１上で一致するよう構成されるものである。
【００４２】
これにより、Ｙ方向に平行光を有し、かつφ＝４５度付近の照明を実現することができる。特に、スリット状ビーム２００をＹ方向に平行光にすることによって、主要な直線群がＸ方向およびＹ方向を向いた回路パターンから発する回折光が空間フィルタ２２によって効率的に遮光されることになる。ここで空間フィルタ２２は、図１に示すように、検出光学系２０の光路中に、検査中はＹ方向に退避可能なミラー９０と、投影レンズ９１，ＴＶカメラ９２からなる瞳観察光学系７０を用いて、フーリエ変換の結像位置における繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点を撮像し、処理回路９５により処理してこの輝点をフーリエ変換の結像位置に設けた複数の遮光部を有する空間フィルタで遮光するように調整されるものである。
【００４３】
これらの動作は、全体制御部５０からの指令に基づいて駆動回路２７からの信号により行われるが、例えば、被検査対象基板１上に形成された回路パターンが高密度の場合は高倍率での高感度検査モードとし、回路パターンが低密度の場合は低倍率にして高速検査を行う等、ステージ上に載置される被検査対象基板１の表面情報、製造プロセスにあわせて微小欠陥を多く検出するように照明，検出条件を設定するものである。
【００４４】
なお、レーザ光源１１としては、例えばＹＡＧ第２高調波の波長５３２ｎｍの高出力レーザや第４高調波の２６６ｎｍを用いても良く、また、紫外，遠紫外あるいは真空紫外光レーザでも良く、またＡｒレーザや窒素レーザ，Ｈｅ−Ｃｄレーザやエキシマレーザ，半導体レーザ等の光源であっても良い。また、高輝度ＬＥＤを用いても良いが、同様の機能を得るには、光学系に改良が必要である。
【００４５】
一般的には、照明波長を短波長化することにより、検出系の解像度が向上するため、高感度な検査が可能となる。
【００４６】
次に本発明における欠陥検査の動作の一例について図４により説明する。図４において、５００は欠陥検査装置、８５はウェハを収納するウェハカセット、８０は搬送ロボット、８２はウェハをつかんで搬送するための搬送アーム、３４０はウェハのオリフラ検出部、３５０はオリフラ検出光学系、３００はウェハのエッジ部の欠陥を検出する端面検査装置、３４５はウェハ表面の欠陥を検出する欠陥検査装置である。被検査対象基板であるウェハ１は、搬送アーム８２でウェハカセット８５から取り出され、オリフラ検出部３４０に搬送される。図５はオリフラ検出部３４０を、図４のＹ方向から見た断面図である。ウェハ１は、チャック３５３に真空吸着され、モータ３５４により回転する。オリフラ検出光学系３５０は、例えば投光部３５１と検出部３５５から成り、投光部３５１からの照明光３５２を受光して、検出部３５５の受光信号が処理回路３５６を介して全体制御部５０に送られる。全体制御部５０は、ウェハ１の偏芯量とオリフラ（Ｖノッチ）位置を算出し、コントローラ３５７を介してＹ軸に対するオリフラの補正信号をモータ３５４に送る。また、偏芯量は搬送ロボットが欠陥検出部３４５の搬送系３０にウェハ１を設置する際に補正値として搬送アーム８２の移動値にフィードバックされ、ウェハ１が欠陥検出部３４５の載置台３４の中央に位置合わせされる。一方、ウェハ１が回転している間、端面検査装置３００はウェハ１の端面部（エッジ部）の欠陥検査を行う。検出された信号は処理回路３０１で処理されて欠陥信号が全体制御部５０に送られる。欠陥が検出された場合、オリフラの位置を原点位置として、モータ３５４に連結された図示していないロータリーエンコーダのパルスカウントから回転方向の座標位置が全体制御部５０に記憶される。
【００４７】
欠陥検査においては、ウェハ１表面の微細な欠陥を高速に検査する必要があり、且つ、欠陥検査部３４５の載置台３４に載置されたウェハ１の表面には色々な欠陥種が存在し、欠陥検査においては、より多くの欠陥種を安定して検出することが要求される。このため、検出する欠陥種に合わせた検査条件を設定する必要がある。本欠陥検査装置では、照明の方向、角度を欠陥種に合わせて変更可能な構成とし、かつ一定の検査条件で検査できるような装置構成としている。例えば、欠陥検査装置内において光路中にミラー３２０と測定系３１０を配して照明光量測定を行うことにより、光路中に配したミラーやフィルタなどの光学素子の透過率低下等の不具合を監視している。もし、光学系の光路中に配したミラー，フィルタなどの光学素子に不具合箇所が発見された場合は、光学素子を一次元または二次元方向に移動して不具合箇所を光が通過しないようにしている。一例として、ＮＤフィルタや偏光子が設けられた光学ユニット１４０をモータ１２２，送りネジ１２３とリニアガイド１２４によって、図２（ｂ）の如くレーザ光Ｌ０の光軸に対して垂直方向（Ｙ方向）に移動して照明ビームの照射される位置を変更、且つ、移動によって光軸が変化しないような構成になっている。なお、光学素子の移動量は、予め照明ビームＬ０のビーム径より算出され、損傷部分と干渉しない程の移動量が全体制御部５０からの指令により設定されるが、移動箇所がなくなった場合は、新規光学素子と交換されることになる。この場合、予備の光学ユニットと交換、あるいは光学ユニットにもう一式同様の光学素子を設置し、モータと送りネジでリニアガイド上を移動させて切り換える構成にしてもよい。
【００４８】
ところで、高集積の半導体基板上の微細欠陥を高速検出するためには、高輝度の照明ビームをウェハ１上に照射し、回路パターンからの回折光を遮光して欠陥から発生する散乱光を効率よく検出する必要がある。このため、光検出器２６の画素配列に対して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１がウェハ１上で一致し、検査中は検出光学系２０の物体焦点に対して、ウェハ１の表面が一定高さになるように記述していない自動焦点系により制御されるため光検出器２６の画素配列に対して、スリット状ビーム２００の照射領域２０１はウェハ１上で一致した状態が保持される。このため、ウェハ上のメモリセル部の繰り返しパターンからの回折光は、対物レンズ２１の後側焦点位置（フーリエ面）で空間フィルタ２２で遮光され、欠陥からの散乱光のみが空間フィルタ２２を通過して光検出器２６に到達する。
【００４９】
ここで空間フィルタは、図６（ｃ）に示すように、収縮自在のバネに均等間隔で矩形断面のロッドが複数本設置されている構成となっている。同図（ａ）（ｂ）は空間フィルタの間隔（Ｐｘ）を、対物レンズ２１のフーリエ面に形成される繰り返しパターンからの回折光５０７の間隔に合わせて設置するための機構の一例を示すものである。すなわち、矩形ロッド５０３および、遮光幅の異なるロッド５０４が複数本設置されたバネ７１５，７１６の両端を支持バー７１０ａ，７１０ｂで支持し、モータ７３５，送りネジ７３０でリニアガイド７２２上をスライドさせて支持バー７１０ａ，７１０ｂをＸ方向に開閉して各ロッド５０３の間隔がＰｘとなるように設定する構成になっている。対物レンズ２１のフーリエ面の瞳径５０１に対して、空間フィルタ２２全体を位置決めするために、Ｘ方向には、モータ７２６，送りネジ７３７，リニアガイド７２８で、Ｙ方向には、モータ７３５，送りネジ７３０，リニアガイド７３２でそれぞれ位置合わせ可能になっており、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、移動量が全体制御部５０からの指令により設定されるようになっている。なお、空間フィルタ２２は、上記同様な機構構成でＸＹ方向に直交して配置されている。
【００５０】
また、空間フィルタとして図１０に示す如く、四角形枠（または円形枠、これらは例えば開口を有する板と表現することができる）の上面に複数のＶ形の溝を設け、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、複数の小径ロッド８０７を配列し、（ｂ）の如く押え板８１０で固定して空間フィルタ８００として使用することも考えられる。この場合、Ｖ溝の深さはロッド８０７を押え板８１０で固定できるようにピッチＰと溝の深さに基づいて決定される。また、（ｃ）に示すように、回転軸８０８に対して遮光部８０９の断面を楕円形状にし、超音波モータ等を駆動源としたアクチュエータ８１１で任意に回転させ、異なった遮光幅を有する空間フィルタを形成することも可能である。また、遮光部分には回路パターンからの高輝度な光が照射されるため、これらが対物レンズ２１のレンズ表面とで多重反射し迷光となって欠陥検出に悪影響を及ぼすことも考えられる。このため、（ｄ）のようにロッドの表面に溝８１２を形成したり、（ｅ）のように針状の微小突起８１３をエッチング等を用いて形成することにより反射光を低減するような構造にすることが好ましい。また、任意の位置にロッドを配列するほかの方法として、磁性流体をＶ溝に塗布して金属ロッドを固定しても良い。
【００５１】
本実施例１では、このロッド８０７をＶ溝８１２間を移動させることで遮光パターンの粗調整を行い、ロッド８０７自体を回転させることで微調整を行うことが可能となる。
【００５２】
本実施例１では、このロッド８０７等の遮光材の間隔をそれぞれ異なるように設定することができる。
【００５３】
本実施例１では、従来よりも高感度な検査が可能となる。
【実施例２】
【００５４】
次に実施例２について説明する。
【００５５】
実施例１の上記構成の空間フィルタは、対物レンズ２１のフーリエ面の瞳径５０１がある程度大きい口径には設置可能であるが、例えば、小径（例えば１０mm以下）のフーリエ面の瞳径５０１については、機構が複雑なため設置できないことも考えられる。
【００５６】
これを解決するために、本実施例２では、可動機構を持たない空間フィルタを設置することを考案した。すなわち、欠陥検査装置内に空間フィルタ製造ステーションを設けて、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２の検出画像に基づいて、パターン回折光を遮光するように遮光部が配置された空間フィルタ６８０を作製し、フーリエ面に位置決め、設置するようにした。
【００５７】
本実施例２は、図７（ａ）に示すように、円形（又は正方形）の枠６０１上に、検出光学系２０の検出性能に影響されない膜厚の透明膜６１０（例えば異物付着防止膜）が形成されたフィルタ用基板６００に対して、瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２で検出したフーリエ変換面の検出画像に基づいて、図７（ｂ）のように回路パターンの回折光の輝点の配置と相対的に同配置となるように、透明膜６１０の表面に遮光部５１０を印刷し、空間フィルタとして用いるものである。
【００５８】
次に本実施例２における空間フィルタ６８０を作製する動作の一例について図８及び図９を用いて説明する。
【００５９】
図８において、５００は欠陥検査装置、６６０はフィルタ用基板６００と、フィルタ用基板６００に遮光部を形成した空間フィルタ６８０を収納するカセット、６３０は搬送ロボット、６３２は枠６０１を保持して搬送するための搬送アーム、６５０はフィルタ用基板６００の透明膜６１０上に遮光パターン５１０を形成すための印刷装置である。フィルタ用基板６００は収納カセット６６０から搬送アーム６３２で取り出され、印刷装置６５０の下部の回転ステージ６４２に載置される。６４３はフィルタ用基板６００の枠６０１の円周端部に設けられた位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂを検出するための位置検出部であり、フィルタ用基板６００が回転している間、検出信号は処理回路６４４を介して全体制御部５０に送られ、検出された位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂの回転位置は検出光学系２０のフーリエ変換面設置時の位置情報として記憶される。全体制御部５０は瞳観察光学系７０のＴＶカメラ９２から得られる対物レンズ２１のフーリエ変換の結像位置における繰り返しパターンからの反射回折光像から輝点の位置座標と面積を算出し、印刷装置と、Ｘステージ６４０−１及びＹステージ６４０−２をコントローラ６４１を介して制御し、フィルタ用基板６００の透明膜６１０の表面に遮光パターン５１０を全面に亘って形成する。印刷は繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点より数十パーセントの余裕度を見込んで若干、大きめに印刷される。余裕度は入力出力手段５１から任意に設定でき、また、印刷は同一ウェハ上の他の検査領域のパターンの遮光部も、予め取得したＴＶカメラ９２の画像を用いて同時に印刷することができる。印刷完了後は搬送アーム６３２で取り出され検出光学系２０のフーリエ変換面に設置されるが、図６のように支持バー７１０ａ，７１０ｂに、図示しない位置決めプレートを設けて、位置決め用ノッチ６０５ａ，６０５ｂで位置決めした後、固定しても良い。ここで、透明膜６１０は検査波長に応じたものが適用される。
【００６０】
また、透明膜６１０の膜厚は検出光学系２０の性能を劣化させない膜厚（例えば薄膜、より具体的には、光学的に透明であり、十分に薄い薄膜）とし、波長の整数倍とすることで、パターン回折光の透明膜６１０の表裏面での反射光の欠陥検出への影響を防止する効果が考えられる。
【００６１】
また、遮光パターンを蛍光体で形成すれば回折光の影響を低減することもできる。例えば、この場合の蛍光体は、基板からの散乱光を受けてこの散乱光の波長とは異なる波長の光を発生させるものであると表現することができる。
【００６２】
また、透明膜６１０の遮光パターンに濃度勾配をつければ検出する光の強度プロファイルに含まれるサイドローブの影響を低減することができる。例えば、この濃度勾配は、検出する光の強度ガウスプロファイルに対応している。より具体的には、この濃度勾配は、このガウスプロファイルのある高さ以下のものを消すような関数となっている。さらに、この関数によるサイドローブの打ち消し方は、非常に滑らかな打ち消し方であることが望ましい。併せて、上記の透明膜６１０は照明光学系に用いることもできる。その場合、濃度勾配は、照明光学系の照明ビームのガウスプロファイルに対応させればよい。
【００６３】
本実施例２では、パターン回折光に対応した部分のみを遮光することが可能になる。よって、従来よりもさらに高感度な検査が可能となる。
【実施例３】
【００６４】
次に本検査装置の検査感度を向上すべく、図３（ｂ）に示した照明の別の照明方法について図１１により説明する。
【００６５】
本欠陥検査装置には被検査対象基板１に対して、図３で示した照明系構成により、５方向からの照明を可能にしている。これは、回路パターンからの回折光発生の抑制し欠陥からの散乱光を有効に検出するためや、照明ビームを広げて拡大視野で検査することにより短時間で検査する目的で構成されているものである。しかし、半導体の益々の高密度化により、より高感度での検査が望まれるようになってきている。このため、検出光学系２０を高倍率化し、より最小の検出画素で検査を行うことが必須になってきている。これに合わせて、照明幅も細線化する必要がある。
【００６６】
そこで、本実施例３では、図１１（ａ）の如く、第１の光学系９００ａで集光した後、リレー光学系９００ｂにより、被検査対象基板１に対して投影する構成とした。すなわち、レーザ光源１１から出射された平行レーザ光Ｌ０を、ビームエキスパンダ１６で拡大後、ビーム整形素子９０４，集光レンズ９０３で回折格子９０２上に集光させ、図１１（ｂ）の如く回折格子９０２で回折した光９０５を、レンズ９０１ｂ及びレンズ９０１ａで構成されるリレー光学系９００ｂで被検査対象基板１表面に集光してスリット状ビーム２０１を形成する構成になっている。この構成によれば、第１の光学系９００ａで回折格子８０２上に集光するビームの形状を、リレー光学系９００ｂのリレー倍率を変えることにより、スリット状ビーム２０１のビーム幅を任意に設定することが可能である。また、図１１（ａ）では回折格子上に線照明を行うために、プリズム等のビーム整形素子を用いたが、同図（ｃ）のように円筒レンズにより線照明を形成する構成にしても良い。
【００６７】
また、集光レンズ９０３及び９０５への入射ビーム径は大きい方が、より細く絞れるが、ビームエキスパンダ１６で拡大したレーザ光がレンズの開口で制限された場合、集光ビームのプロファイルを観察した際にサイドローブが発生し、欠陥検出に悪影響を及ぼす。このため、本実施例３では、図１２（ａ）に示す特性の濃度フィルタを光路中に配して、レンズに入射するレーザ光の強度がレンズ開口で急激に低下しないようにしてサイドローブの発生を防止している。本検査装置においては、検査の倍率ごとに検査領域が変化するため、これに合わせて照明幅も変化する。したがって図１２（ａ）に示す濃度フィルタ９５０が数種類必要であるため、同図（ｂ）に示すように円形の回転板９６０に濃度特性の異なるフィルタ９５０ａ〜９５０ｄを配置して図示しない駆動手段により回転させて、切り換える構成にしている。
【００６８】
次に、欠陥検査装置における欠陥検出信号処理について説明する。図１３は、本実施例３の信号処理系の構成を示すものである。ウェハ１表面からの反射回折光を受光して光検出器２６で光電変換された検出画像信号１３００は信号処理回路４０で処理される。信号処理回路４０は、Ａ／Ｄ変換器１３０１，Ａ／Ｄ変換された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０を記憶するデータ記憶部１３０２，上記検出画像信号に基づいて閾値算出処理をする閾値算出処理部１３０３、上記データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））１４２０を基に画素マージ毎に異物検出処理を行うための回路を複数備えた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎ、低角，高角度照明によって検出欠陥から得られた散乱光量や欠陥の大きさ示す検出画素数等の特徴量を算出する特徴量算出回路１３０９、該特徴量算出回路１３０９から得られる各マージ毎の特徴量を基に、欠陥，異物のサイズや種類を分類する統合処理部１３１０から構成されている。
【００６９】
異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの各々は、例えば検出された二次元画像に対して１×１，３×３，５×５，…ｎ×ｎ画素単位で画像処理するためのマージオペレータ１５０４を備えた画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎと、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎおよび、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎとで構成されている。
【００７０】
Ａ／Ｄ変換器１３０１でデジタル化された検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０は、データ記憶部１３０２と閾値算出処理部１３０３に送られる。閾値算出処理部１３０３は、検出画像信号から欠陥，異物を検出するための閾値画像Ｔｈ（ｉ，ｊ）１４２０を算出し、画素マージ回路１３０６に出力する。画素マージ回路１３０５，１３０６は、データ記憶部１３０２および閾値算出処理部１３０３から出力された画像信号１４１０，１４２０に対して、ｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能を有し、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路であり、各種マージオペレータ毎に画像処理が行われる。異物検出処理回路１３０７は、画素マージ回路１３０５および１３０６から出力された信号を処理して欠陥，異物を検出する。ここで、画素をマージするのはウェハ１上に存在する大きさの異なる欠陥，異物をそれらのサイズに合った検出画素でＳ／Ｎ良く検出する目的であるが、検出すべき欠陥の形状によっては、必ずしもｎ×ｎの必要はなくｎ×ｍでも良い。
【００７１】
検査領域処理部１３０８は、異物検出処理回路１３０７によって検出された欠陥または異物が存在するチップを特定するための処理を行うものであり、欠陥または異物を検出するため、検出閾値Ｔｈ（Ｈ，Ｌ）と、検証閾値Ｔｈ（Ｈｍ，Ｌｍ）を設けて、異物または欠陥を検出したチップを特定するものである。図１５（ａ）はチップ１７０１，１７０２，１７０３のうち、中央のチップ１７０２に凸形の欠陥１７０４が存在する場合の検出画像例と、断面Ｘ−Ｘでの信号波形を示している。また、図１６（ａ）はチップ１８０１，１８０２，１８０３のうち、中央のチップ１８０２に凹形の欠陥１８０４が存在する場合の検出画像例を示している。図１５（ａ）において、信号１７０６は凸欠陥１７０４の信号を示し、信号１７０５，信号１７０７はチップ内に欠陥が存在しない場合を示している。
【００７２】
図１５（ｂ）は、隣接チップ単位での差分処理結果を示すものであり、差分信号１７１０，１７１１はチップ１７０１，１７０２，１７０３で得られた画像信号の差画像１７０８，１７０９の断面Ｘ′−Ｘ′での信号波形を示している。差分信号１７１０はチップ１７０２の画像信号「Ｂ」とチップ１７０１の画像信号１「Ａ」との差信号（Ｂ−Ａ）であり、差分信号１７１１はチップ１７０３の画像信号「Ｃ」とチップ１７０２の画像信号「Ｂ」との差分信号（Ｃ−Ｂ）である。ここで、検出閾値Ｈ，検証閾値Ｈｍは凸形の差分信号を検出するための閾値であり、検出閾値Ｌ，検証閾値Ｌｍは凹形の差分信号を検出するための閾値である。
【００７３】
図１５（ｂ）において、差分信号１７１０（Ｂ−Ａ）が正の場合、その値が検出閾値Ｈまたは検証閾値Ｈｍよりも大きい場合に異物または欠陥として検出し、また、差分信号１７１１（Ｃ−Ｂ）が負の場合、その値が検出閾値Ｌまたは検証閾値Ｌｍよりも小さい場合（差分値，閾値共に負の値のために符号付の値が小さい場合である。絶対値としては閾値よりも差分値の方が大きい）に異物または欠陥として検出される。
【００７４】
ところで、ウェハ１の外周検査時には隣接チップが存在しなくなる。この場合、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、全体制御部５０から得られる検査座標データを基に上記隣接チップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ｂ）｝から、飛び越えた隣のチップ同士の比較処理｛（Ｂ−Ａ），（Ｃ−Ａ）｝に切り換えることになる。
【００７５】
検査領域処理部１３０８は、検出された異物信号や閾値画像を検査領域処理部１３０８により、検出場所による処理を施す。同時に、各種マージオペレータ毎に設けられた異物検出処理部１３０４ａ〜１３０４ｎの、画素マージ回路１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎ，異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎ，検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎから得られた信号を基に、特徴量算出回路１３０９で特徴量（例えば、高角度照明により得られた散乱光量，低角度照明により得られた散乱光量，欠陥の検出画素数等）を算出し、前記異物信号と前記特徴量を統合処理部１３１０で統合し、統合したデータを全体制御部５０へ送信する。
【００７６】
以下に詳細を述べる。Ａ／Ｄ変換器１３０１は光検出器２６で得られたアナログ信号１３００をデジタル信号に８〜１２ビットで変換する回路であり、データ記憶部１３０２は、Ａ／Ｄ変換されたデジタル信号を記憶しておくための回路である。画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎ，１３０６ａ〜１３０６ｎは、図１４に示す各々異なるマージオペレータ１５０４で構成されている。
【００７７】
マージオペレータ１５０４は、データ記憶部１３０２から得られる検出画像信号ｆ（ｉ，ｊ）１４１０と、閾値算出処理部１３０３から得られる検出閾値画像Ｔｈ（Ｈ），検出閾値画像Ｔｈ（Ｌ），検証閾値画像Ｔｈ（Ｈｍ）、および検証閾値画像Ｔｈ（Ｌｍ）からなる差分閾値画像信号１４２０との各々をｎ×ｎ画素の範囲で結合する機能であり、例えば、ｎ×ｎ画素の平均値を出力する回路である。
【００７８】
ここで、画素マージ回路部について、１３０５ａ，１３０６ａは例えば１×１画素を、１３０５ｂ，１３０６ｂは３×３画素を、１３０５ｃ，１３０６ｃは５×５画素を、…１３０５ｎ，１３０６ｎはｎ×ｎ画素をマージする奇数画素のマージオペレータで構成される。例えば、１×１画素をマージするマージオペレータは、入力信号１４１０，１４２０をそのまま出力することになる。
【００７９】
閾値画像信号は、４種の画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））からなるため、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎにおいても上記４種のマージオペレータＯｐが必要となる。従って、各画素マージ回路部１３０５ａ〜１３０５ｎからは、検出画像信号が各種マージオペレータ１５０４でマージ処理してマージ処理検出画像信号４３１ａ〜４３１ｎとして出力されることになる。他方、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎからは、４つの閾値画像信号（Ｔｈ（Ｈ），Ｔｈ（Ｈｍ），Ｔｈ（Ｌｍ），Ｔｈ（Ｌ））が各種マージオペレータＯｐ１〜Ｏｐｎでマージ処理してマージ処理閾値画像信号４４１ａ（４４１ａ１〜４４１ａ４）〜４４１ｎ（４４１ｎ１〜４４１ｎ４）として出力されることになる。なお、各画素マージ回路部１３０６ａ〜１３０６ｎ内のマージオペレータは同じものである。
【００８０】
ここで、画素をマージする効果を説明する。異物検査では、微小異物だけでなく、数μｍの範囲に広がった薄膜状の大きな異物も見逃すことなく検出する必要がある。しかし、薄膜状異物からの検出画像信号は、必ずしも大きくならないため、１画素単位の検出画像信号ではＳ／Ｎ比が低く、見逃しが生じることがある。このため、薄膜状異物の大きさに相当するｎ×ｎ画素の単位で切出して畳み込み演算をすることによってＳＮ比を向上させるようにしている。
【００８１】
次に、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎについて説明する。検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎからチップを特定して得られる異物又は欠陥検出信号に対して、検査不要領域（チップ内の領域も含む）のデータ除去や、検出感度を領域（チップ内の領域も含む）毎に変える場合や検査領域を選択する場合に用いる。
【００８２】
検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、例えば、被検査対象基板１上の領域のうち、検出感度が低くても良い場合には、閾値算出処理部１３０３から得られる該当領域の閾値を高く設定しても良いし、異物検出処理回路１３０７ａ〜１３０７ｎから出力される異物のデータから異物の座標を基にして検査したい領域の異物のデータのみを残す方法でも良い。
【００８３】
ここで、検出感度が低くする場合は、例えば、被検査対象基板１において回路パターンの低密度の領域であり、回路パターンが高密度領域では、高感度検査によりデバイス製造の歩留りを向上することができる。
【００８４】
しかしながら、被検査対象基板１上の全領域を同一感度で検査した場合、重要な異物と重要でない異物が混じるために、重要な異物を容易に抽出することができない。そこで、検査領域処理部１３０８ａ〜１３０８ｎは、チップ内のＣＡＤ情報または閾値マップ情報に基づいて、回路パターンが存在しないような、歩留りにあまり影響しない領域の検出感度を低くすることにより、効率良く重要異物を抽出することができる。ただし、異物の抽出方法は、検出感度を変更する方法だけでなく、後述する異物の分類により、重要異物を抽出しても良いし、異物サイズを基に重要異物を抽出しても良い。
【００８５】
次に、特徴量算出回路１３０９について説明する。この特徴量とは、検出された異物や欠陥の特徴を表す値であり、特徴量算出回路１３０９は、前記特徴量を算出する処理回路である。特徴量としては、例えば、照明角α，β，γを変えた高角度照明及び低角度照明によって得られた異物又は欠陥からの反射回折光量（散乱光量），検出画素数，異物検出領域の形状や慣性主軸の方向，ウェハ上の異物の検出場所，下地の回路パターン種類，異物検出時の閾値等がある。
【００８６】
次に、統合処理部１３１０について説明する。統合処理部１３１０では、画素マージ回路１３０５，１３０６で並列処理された異物検出結果を統合したり、特徴量算出回路１３０９で算出した特徴量と異物検出結果（異物欠陥の位置情報）を統合し、全体制御部５０に結果を送る機能を有する。この検査結果統合処理は、処理内容を変更し易くするためにＰＣ等で行うのが望ましい。
【００８７】
一方、ＴＶカメラ９２で撮像した検出光学系２０のフーリエ変換像の結像位置におけるウェハ１に形成された繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、信号処理回路９５に送られる。信号処理回路９５には、Ａ／Ｄ変換器，画像データ処理部，パターンピッチ演算部があり、繰り返しパターンからの反射回折光像の輝点の画像信号は、Ａ／Ｄ変換された後、画像データ処理部で画像データとして処理され、パターンピッチ演算部で反射回折光像の輝点のピッチが求められる。この求めた輝点のピッチのデータと画像データとは全体制御部５０に送られ、空間フィルタ２２の遮光板の配列ピッチを制御する信号として空間フィルタ制御部２７へ送られる。なお、ミラー２４０が対物レンズ２１と結像レンズ２３の間に挿入される際は、空間フィルタは退避することになる。
【実施例４】
【００８８】
欠陥検査装置に顕微鏡を付けた実施の形態を図１７に示す。この実施形態においては、検査によって検出された異物は、観察用光学系６０によって確認可能な構成になっている。この観察用光学系６０は、ステージ３１，３２を動かすことにより、観察用光学系６０の顕微鏡視野の位置に、ウェハ１上の検出した異物（虚報も含む）を移動させ、この画像を観察するものである。
【００８９】
観察用光学系６０を備えている利点は、ＳＥＭなどのレビュー装置にウェハを移動させなくても、検出した異物を即座に観察できることである。検査装置での検出物を即座に観察することによって、すばやく異物の発生原因を特定することができる。また、観察用光学系６０のＴＶカメラ６４の画像は、パソコンと共用のカラーモニタ上に検出した異物の画像が映し出され、検出異物の座標を中心として、部分的にレーザ照射とステージ走査による検査ができ、異物の散乱光像と異物位置をマーキングしてモニタ上に写す機能も有している。これにより、実際異物を検出したか否かの確認も可能である。なお、ステージ走査による部分画像は、異物の検出されたダイの隣接ダイの検査画像も取得できるのでその場での比較確認も可能である。
【００９０】
観察用光学系６０としては、光源には可視光（例えば白色光）でも良いし、紫外光を光源とした顕微鏡でも良い。特に微小な異物を観察するためには、高解像度の顕微鏡、例えば、紫外光を用いた顕微鏡が望ましい。また、可視光の顕微鏡を用いると異物の色情報が得られ、異物の認識を容易に行えるという利点がある
【符号の説明】
【００９１】
１ ウェハ（被検査対象基板）
１０ 照明光学系
１１ レーザ光源
２０ 検出光学系
２５ 光学フィルタ
３０ 搬送系
３５ 駆動回路
４０ 信号処理回路
５０ 全体制御部
５１ 入力出力手段
５２ 表示手段
５３ 記憶部
６０ 観察用光学系
７０ 瞳観察光学系
８０ 搬送ロボット
８２ 搬送アーム
１５５ 裏面検査装置
１８０ 異物付着防止手段
１９５ 異物除去手段
２４０，３２０ ミラー
３００ 端面検査装置
３５０ オリフラ検出光学系
６００ フィルタ用基板
６１０ 透明膜
６５０ 印刷装置
９００ａ 第１の光学系
９００ｂ リレー光学系
９０２ 回折格子
１３０１ Ａ／Ｄ変換器
１３０２ データ記憶部
１３０３ 閾値算出処理部
１３０７ 異物検出処理回路
１３０８ 検査領域処理部
１３０９ 特徴量算出回路
１３１０ 統合処理部
１３１１ 結果表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンの形成された基板の異常を検査する検査装置において、
基板に光を照明する照明光学系と、
前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、
前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、
前記検出光学系は、フーリエ面に配置された透明薄膜を有し、
前記透明薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記透明薄膜に前記遮光パターンを形成するための形成装置を有することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の検査装置において、
前記遮光パターンは蛍光体であることを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の検査装置において、
前記遮光パターンは濃度勾配を有することを特徴とする検査装置。
【請求項１】
パターンの形成された基板の異常を検査する検査装置において、
基板に光を照明する照明光学系と、
前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、
前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、
前記検出光学系は、フーリエ面に配置された透明薄膜を有し、
前記透明薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記透明薄膜に前記遮光パターンを形成するための形成装置を有することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載の検査装置において、
前記遮光パターンは蛍光体であることを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の検査装置において、
前記遮光パターンは濃度勾配を有することを特徴とする検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−１６３４２２（Ｐ２０１２−１６３４２２Ａ）
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３４６６（Ｐ２０１１−２３４６６）
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（５０１３８７８３９）株式会社日立ハイテクノロジーズ (4,325)
【Ｆターム（参考）】
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