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Fターム[2G051AA56]の内容

光学的手段による材料の調査の特殊な応用 (70,229) | 調査・分析対象 (8,670) | 半導体製造用マスク;レティクル (572)

Fターム[2G051AA56]に分類される特許

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【課題】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を被照射体に傾斜させて出射する構造を有し、一度の露光で複数の角度の斜め露光を行うことのできるフォトマスク、の欠陥やパターン形状を評価するための検査方法および検査装置を提供すること。
【解決手段】フォトマスク表面の特定の位置をその位置のフォトマスク部位に対応する斜め角度の平行光で照明することにより、フォトマスク表面に垂直な出射光を得られるか否かの検査を、照明するフォトマスク表面の位置を変えつつ順次繰り返し、フォトマスクの有効面内からの撮像された画像情報を累積して評価することにより検査結果を判定する。 (もっと読む)


【課題】波長が13.5nm付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet:EUV)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥211が生じている開口パターン204の近傍の吸収層203に、開口パターン204よりも微細な開口径を有する補助パターン301を形成する。この補助パターン301は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン204を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 (もっと読む)


【課題】位相欠陥と表面異物とを識別できるEUVマスク検査装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るEUVマスク検査装置は、EUV光を出射するEUV光源100aと、EUV光を伝播する第1多層膜楕円面鏡103a、第2多層膜楕円面鏡103b、落とし込みEUVミラー105を含む光学系と、EUV光の光軸と同軸に導入され、光学系で伝播される紫外光を出射するArFエキシマレーザ100dとを備える。紫外光は、EUV光の光軸上に挿入された振り込みミラー113により反射され、EUV光と同軸に導入される。 (もっと読む)


【課題】撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクの様に周期性のあるパターンを持つ被検査体のムラ欠陥を検出するためのムラ検査装置および方法の照明照射条件の最適化を課題とする。
【解決手段】基板面に周期性パターンが形成された基板を検査対象とし、前記基板に照明光を異なる複数の照射角度で照射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査するムラ検査方法であって、パターン形状から周期成分を抽出し、被検査体である周期性パターンの最適な検査条件を算出する。 (もっと読む)


【目的】インテグレータレンズによって形成される複数の集光点に起因した光学素子の劣化を回避可能な検査装置を提供することを目的とする。
【構成】パターン検査装置100は、レーザ光を発生する光源103と、レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズ206と、インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板204と、インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部150と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置200は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ(1)に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップBを作成するWPフィルタ処理部56と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップCを作成するLPフィルタ処理部58と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ(2)に対し、LPフィルタ処理をおこなって位置ずれマップCを作成するLPフィルタ処理部64と、位置ずれマップAと位置ずれマップBの差分に位置ずれマップCを加算することによって合成して位置ずれマップDを作成する合成部66と、を備える。 (もっと読む)


【課題】異常パターンの弁別性を向上した欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】光源と、干渉制御部と、検査装置本体と、を備えた欠陥検査装置が提供される。前記光源は、可干渉光を放射する。前記干渉制御部は、分散部と、選択部とを有し、前記光源から放射された光の可干渉性を制御して、照明光として出力する。前記検査装置本体は、前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査する。前記光源から放射された光の進行方向を第1の方向とし、前記第1の方向に垂直な方向を第2の方向としたとき、前記分散部は、前記光源から放射された光を波長に応じて前記第2の方向に拡張して波長分散させる。前記選択部は、前記分散部により波長分散された光を選択的に透過させる。 (もっと読む)


【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段180は、透明基板187が枠185を介して載置台34の上に設置される。異物付着防止手段180はベース186上に固定された2本の支柱184に回転可能に支持されたシャフト181がカップリング183でモータ182に連結されている。そして、2本に支柱184の間で、枠185の一部にシャフト181が挿入され、枠185及び透明基板187がシャフト181を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠185全体がシャフト181を軸としてZ方向に開閉する構造になっており、枠185及び透明基板187により、載置台34上のウェハ1を覆うことができる。 (もっと読む)


【課題】疑似位相整合型の波長変換光学素子におけるフォトリフラクティブ効果を抑制し得る手法を提供し、同効果に起因した問題を解決可能なレーザ装置等を提供する。
【解決手段】レーザ装置LSは、レーザ光を出力するレーザ光出力部1と、レーザ光出力部から出力されたレーザ光を波長変換して出力する波長変換部3とを備える。波長変換部3には、波長λのレーザ光を波長λ/2のレーザ光に波長変換する疑似位相整合型の波長変換光学素子31を備え、この波長変換光学素子31の入射面及び出射面の少なくともいずれかに、波長がλ〜λ/n(n≧3)の光の反射率を低減する反射率低減コーティングが施されて構成される。 (もっと読む)


【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜等のピンホール欠陥を高精度に検出する。
【解決手段】基板の表面にクロム膜等のマスクパターンが存在すると、基板の表面へ照射された光線はそのマスクパターンの形状や欠陥によって散乱され、基板の表面側の周囲にのみ散乱光が発生するようになり、基板の裏面側に透過する光線は存在しない。一方、このマスクパターンにピンホールが存在する場合、そのピンホールのエッジにて散乱した光の一部は基板の表面側で周囲に散乱光として発生すると共にそのピンホールを介して基板の内部へ透過し、基板裏面側の周囲に散乱光として発生することになる。これらの基板の表面及び裏面で検出された散乱光を、基板の表面側及び裏面側に配置された散乱光受光手段でそれぞれ受光することによって、ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜のピンホールを高精度に検出する。 (もっと読む)


【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板の欠陥を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】マスク基板の対向する二辺を検査テーブル手段の基板支持部となる傾斜面に載置すると共にマスク基板の下面にエア浮上ステージ手段からエア噴流を吹き付けることによってマスク基板が撓まないようにする。さらに、マスク基板の対向する二辺の上面側からエア噴流を吹き付けてマスク基板の下側辺を傾斜面に押し付け、マスク基板の二辺を検査テーブル手段に固定的にエア挟持させる。マスク基板の下面にエア噴流を吹き付けることでマスク基板の撓みを矯正することができ、基板検査装置は撓みの矯正されたほぼ平面状のマスク基板の欠陥を高精度に検出することができる。 (もっと読む)


【目的】マスクに形成されたパターン自体の位置精度の均質性を検査可能な検査装置を提供する。
【構成】検査装置100は、離散的な領域を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、対応する参照画像中の図形の寸法との間での第1の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第1の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路131と、検査領域全体を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、それぞれ対応する参照画像中の図形の寸法との間での第2の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第2の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路132と、第2の位置ずれ量マップを、第1の位置ずれ量マップと第2の位置ずれ量マップとの第1の差分マップで補正した第3の位置ずれ量マップに定義される各値のうち、許容値を超える値の有無を判定する判定回路156と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高速に検査することができる検査装置、及び検査方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、照明光が入射する偏光ビームスプリッタ11と、偏光ビームスプリッタ11からの照明光を集光して、EUVマスク40に照射する対物レンズ13と、EUVマスク40で反射して対物レンズ13を通過した反射光の一部の光路を変化させて、反射光の光軸と垂直な面における位置に応じて反射光を分割する分割ミラー15と、一方の光ビームを受光して、対物レンズ13の視野における第1の領域を撮像する検出器16と、偏光ビームスプリッタからの光学距離が検出器17の偏光ビームスプリッタ11からの光学距離と異なる位置に配置され、他方の光ビームを受光して対物レンズ13の視野における第2の領域を撮像する検出器17と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】出力光の吸収による位相不整合を低減して波長変換効率を向上可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、第1のレーザ光L10を出力する第1レーザ光出力部10と、第1のレーザ光を波長変換して変換光L30を出力する波長変換光学素子30と、第1のレーザ光と異なる波長の第2のレーザ光L20を出力する第2レーザ光出力部20と、第2のレーザ光L20を第1のレーザ光L10と重ね合わせて波長変換光学素子30に入射させる合成光学素子31とを備える。第2のレーザ光L20は、波長変換光学素子30における第2のレーザ光L20の吸収によって発生する熱量が、波長変換光学素子における変換光L30の吸収によって発生する熱量と略等しくなるように設定される。 (もっと読む)


【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とEUVL用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽NA以内で大きい照明NAを有するEUV光を照射し、EUVL用マスクを検査する場合は、EUV光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、EUV光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明NAまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明NAを有するEUV光を照射する。 (もっと読む)


【課題】試料に実在する欠陥に起因する輝度変化を、各種ノイズから分離して検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、試料表面上に主走査方向に整列した複数個の走査スポットを形成し、試料表面の同一の部位を、主走査方向に整列したn個の走査スポットにより所定の時間間隔で順次走査する。n個の走査スポットからの反射ビームをそれぞれ光検出素子により受光する。信号処理装置は、n個の光検出素子から出力される輝度信号中に、所定の閾値を超えると共に互いに時間的又は位置的に対応する輝度変化が存在する場合、試料上に欠陥が存在するものと判定する。本発明によれば、試料表面上に形成された欠陥に起因する輝度変化は、光源ノイズや光検出器の熱雑音から分離して検出されるので、疑似欠陥が増大することなく、欠陥の検出感度を高く設定することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価可能な欠陥特性評価装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反射型サンプル基板であるマスク基板11上の被検欠陥12に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、マスク基板11上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光光学系10と、集光光学系10により集光され、マスク基板11上にコヒーレント光を照射する照射部16と、照射部16により照射された照射パタン領域13bからの回折光を2次元的に受光する二次元検出器13と、二次元検出器13による受光結果である画像情報を記録する記録部17と、記録部17により記録された画像情報から、被検欠陥12の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出部18とを備える。 (もっと読む)


【課題】ホワイトスポットを除去して検査精度を向上させることのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】複数の撮像素子が直線状に配列されたラインセンサによって取得された3ライン分の画像データを蓄積し(S2)、この内の中央ラインの各画素について、対象となる画素と、この周囲に隣接する8つの画素との階調値の差を求め、得られた8つの差の全てが第1の閾値を超える場合に対象となる画素を疑似欠陥と判定する(S2)。8つの画素について階調値の平均を算出し、得られた値を対象となる画素の階調値と置き換える(S2)。また、疑似欠陥の判定が行われたストライプと同じストライプについてラインセンサで光学画像を再度取得し、得られた画像データを前回得られた画像データと置き換えることもできる。 (もっと読む)


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