ホログラフィックマスク検査のための装置、方法およびリソグラフィシステムが開示される。ホログラフィックマスク検査システム（３００、５００、７００）は、照明源（３３０）、空間フィルタ（３５０）およびイメージセンサ（３８０）を含む。照明源は、放射ビーム（３３１）でマスク（３１０）のターゲット部分上を照明するように構成されている。空間フィルタ３５０は、光学システム（３９０、６１０、７１０）のフーリエ変換瞳面に配置されている。空間フィルタは、マスクのターゲット部分から反射放射ビーム（３１１）の少なくとも一部を受ける。光学システムは、反射放射ビーム（３１１）の一部を参照放射ビーム（３６１、３３１）と組み合わせて（３６０、６６０、７４０）組み合わせ放射ビームを生成する。さらに、イメージセンサ（３８０）は、組み合わせ放射ビームのホログラフィックイメージを取り込むように構成されている。イメージは、１つ以上のマスク欠陥を含み得る。 （もっと読む）

【課題】基板の欠陥検査をより少ないスペースで行うことを可能とする検査装置を提供する。
【解決手段】欠陥検査装置１は、回転自在なチャック１３を備え、チャック１３の上方に、載置されたウエハＷの回転中心から外縁部に延在する直線領域と平行に配置された照明装置２１を設置し、この照明装置２１の真下にウエハＷの反射光を反射させるハーフミラー２２が固定され、さらにハーフミラー２２の対向側にハーフミラー２２からの反射光を取り込む撮像装置２０が設置され、ウエハＷの回転と共にウエハ表面を撮像する。 （もっと読む）

【課題】擬似欠陥を低減する一方で、転写後に欠陥を生じさせるおそれのあるパターンを予め拾い出して検査する検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたマスクの光学画像データを得る。設計パターンデータから光学画像に対応する参照画像データを作成する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、パターンの重要度情報に基づいた多値の解像度で示される画素値を有する領域画像データを作成する。領域画像データの各画素の画素値によって定まる複数の閾値または複数の欠陥判定処理方法の１つを用いて、領域画像データが示す領域内の光学画像データと参照画像データとを比較して画素毎に欠陥判定する。設計パターンデータに定義される少なくとも一部のパターンを包含する領域データから、ＭＥＥＦが所定値以上の箇所の画像データを作成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象基板上の異物を確実に除去することができる基板検査装置の提供。
【解決手段】基板検査装置１は、マスク１１６、複数の粘着性粒子が離脱可能に設けられた剥離シート２０、および粘着部材２２が装着されるマスクホルダ１１７と、マスクホルダ１１７に対してマニピュレータ（例えばナノピンセット１０）と検出部４１とが設けられた検出ヘッド１１３を相対移動させる移動手段である鉛直方向駆動機構１２３および水平方向駆動機構１２４と、制御装置２００を備えている。制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 （もっと読む）

【課題】周期構造の電磁散乱特性の正確な数値計算を迅速に実行する。
【解決手段】構造の電磁散乱特性を計算する体積積分法（ＶＩＭ）の改良型収束は、電場ではなく、ベクトル場の体積積分方程式を数値的に解くことによって達成される。ベクトル場は、基底変換によって電場に関連付けることができ、電場が不連続部を有する材料の境界で連続することができる。ベクトル場の畳み込みは、有限離散畳み込みに従って畳み込み演算子を使用して実行する。可逆畳み込み及び基底変換演算子は、周期構造の材料及び幾何学的特性に従って基底変換を実行することにより、ベクトル場を電場に変換する。ベクトル場について体積積分を解いた後、追加の後処理ステップを使用して、ベクトル場から電場を得ることができる。ベクトル場は、連続的な成分をフィルタリングするために法線ベクトル場を使用することにより、電場の場の成分と電束密度の組合せから構築することができる。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の光を用いて和周波発生手段により所定の光を出射するレーザ装置について、簡便且つ正確にその出力を調整することのできる方法と、この方法により出力調整可能なレーザ装置と、このレーザ装置を光源として備えた検査装置とを提供する。
【解決手段】第２の非線形光学結晶４は、波長２６６ｎｍのレーザ光を出射する。第３の非線形光学結晶８は、波長７８２ｎｍのレーザ光を出射する。これらの光は第４の非線形光学結晶１１に入射し、和周波発生により波長変換されて、波長１９８．５ｎｍの光になる。反射ミラー５の角度と、波長選択性反射ミラー９の角度と、測定部１３で測定された波長１９８．５ｎｍの光の出力とは、それぞれ制御装置１４に送られる。制御装置１４は、出力が最大となるよう反射ミラー５と波長選択性反射ミラー９の角度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料の欠陥検査において、高感度かつ高スループットの欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、パターンの方向と、照明光の試料への射影の方向と照明光の偏光に着目したことにある。また、少なくとも２つの照明方向の該試料への射影は該試料の主要なパターンの方向に対して垂直または平行であり、該第１の方向の照明光の偏光と該第２の方向の照明光の偏光は互いに異なることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに垂直であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の射影と該第２の方向の射影は互いに平行であることを特徴とする。また、本発明は、該第１の方向の照明光の偏光はｓ偏光であり、該第２の方向の照明光の偏光はｐ偏光であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば欠陥を探しての試料の検査のあいだ、試料を照射する方法および装置を提供する。
【解決手段】ある局面において、照射装置は、それぞれ第１端および第２端を有する光ファイバの束を含む。照射装置は、１つ以上の入射ビームを、光ファイバの１つ以上の対応する第１端に選択的に伝達することによって、選択された１つ以上の入射ビームがファイバの１つ以上の対応する第２端から出力されるようにする照射セレクタをさらに含む。照射装置は、ファイバの対応する１つ以上の第２端から出力された選択された１つ以上の入射ビームを受け取り、選択された１つ以上の入射ビームを試料に向けて導くレンズ構成も含む。レンズ構成およびファイバは、ファイバの第２端において試料の画像化平面を画像化するよう互いに対して構成される。ある局面において、入射ビームはレーザビームである。本発明の具体的な応用例において、試料は、半導体デバイス、半導体ウェーハ、および半導体レチクルからなるグループから選択される。 （もっと読む）

【課題】高感度で検査を行うことができる検査装置、検査方法、及びパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、対物レンズ７と、対物レンズ７の視野の一部である第１の領域を、第１の偏光方向の直線偏光で照明し、対物レンズの視野内において前記第１の領域と異なる第２の領域を第１の偏光方向と異なる第２の偏光方向の直線偏光で照明する反射照明光学系５１と、第１の領域において、試料で反射した反射光を検出するＴＤＩカメラ１１ａと、第２の領域において、試料で反射した反射光を検出するＴＤＩカメラ１１ｂと、を備えるものである。 （もっと読む）

【目的】粗密パターン各々に対して、高い信号強度を得ることが可能なパターン検査装置提供することを目的とする。
【構成】パターン検査装置１００は、パターン形成されたフォトマスク１０１を照明する照明光学系１７０と、照明によってフォトマスク１０１から得られる第１の光学画像を複数の第２の光学画像に光学的に分離するビームスプリッタ１３１と、分離された複数の第２の光学画像を用いて、少なくとも一部の信号強度が異なる複数の光学画像データを生成する複数のセンサ回路１０６，１３６と、複数の光学画像データの１つと比較するための基準画像データを生成する参照回路１１２と、画素毎に、数の光学画像データの１つと基準画像データとを比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で欠陥検査を行うことができる検査装置、及び検査方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかると、対物レンズ１３と、対物レンズ１３の視野の一部である検査領域５２を照明する反射照明光学系６１と、検査領域５２と検査領域５１とを照明する透過照明光学系６２と、透過照明光学系６２に設けられ、検査領域５２に入射する透過照明光の光強度を検査領域５１に入射する透過照明光の光強度よりも低くする部分透過板４と、検査領域５２において、透過照明光学系６２からの透過照明光のうち試料を透過した透過光と反射照明光学系６１からの反射照明光のうち試料で反射した反射光とを検出するＴＤＩカメラ１６ｂと、検査領域５１において、透過照明光学系からの光のうち試料を透過した透過光を検出するＴＤＩカメラ１６ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

例えばリソグラフィ技術によるデバイス製造などで使用可能な半導体ウェーハ上の処理欠陥を検出する検査方法及び装置。スキャン経路に沿ってダイのストリップを移動する測定スポットで照明する。散乱放射を検出してストリップ上部に空間的に集積された角度分解されたスペクトルを取得する。散乱データを測定又は計算によって入手した基準スペクトルのライブラリと比較する。該比較に基づいてダイの上記ストリップの欠陥の存在を決定する。測定スポットはウェーハにわたって大きな（一定の）速度部分を含むスキャン経路軌跡のウェーハに沿ってスキャンされ、角度分解スペクトルが取得され、フルスキャン速度で比較が実行される。ダイにわたってストリップに沿ってＹ方向に長時間の取得が実行される場合、位置変動の結果としての取得されたスペクトルの変動は主としてスポットのＸ位置に依存する。高速スキャン経路軌跡に沿ってスポットがウェーハに整列しないため、スポット位置が変動する。ダイ上のそれぞれのＸ位置でのある範囲のスキャン経路について基準スペクトルのライブラリが入手され、高速測定スポットのＸ位置の変動が可能になる。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンの被検査体に対し、回折光によるコントラストから正常部と変動部とを精度良く識別でき、かつ、モアレのような外乱要素を含まない被検査画像を取得すること。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係るむら検査装置は、透過照明部１０、Ｘ−Ｙ−θステージ部２０、アライメント用撮像部３０、回折光強度測定部兼撮像部４０及び処理・制御部１００を具備している。Ｘ−Ｙ−θステージ部２０は、被検査基板６０の位置決め動作及び基板搬送動作が可能である。アライメント用撮像部３０は、被検査基板６０の位置決めを実施する。回折光強度測定部兼撮像部４０は、被検査基板６０からの回折光強度を取得し、また、被検査画像取得を実施する。処理・制御部１００の情報処理手段１０１は、透過照明部１０、Ｘ−Ｙ−θステージ部２０、アライメント用撮像部３０及び回折光強度測定部兼撮像部４０の動作管理及び制御を行う。 （もっと読む）

【課題】短波長領域のリソグラフィにおいて、マスクに付着した異物の転写パターンへの影響の調査、異物の定量的な検査評価のため、反射率の異なる擬似異物の形成方法を提供する。
【解決手段】ガスノズルから原料ガスを放出して前記原料ガスをフォトマスク上に吸着し、前記原料ガスを吸着させた部分に、イオンビーム又は電子ビームを照射して前記フォトマスク上に擬似異物となるデポジション膜を形成するフォトマスク上の疑似異物の形成方法において、前記原料ガスを放出する流量又は前記イオンビーム若しくは前記電子ビームの照射量の調節を行うことにより、形成される疑似異物の反射率を制御することを特徴とする擬似異物の形成方法、及びそれを利用して作製した検査装置用欠陥フォトマスク。 （もっと読む）

【目的】検査処理の運用をできるだけ妨げないでレーザ光源の保守を行う検査システムを提供する。
【構成】パターン検査システム１００は、レーザ光源装置１０３と、前記レーザ光を照明して、被検査試料のパターンの光学画像を取得する光学画像取得装置１５０と、前記光学画像を入力し、前記光学画像を比較対象画像と比較する比較装置１４０と、前記レーザ光源装置と前記光学画像取得装置とを制御する制御装置１６０と、を備え、制御装置１６０は、定期的に前記レーザ光源装置からレーザ光源装置１０３の保守動作の必要性の程度を示す識別子と前回保守動作を行なってからの経過時間とを入力し、前記識別子と前記経過時間との少なくとも１つに基づいて保守動作実行コマンドを前記レーザ光源装置に出力し、前記レーザ光源装置１０３は、前記保守動作実行コマンドに基づいて、前記レーザ光源装置１０３の保守動作を実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、検出感度を向上させることができるパターン検査装置及びパターンを有する構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】被検査体に形成されたパターンの光学画像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、テンプレートを構成する画素における論理を任意に設定することができる可変テンプレートを有するテンプレートマッチング部と、前記検出データと、前記参照データと、を比較して欠陥部を検出する欠陥検出部と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトマスクの特性を検出することができるフォトマスクの特性検出装置およびフォトマスクの特性検出方法を提供する。
【解決手段】被検出体に形成されたパターンの光学像に基づいて検出データを作成する検出データ作成部と、前記パターンに関する参照データを作成する参照データ作成部と、特性の検出対象となるパターンに対応する参照パターンと、前記参照パターンの位置情報と、を前記参照データから抽出する抽出部と、前記参照パターンに基づいて特性を検出する領域を設定するとともに、前記位置情報に基づいて前記検出データから前記特性の検出対象となるパターンを抽出する第１の領域設定部と、前記特性を検出する領域における前記特性の検出対象となるパターンの特性を受光面上に結像された光学像を光電変換することで検出する検出部と、前記検出された特性を集計する集計部と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの特性検出装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】メタルマスクの不良有無を精密で安定的に検査することができるマスク不良検査装置を提供する。
【解決手段】マスク不良検査装置１００は、検査対象であるメタルマスクＭＭが置かれる支持台３１と、前記支持台の両側に配置されて、前記メタルマスクの両側周縁を固定するクランプ部３２と、前記クランプ部によって固定された前記メタルマスクに引張力を加えるテンション部３３とを含む引張ジグユニット３０;及び前記引張ジグユニットによって固定されたメタルマスクを検査する検査ユニット２０；を含み、前記支持台上に置かれた前記メタルマスクと前記検査ユニットとの間の垂直方向の距離ｄ１は、前記クランプ部及び前記テンション部と前記検査ユニットとの間の垂直方向の距離ｄ２と同一または短く形成される。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを有する製品のパターン計測を含めた検査のために照明光によるパターン画像を撮像する方式の検査装置において、簡便に検査領域外からの光の外乱影響を除去する検査装置を提供すること。
【解決手段】平面基板２ａを載置するステージ１と、このステージに載置された平面基板の被検査物２ｂを照明する光源７と、被検査物を撮像する撮像装置８とを備えるパターン検査装置であって、平面基板に略平行に近接して設けられた液晶シャッター４を備え、この液晶シャッターが、被検査物の検査対象領域３に応じて、遮光領域５と透光領域６とを可変分割形成できるものである。 （もっと読む）