【課題】従来技術では、メモリセル部等の繰り返しパターン部分以外では、検出感度（最小検出異物寸法）が低いという課題がある。これは空間フィルタの遮光パターンが一様であることに起因している。
【解決手段】本発明は、基板の異常を検査する検査装置において、基板に光を照明する照明光学系と、前記基板からの光を検出して像として結像する検出光学系と、前記像を用いて前記異常を検出する処理部と、を有し、前記検出光学系は、フーリエ面に配置された薄膜を有し、前記薄膜は、前記パターンに対応した遮光パターンを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い，結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】
ヘッド先端部に接触センサを搭載し欠陥との接触によりこれを検出する方法によっては、欠陥検出時に欠陥を引きずりウエハ表面に傷をつける可能性がある。
【解決手段】
試料の表面に照明光を照射するプリスキャン照射工程と、散乱光を検出するプリスキャン検出工程と、該散乱光に基づき該試料の表面に存在する所定の欠陥の情報を得るプリスキャン欠陥情報収集工程と、を備えるプリスキャン欠陥検査工程と、該試料の表面と近接場ヘッドとの距離を調整して該試料の表面を照射する近接場照射工程と、近接場光応答を検出する近接場検出工程と、該近接場光に基づき所定の欠陥の情報を得る近接場欠陥情報収集工程と、を備える近接場欠陥検査工程と、該所定の欠陥の情報をマージして該試料の表面に存在する欠陥を検査するマージ工程と、を有する試料の表面の欠陥検査方法である。 （もっと読む）

【課題】サンプルの異常を検出する光学装置において、より広範囲な用途に使用され、感度と性能が改善されたコストのより低い改良された表面検査システムを提供する。
【解決手段】サンプル１８の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第１の光学機器１２と、第１の検出器アレイ３２と、第１の光線１６から生じ、サンプル表面上の照明される領域２０から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第１のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器３０と、を備え、前記第１の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器１０６を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅を測定可能であるとともに、繰り返しパターンの下層部の状態を検出可能な表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および繰り返しパターンの下層部の状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い線幅感応瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、線幅変化の影響を受けない線幅不感応瞳内位置での階調値から繰り返しパターンの下層部の状態を求める。 （もっと読む）

【課題】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を電子顕微鏡等で詳細に観察する装置において、観察対象の欠陥を確実に電子顕微鏡等の視野内に入れることができ、かつ装置規模を小さくできる装置を提供する。
【解決手段】光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布偏光素子及び空間フィルタを挿入する構成とする。光学式欠陥検査装置または光学式外観検査装置で検出した欠陥を観察する電子顕微鏡5において、欠陥を再検出する光学顕微鏡14を搭載し、この光学顕微鏡14で暗視野観察する際に瞳面に分布フィルタを挿入する構成とする。 （もっと読む）

【課題】検査時における照明光の光量を安定させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、照明部が、ランプハウス６１からの光のうち所定の波長領域の光を透過させるバンドパスフィルターが設けられた波長選択機構７０，７５を有し、当該バンドパスフィルターを透過して得られた所定の波長領域の光を照明光として被検基板１０の表面に照射するように構成されており、紫外光を遮断するＵＶカットフィルター６５がランプハウス６１と波長選択機構７０，７５との間の光路上に挿抜可能に設けられ、非検査時にＵＶカットフィルターが光路上に挿入され、また前記ＵＶカットフィルターの保持基板に「(1)熱線吸収膜(2)熱線反射膜及び熱線吸収膜の積層膜(3)熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜(4)熱線反射膜及び熱伝導性膜の積層膜(5)熱線反射膜、熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜の」うちのいずれかが設けられている。 （もっと読む）

【課題】高スループットかつ高感度の欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】広帯域波長の照明を用いて結像性能を向上させることが有効である。そこで、従来の屈折型光学系より広帯域波長の照明が使用可能な反射型光学系を用い、更に良好な収差状態を得られるレンズ外周部の円弧形状のスリット状視野にする。しかしこの方式は、受光面での各検出画素寸法の違いによる明るさの差と、センサの出力配列を視野内の位置座標に対応付けることが課題である。課題を解決するために、明るさの差及び座標を画素位置に応じて個別に補正する。 （もっと読む）

【課題】非透過層の表面上の欠陥のみを判別可能とすることで、歩留り向上につなげることができる外観検査システムおよび外観検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カメラで撮像される画像において波長ごとに焦点距離が異なることを利用して、波長の短い青色成分については光透過層１０２の表面近くで焦点が合い、波長の長い赤色成分については非透過層１０１の表面近くで焦点が合うように、レンズ１１−対象物１００間の距離を設定する。これにより、撮像画像においては、光透過層１０２の表面上の欠陥に関しては赤色成分の方が輪郭がぼやけて面積が大きくなり、非透過層１０１の表面上の欠陥に関しては青色成分の方が輪郭がぼやけて面積が大きくなる。そこで、画像処理装置では、撮像画像の赤色成分と青色成分とを比較することで非透過層１０１上の像か否かを識別し、非透過層１０１の表面上の欠陥のみを判別する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ膜厚の変動が疑似欠陥として検出されることなく、ＳＯＩウェーハの表面近傍を正確に検査することができるＳＯＩウェーハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記ＳＯＩウェーハからの検出光を検出して前記ＳＯＩウェーハの表面近傍を検査するＳＯＩウェーハの検査方法において、検査対象の前記ＳＯＩウェーハの埋め込み絶縁層の厚さに応じて、前記ＳＯＩウェーハへの照射光の波長及び／又は前記ＳＯＩウェーハからの検出光の波長を設定することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

度量衡計測は、半導体デバイス製造中に、ａ）一部製造されたデバイスの層内に形成された第１の試験セルに対する第１回計測をモデリングし、ｂ）層内の第２の試験セルに対し第２回計測を行ない、ｃ）第２回計測値から第１回計測値のモデリングへ情報をフィードし、第１と第２の試験セルを含む層上に平版印刷パターンが形成された後、ｄ）それぞれａ）とｂ）からの情報を用いて第１と第２の試験セル上でそれぞれ第３回計測と第４回計測をモデリングすることにより実行される。 （もっと読む）

【課題】 バンドパスフィルタを用いて制限した光を被検物の表面に当てて、その反射光により被検物の表面を安定的に観察する。
【解決手段】 被検物を照射する光の光源と、該光源の光から所定の波長成分を選択する波長選択部と、前記波長選択部で選択される波長成分を連続的に調整する波長調整部と 前記選択された光で前記被検物を照明する照明光学系と、前記照明された前記被検物の検査を行う検査光学系を用いる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ減衰の改善効果が、外部環境の状況に依存せずに得られる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】複数のラインに沿って電子線１６を走査し、走査上の観察試料４から発生した二次電子１４に基づいて観察信号を生成させる電子顕微鏡２０において、ラインの走査の直前又はライン同士の走査の間に、電子線１６に標準信号発生用試料５を走査させて、発生させた二次電子１４に基づいて標準信号を生成させ、標準信号を周波数空間のスペクトルに変換し、標準信号のスペクトルと標準信号のノイズが無い場合の理想信号のスペクトルとの差分の信号のスペクトルを生成し、差分の信号を減衰させるフィルタをフィルタ処理部１５に設定し、フィルタを用いて観察信号にフィルタ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１に検査光を照射する照明手段１０と、ウェーハ１からの散乱光を検出し画像信号を出力する検出手段２０と、ウェーハ１上の各検査エリアの配置情報を記憶した座標管理装置１４０と、検出手段２０で検出された検査エリアの画像信号を参照エリアの対応画素の画像信号と比較して両者の差分を検出するとともに、検査エリアの配置情報を基にウェーハエッジ１ａに掛かる不完全な検査エリアを認識し、不完全な検査エリアを検査する場合に当該不完全な検査エリア内のウェーハエッジ１ａよりも外側の検査データを有効データから除外する画像処理装置１２０と、検査エリア及び参照エリアの対応画素の画像信号の差分をしきい値と比較して異物の有無を判定する異物判定装置１３０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い感度で高速に検査を行うことが可能な検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、ウェハＷの表面に照明光を照射する照明部１０と、照明光が照射されたウェハＷの表面からの光を検出する２次元撮像素子３３と、２次元撮像素子３３により検出された光情報を読み出して、当該光情報に基づきウェハＷの表面を検査するとともに、２次元撮像素子３３における検査に適する部分を求めるＣＰＵ４３とを備え、２次元撮像素子３３は、光情報を画素単位で部分的に読み出すことが可能なＣＭＯＳイメージセンサであり、ＣＰＵ４３は、２次元撮像素子３３における検査に適する部分の光情報のみを読み出して検査するようになっている。 （もっと読む）

【課題】複数波長を搭載した暗視野検査装置では、波長に応じて回折光の位置が異なるため、全ての回折像を遮光した場合、解像度が低下する問題がある。また、液晶フィルタのような２次元アレイ状のデバイスを用いる場合、特定の偏光しか検出できず、検出する偏光と直交方向に振動する偏光特性を有する欠陥の散乱光を遮光して欠陥を見逃すことになる。このため、レンズの解像度を低下せず、欠陥散乱光の偏光特性にも依存されずに検出感度の高い欠陥検査方法とその装置を提供する。
【解決手段】検出光路を波長分岐或いは偏光分岐の少なくても一つ以上の分岐を行い、分岐後に２次元アレイ状の空間フィルタを配置し、回折光のみを前記２次元アレイ状の空間フィルタにて遮光することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
反射屈折型対物レンズを用いた垂直落射照明を行う場合、反射屈折型対物レンズ中心を通過する欠陥からの正反射光が結像されないため、検出面ではフレア成分となり低SNになる。
【解決手段】
光源と、前記光源から照射された照明光を反射させるハーフミラーと、前記ハーフミラーにより反射された照明光による試料からの反射光を集光させる反射屈折型対物レンズと、前記反射屈折型対物レンズを透過した前記反射光を結像させる結像レンズと、前記試料からの正反射光が前記結像レンズにより結像する位置に設けられた遮断部材を有するリレーレンズと、前記遮断部材により前記正反射光が遮断された反射光を検出する検出器とにより構成される検査光学系と、前記検出器で検出された信号に基づき前記試料の欠陥を検出する演算処理部とを有する欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】
被検査物の検査により得られたパターン信号の飽和による欠陥の見逃しを防ぎ、早期に欠陥発生の原因究明ができる欠陥検査装置および欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】
パターンが形成された被検査物にレーザ光を照射し、該被検査物からの信号を検出して欠陥を検出する欠陥検査において、被検査物に関するレイアウトデータに含まれるパターン情報を入力し、該入力されたパターン情報から被検査物の複数の被検査領域毎に、配置，繰り返し性，粗密のうちの少なくともいずれかひとつを判定し、該判定結果に基づいて検出した信号の飽和レベルを予測し、該信号が飽和しないような透過率条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構造面を検査対象とする場合であっても、フィルタ設定に手間が掛からず、欠陥を高精度に検出可能な欠陥検出方法の提供。
【解決手段】本発明は、検査画像取得工程と、検査画像を構造物間の境界を成すエッジに基づいて複数の検査領域４１〜４４に分割する領域分割工程と、検査領域をエッジに沿った方向または検査画像の端縁に沿った方向に走査し、当該検査領域の角ｐ_１〜ｐ_６を検出する角検出工程と、隣合う角同士を結ぶ領域分割線分の傾きを求める傾き取得工程と、前記領域分割線分を基準として、当該領域分割線分の傾き方向に対応したフィルタを適用するフィルタ適用領域Ｒ１等を設定するフィルタ適用領域設定工程と、フィルタ適用領域Ｒ１等毎に、対象画素の濃度値とこの対象画素から領域分割線分の傾き方向に沿って対角に配置された比較画素の濃度値とを演算するフィルタを適用するフィルタ処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、半導体基板の欠陥を検出するための方法であって、半導体基板を提供し、基板の検査画像Iを作成し、画像処理により画像Iから画像Kを作成し、画像Kを二値化することで画像Bを作成し、画像Bを使って画像Iを調べる工程を有し、画像Kを作成する工程は、画像Iにハイパス畳み込みフィルタをかけた画像G(I)と第一のウエイト画像W1とを乗算することを含む、検出方法に関する。本発明は、またこの方法を応用するのに適した装置にも関する。 （もっと読む）