【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】回折格子の形状特徴物などの小寸法の形状特徴物のプロフィールを見出すためのシステムを提供する。
【解決手段】シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。回折構造および関連するフィルムを測定するとき、反射率Ｒ_s，Ｒ_pなどのいろいろな放射パラメータおよび楕円偏光パラメータを使用することができる。放射パラメータのうちのあるものは、該プロフィールまたは該フィルムのパラメータ値の変化に対してより敏感な１つ以上の放射パラメータを選択してより精密な測定に到達することができる。プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法に関し、簡便に裏面の粗さを評価することができるようにする。
【解決手段】エッチングされた半導体ウェーハの裏面の凹凸成分のうちの特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度を反映する特定入射角で測定された光沢度を求める光沢度取得工程（Ａ１０〜Ａ３０）と、その光沢度が許容範囲内に収まっているか否かを判定することによりウェーハ裏面の粗さを評価する評価工程（Ａ４０）とを備え、このとき、特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度は、ウェーハ裏面と静電チャックプレートの吸着面との間に熱交換媒体として供給される不活性ガスのリーク量と相関するパワースペクトル密度であり、許容範囲は上記リーク量の範囲と相関する許容範囲であるものとする。 （もっと読む）

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。 （もっと読む）

【課題】少ない情報で波形ライブラリの作成を可能にし、かつ、小さな波形ライブラリで高い計測分解能を達成する。
【解決手段】プロセスパラメータを変化させてパターンの断面形状をシミュレーションにて予測し、予測した断面形状から分光波形をシミュレーションにて算出し、各プロセスパラメータに対応づけることにより波形ライブラリを形成する。該波形ライブラリを参照することにより、所望の形状が得られるように設定されたプロセスパラメータを用いて実際に作成された計測対象としてのパターンから実際に取得した分光波形に対応する最適なプロセスパラメータを算出し、得られた最適なプロセスパラメータに対応する最適なパターン断面形状を生成して計測を行う。 （もっと読む）

【課題】 バンドパスフィルタを用いて制限した光を被検物の表面に当てて、その反射光により被検物の表面を安定的に観察する。
【解決手段】 被検物を照射する光の光源と、該光源の光から所定の波長成分を選択する波長選択部と、前記波長選択部で選択される波長成分を連続的に調整する波長調整部と 前記選択された光で前記被検物を照明する照明光学系と、前記照明された前記被検物の検査を行う検査光学系を用いる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面状態、異物や欠陥から発生する反射光が、膜種や膜厚，表面粗さのヘイズ成分に畳重し、固定のしきい値では、正確なヘイズ成分の測定が困難であった。
【解決手段】被検査体表面上のヘイズ成分を検出する際、前記被検査物体からの光を検出して電気信号に変換し、前記電気信号を所定のサンプリング時間間隔でサンプリングしてデジタルデータに変換し、前記デジタルデータから異物欠陥等に対応する周波数成分を分離して、表面に付着する染み，かすみ状の曇り，表面粗さ分布などに対応するヘイズ周波数成分を選択する。 （もっと読む）

【課題】簡便に試料温度に起因するラマンスペクトルのピーク位置のシフトを補償して、正確な歪量を測定する。
【解決手段】レーザ光を発するレーザ装置１０と、レーザ光を集光してウェーハ８０上に照射する集光照射機構６０と、レーザ光のウェーハ８０上への照射パワーを調整する照射パワー調整手段３０と、ウェーハ８０上にレーザ光が照射されることにより発せられたラマン散乱光を受光してラマンスペクトルを測定する分光器１１０及びＣＣＤ検出器１２０とを備える。コンピュータ１００は、照射パワー調整手段３０により調整された異なる複数の照射パワーのそれぞれについてラマンスペクトルのピーク位置を求め、求められた複数のピーク位置を線形補間して照射パワー無限小におけるラマンスペクトルのピーク位置を求め、この求められたピーク位置からウェーハ８０のレーザ光の照射位置における歪量を算出する。 （もっと読む）

【課題】検出速度と検出感度をさらに改善することができるウエハ検査装置を提供する。
【解決手段】ウエハ検査装置であり、各照明光線路（２０ａ）内に１以上の照明装置（２０）が配置され、ウエハ（２３）の表面（２２）上に照明光線を照射する。検出光線路（２１ａ）が検出装置（２１）により規定され、検出装置（２１）はウエハ（２３）の表面（２２）上を走査方向に移動可能な１以上の照明範囲（２６）のデータを複数の異なるスペクトル範囲で検出する。１以上の照明装置（２０）は連続光源である。 （もっと読む）

【課題】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの表面構造を、広範囲に短時間で評価できる半導体ウェーハの評価方法および評価装置を提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有する半導体ウェーハの評価方法であって、近接場光を、半導体ウェーハ上を走査しながら照射する手順と、半導体ウェーハから生じるラマン散乱光を受光する手順と、受光したラマン散乱光を分光器により分光しラマンスペクトルを導出する手順と、導出したラマンスペクトルから平坦面の幅（テラス幅）を算出する手順を有することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法およびこれを実現する評価装置。 （もっと読む）

【課題】溝パターンの深さを精度よく求める。
【解決手段】トレンチ形状測定装置１では、所定の溝方向に伸びる溝パターンが測定領域９３に形成された基板９が保持部２１にて保持される。基板９の測定領域９３には光照射部３により照明光が照射され、測定領域９３からの照明光の反射光が分光器５の回折格子５２にて分光されることにより、測定分光反射率が取得される。このとき、トレンチ形状測定装置１では、回折格子５２の格子方向に対応する基板９上の方向が溝方向と４５度をなす状態で、回折格子５２が配置されているため、溝パターンの影響により基板９からの反射光の振動方向が限定される場合であっても、反射光の偏光の影響を受けることなく測定領域９３の分光反射率を正確に求めることができ、溝パターンの深さを精度よく求めることができる。 （もっと読む）

【課題】合理的な測定時間内に十分な測定点数を伴った、シリコンウェーハの最表面層の歪分布を測定することが可能なシリコンウェーハ表面歪分布測定装置を提供する。
【解決手段】アルゴンイオンレーザ１０から発せられる波長約３６３．８ｎｍの紫外光を集光照射機構４０等を介して測定対象試料６０であるシリコンウェーハ上に集光させる。紫外光が照射されるシリコンウェーハ上の領域から発せられたラマン散乱光は、集光照射機構４０を介してモノクロメータ式の分光器８０に入射される。ＣＣＤ検出器９０の映像信号からラマン散乱光のエネルギ分布を演算し、紫外光が照射されるシリコンウェーハの領域における歪量を演算する。このシリコンウェーハ表面の歪分布は、コンピュータ１００等によりマッピング表示される。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス中にウエハの微小領域のひずみ量を測定する。
【解決手段】シリコン基板をＦＩＢにて、ボックス加工して露出させたシリコン断面や表面の応力やひずみ量をラマン分光によって定量的に測定する。 （もっと読む）

【課題】改良された検査装置及び検査方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットを照射するための照明ビームを提供するようになされた照明システムと、このターゲットから非ゼロ次数回折方向に散乱する放射を検出するようになされた第１の検出システムとを備えた検査装置であって、この検出システムが、ターゲットから非ゼロ次数回折方向に散乱する放射を分散させるための分散エレメントと、該分散エレメントによって分散する放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された放射感応デバイスとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 照明光の輝度を上げても光学顕微鏡の視野のサーマルドリフトが生じにくく、ウェーハ上の微小な異物も確実に検出・同定できる顕微ラマン微小パーティクル発見装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハＷ上の異物の形状を観察するための光学顕微鏡１３と、レーザー光源２と、レーザービームＬＢを光学顕微鏡１３によるウェーハＷ表面上の観察視野に導き該観察視野上の異物に絞り照射するとともに、当該レーザービームＬＢによって励起された異物からのラマン散乱光を分光するラマン分光部１２と、光学顕微鏡１３内にて観察視野を照らし出すための照明機構３０とを備える。照明機構３０は、第一端部側に観察視野に向けて照明光を照出する照明光照出部を有するとともに、第二端側が観察視野から光学顕微鏡１３外に延出するライトガイド部３２と、該ライトガイド部３２の第二端側に照明光を供給する光源２３とを有してなる。 （もっと読む）

【課題】サンプルを検査するための改良された検査装置を提供すること。
【解決手段】放射線ビームを提供するように構成された放射システムと、サンプルの平坦な基準部及びサンプルのパターン形成済み部にそれぞれ向けて送られる第１の照明ビーム及び第２の照明ビームを放射線ビームから生成するように構成されたビームスプリッタと、平坦な基準部及びパターン形成済み部から散乱された放射線の再結合を含む検出ビームを検出するように構成されたビーム検出器とを有する検査装置が開示される。 （もっと読む）

ウェーハ全体に亘る高寸法均一性を得るように後続半導体処理段階を制御するためにウェーハにおいて複数の位置を測定する方法及び装置を提供する。その方法及び装置は、処理寸法マップを作成するように複数の位置において特徴の寸法をマッピングし、寸法マップを処理パラメータマップに変換し、そして、その特定のウェーハに対して後続処理段階を調節するように処理パラメータマップを用いる。ウェーハはまた、目的の出力と実際の出力とを比較するために処理後に測定され、その差分は、後続のウェーハのために寸法マップから処理パラメータマップへの変換を改善するように用いられる。
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本発明は、下地層からのノイズ光を確実に減らすことができ、良好な欠陥検査を行える欠陥検査装置および欠陥検査方法の提供を目的とする。そのため、上層に周期パターンが形成されたレジスト層を有する被検基板１１に対して、照明光を照射する照明装置１３と、照明光の照射により被検基板から発生した光に基づいて、被検基板の像を形成する結像光学系１４とを備える。そして、照明光の波長は、被検基板から発生した光のうち、レジスト層の表面からの光の強度が、レジスト層の下方に形成された周期パターン層の表面を経た光の強度より大きくなるように設定される。 （もっと読む）