【課題】結晶ウェハにより製造した３次元湾曲型Ｘ線反射レンズによる分光光学系により測角器を必要としない小型化に適した蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源とＸ線結晶分光器とＸ線検出器によってなる蛍光Ｘ線分析装置であって、１方向の長さが25mm以上300ｍｍ以下で板状単結晶からなる３次元形状に湾曲した１枚のＸ線結晶分光器と、位置敏感かつエネルギー分解能力のあるＸ線検出器の少なくとも何れか一方を用いることにより、結晶分光器の角度走査をすることなくＸ線の分光波長帯域の蛍光Ｘ線分析を行う。 （もっと読む）

【課題】測定感度および測定精度が高く、効率の良い、半導体ウェハプロセス用希ふっ酸溶液の不純物分析方法を提供すること。
【解決手段】希ふっ酸溶液を浸漬槽から採取するＡ工程と、液中のＳｉの質量数２８、Ｐの質量数３１およびＰＯ不純物の質量数４７の質量スペクトル強度を計測するＢ工程と、採取した希ふっ酸溶液を乾燥濃縮して固形化するＣ−１工程、この固形物中のＳｉ、Ｐ、ＰＯ元素の真空中でのエネルギー強度を測定するＣ−２工程と、前記固形物の真空中での質量スペクトル強度を計測するＣ−３工程、Ｃ−３工程で求めた目的の不純物の質量スペクトル強度とマトリックス質量のスペクトル強度とを合わせたスペクトル強度と目的の不純物の質量スペクトル強度との強度比を求め、この強度比によって前記Ｂ工程で求めた質量スペクトル強度を補正して、希ふっ酸溶液中のＳｉ、Ｐ，ＰＯの真の不純物量を求める。 （もっと読む）

【課題】結晶構造を有する試料から発生する散乱線および不純線を抑制し、回折Ｘ線を回避することができるＸ線分析装置等を提供する。
【解決手段】本発明のＸ線分析装置は、試料Ｓを試料Ｓの所定点周りに回転させながら１次Ｘ線２を照射し、試料Ｓから発生する２次Ｘ線４の強度を試料Ｓの回転角度と対応させた回折パターンを取得して記憶し、回折パターンを、２次Ｘ線４の強度を示す直線で強度の高低方向に走査しながら、直線が示す強度以下の強度をもつ回折パターン上の点を候補点とし、隣接する候補点間の回転角度差の最大値が所定の角度になったときに走査を止めて候補点の回転角度を記憶し、試料Ｓの測定点の座標に応じて、記憶した候補点の回転角度の中から測定点の座標に最も近い回転角度を読み出し、読み出した回転角度に試料Ｓを設定するとともに、試料Ｓの測定点を検出器７の視野Ｖ内に配置する。 （もっと読む）

【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】表面形状と内部構造との双方を計測する。
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の好適な実施形態は、ラメラを基板表面を有する基板から抽出するための装置であって、１以上のステージ・コントローラに接続された基板用の可動ステージと、マイクロプローブと、可動ステージ上に設けられて基板を保持する基板ホルダと、基板ホルダが基板を保持しているときに基板表面に対してある斜角で基板表面に光を当てるための斜照明と、基板を撮像する光学顕微鏡とを備える。 （もっと読む）

【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊（ＥＳＤ）を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。 （もっと読む）

【課題】画像形成システムを用いて対象領域の三次元モデルを生成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、ｘ線画像形成システムにおいて、ターゲット・オブジェクト上の対象領域の三次元表現を生成する方法を提供する。本方法は、既知の幾何学的形状の基準マーカーを使用する。対象領域及び基準マーカーが、複数の所定位置において画像形成される。各々の所定位置についての基準マーカーの予測される画像を計算し、各々の所定位置における基準マーカーのキャプチャされた画像と比較する。予測される画像とキャプチャされた画像との間の相違を用いて、各々の所定位置についての対象領域の修正された画像を生成し、これらの修正された画像を用いて、対象領域の三次元モデルを生成する。本方法は、高価な機械的位置決めシステムを必要とすることなく、ｘ線画像形成システムにおける対象領域の有用な三次元モデルを生成することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】基板が含む検査対象に３次元的な変位が生じても、検査対象の正確な位置に基づいて検査を実行させる技術を提供する。
【解決手段】検査対象と測定点とを含む平面状の基板に対して互いに方向が異なる第１照射方向および第２照射方向に放射線が照射されるように、基板が保持される保持基準位置と放射線発生器の焦点位置との少なくとも一方を移動させる移動制御手段と、基板に対して第１照射方向に放射線を照射した場合における相対焦点位置と相対投影位置とを結ぶ直線と、基板に対して第２照射方向に放射線を照射した場合における相対焦点位置と相対投影位置とを結ぶ直線との交点の位置を測定点の位置として特定する測定点位置特定手段と、測定点の位置に基づいて特定した検査対象の位置について検査を実行する検査手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面処理を行ったフィルム、ここでは薬剤による化学的処理や微細形状加工などを除く、不安定で失効しやすい表面改質処理を行なったポリマーフィルムを対象とした評価を行うに当り、測定用装置によって生じたダメージに起因する誤差を修正して、より正確な初期表面状態を容易かつ簡便に評価可能な技術を提供することを課題とする。
【解決手段】コロナ処理など不安定な表面改質処理を行ったポリマーフィルムについて、その表面状態を定量的に評価するに際し、測定用装置によって生じたダメージに起因する誤差を修正して、より正確な初期表面状態の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】ステージの正しい高さと実際の高さとのズレを割り出し、該ズレを補正することができるパターン計測装置、ステージ高さ調整方法およびパターン計測方法を提供する。
【解決手段】パターン計測方法は、計測対象である周期構造のパターンが形成された基体を支持するステージと、前記ステージの位置と高さを制御するステージ制御手段と、電磁波を生成し、任意の仰角で前記基体へ照射する電磁波照射手段と、前記基体で散乱された電磁波の強度を検出する検出手段と、データ処理手段と、ステージ高さ補正手段と、を持つ。前記データ処理手段は、周期が既知である周期構造の領域に、照射位置を変えながら前記電磁波を照射して得られた検出信号から散乱プロファイルを作成し、該散乱プロファイルから前記周期が既知である周期構造の周期を算出し、算出された周期と前記既知の周期とのズレ量を算出して前記ステージの高さの位置のズレ量を算出する。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】皮膜付き鋼板などの試料の表面に生じたクラックをより適切に評価し得るクラック評価方法を提供する。
【解決手段】試料表面に発生したクラックを評価するクラック評価方法であって、上記試料表面に金属薄膜を成膜する工程と、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて上記金属薄膜の反射電子像（ＢＳＥ像）を取得する工程と、上記取得したＢＳＥ像に基いて上記クラックを評価する工程と、を備えるクラック評価方法。 （もっと読む）

【課題】磁石は、構成元素およびその組成により特性が大きく異なるが、従来の磁石のリサイクル方法では組成による選別が行われていなかった。そのため、回収された磁石には種々の組成の、特性の異なった磁石が混在しており、個々の元素の酸化物のような粗原料まで精製してから新たな再生磁石を製造する必要があった。
【解決手段】磁石を搭載した使用済み製品について、搭載されている磁石がネオジム磁石か否かを選別し、更にネオジム磁石中のＤｙ組成によりネオジム磁石を選別、回収することにより、品質が良好で安定した磁石のリサイクル原料を効率よく製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】検査精度および検査速度の低下が防止できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置がアーチファクトを認識するために実行する処理は、撮像条件１の再構成画像から断層画像Ｓ１を取得するステップ（Ｓ５１０）と、撮像条件２の再構成画像から断層画像Ｓ２を取得するステップ（Ｓ５２０）と、断層画像の差分（Ｓ１−Ｓ２）を計算するステップ（Ｓ５３０）と、差分の絶対値が閾値以上であればアーチファクトと判断するステップ（Ｓ５４０）とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力・歪測定およびRHEEDによる構造解析を同時に行なえる、非固定式通電加熱ホルダーを提供すること。
【解決手段】ホルダー本体と、ホルダー本体に電気的に絶縁した状態で固定設置されている2個の試料設置台座と、試料設置台座に対応して設けられ、電極間に試料をフックした上で前記試料を通電加熱可能な2個の電極と、前記2個の電極の位置を、前記試料設置台座に対して垂直方向に摺動自在に保持する電極保持手段と、2個の試料設置台座に対応して設けられ、かつ前記ホルダー本体と電気的に接地されており、前記ホルダー本体が下向きにされた際に、前記試料の重力落下を防止し、同時に前記試料と電気的に接続される爪を備えた2個のアース板から構成される。 （もっと読む）

【課題】実際のゴム材料から精度良くシミュレーション用のゴム材料モデルを定義しうる方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料のシミュレーション方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程Ｓ１と、撮像工程で得られた画像からトモグラフィー法により前記ゴム材料の３次元構造を構築する工程Ｓ２と、前記３次元構造からゴム材料モデルを設定するモデル設定工程Ｓ３乃至Ｓ４と、前記ゴム材料モデルに基づいて変形シミュレーションを行う工程Ｓ５とを含み、前記ゴム材料モデルは、充填剤モデルと、前記充填剤モデルを囲むとともにゴムが有限個の要素で分割されたゴムモデルとを含み、該ゴムモデルには、変形速度に応じて発生する応力が異なる変形速度依存性が定義されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】実際の実環境において部材に発生した損傷部について、正確且つ簡略に損傷の原因を検査可能な検査方法を提供すること。
【解決手段】部材（１０）に発生した損傷部（１１）を被覆するように樹脂材料（１２）を塗布する保護工程と、前記損傷部（１１）を切り出すサンプリング工程と、前記樹脂材料（１２）が形成された状態で前記損傷部（１１）の分析を行う検査工程とを設ける。また、前記保護工程は、前記サンプリング工程の前に行うことができる。 （もっと読む）