【課題】試料作製装置及び試料作製方法において、簡便な方法により加工対象の試料の膜厚を測定すること。
【解決手段】試料Sに第１の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第１の二次信号Is₁を取得するステップと、試料Sに第２の加速電圧の電子線EBを照射し、試料Sから発生する第２の二次信号Is₂を取得するステップと、第２の二次信号Is₂と第１の二次信号Is₁との比Is₂／Is₁を算出するステップと、比Is₂／Is₁が試料Sの膜厚tに依存することを利用し、比Is₂／Is₁に基づいて膜厚tを算出するステップと、算出した試料Sの膜厚tに基づき、膜厚tが目標膜厚t₀となるのに要する試料Sの加工量を算出するステップと、試料SにイオンビームIBを照射して上記加工量だけ試料Sを加工して、膜厚tを目標膜厚t₀に近づけるステップとを有する試料作製方法による。 （もっと読む）

【課題】連続試料を扱う生産ラインの全面測定装置において、フットプリントをなるべく増大させずに、校正動作を行えるようにして厚さ測定の精度安定性を向上させた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源またはライン状放射線検出器または試料の少なくとも一つを一時的に移動させ、前記放射線源とライン状放射線検出器の間から前記試料を除去した後、前記放射線源とライン状放射線検出器の少なくとも一つを移動させた場合は元の位置に移動させ、放射線源とライン状放射線検出器間の空気層を測定するように構成した。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（空きスペース）の削減を図った放射線検査装置を提供する。
【解決手段】放射線源から放射され、シート状の試料を透過してくる放射線を前記試料の流れ方向に対して直角に配置されたライン状放射線検出器により検出し、坪量の測定を行う放射線検査装置において、前記放射線源と放射線センサの位置関係を測定状態に維持したまま試料の幅に対して直角方向に空気層を測定できる程度に僅かに退避させ、退避させた状態で放射線源と放射線センサの間の空気層を測定して校正用データを作成し、記憶手段に保存するように構成した。 （もっと読む）

【課題】
各種のパターンに対応する計測方法については開示されておらず、特に計測対象パターンの両辺が直線乃至は曲線で構成され、両辺が非平行なパターンの計測方法についての開示はない。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成されたパターンを撮像し、撮像画像に基づいてパターン寸法を計測する方法であって、画像上のパターンの両側のエッジ位置を特定するステップと、パターンの第１のエッジ上にある第１の点と、その反対側のエッジである第２のエッジ上にある第２の点において、該第１の点と該第２の点を結ぶ線分と、該第１の点における該第１エッジの第１の接線と、該第２の点における該第２エッジの第２の接線に基づいて計測を行うステップと、該線分の距離を計測するステップを有することを特徴とする半導体パターン計測方法である。 （もっと読む）

【課題】パターンの線幅を精度よく測定できるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供する。
【解決手段】試料の設計データ３０を参照して、設計データ３０上のパターンのエッジの段差がない部分に測定領域３５を設定するとともに、その設計データ３０から特徴部としてエッジ３６ｃ、３６ｄを検出する。また、二次電子像４０から、設計データ３０の特徴部に対応する特徴部としてエッジ４６ｃ、４６ｄを検出する。そして、設計データ３０のエッジ３６ｃ、３６ｄと、二次電子像のエッジ４６ｃ、４６ｄとの位置関係に基づいて測定領域３５を二次電子像４０上に位置合わせして配置する。このようにして配置された測定領域４５内のエッジ間の距離に基づいてパターンの幅を測定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウェーハ上のパターン寸法を計測する方法において、ユーザは計測手法を選定する際に、任意のパターン形状を目視しただけではその適用可否を判断することは難しく、自動で計測手法を選択する場合は、測定対象のパターン形状に適した手法が選定されないことがある。
【解決手段】
電子線により撮像された半導体パターン像の寸法を計測する方法において、ユーザによりパターン上の計測対象部を指定し、パターン計測部から形状情報を抽出し、抽出した形状情報を基に予め作成しておいた計測手法ライブラリから適用可能な計測手法を選定し、選定された手法によりパターンの寸法の計測をし、計測された寸法を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】塗膜下における鋼材の腐食部分の体積を非破壊で測定することができるようにする。
【解決手段】周波数が１００〔ＧＨｚ〕〜１０〔ＴＨｚ〕の範囲の電磁波を用いて被検査物の塗膜層表面の２次元的な計測位置毎に塗膜層を介在させて電磁波測定を行って反射強度の２次元分布計測値を得て、当該２次元分布計測値における計測位置毎の反射光電界を用いて〔ア〕照射光電界反射係数ｌを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求めるか若しくは〔イ〕電界減衰率ｍを算出して計測位置毎の侵入光電界反射係数ｋを求め（Ｓ５）、当該侵入光電界反射係数ｋを用いて計測位置毎に被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食層の厚さｄ_Rを求め（Ｓ６）、当該腐食層の厚さｄ_Rを用いて被検査物の塗膜層下の鋼材の腐食部分の体積Ｖを求める（Ｓ７）ようにした。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さを非破壊で迅速に測定することができるパターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面の観察領域を電子ビームを照射で走査し、観察領域の斜め上方に配置された検出器９９ａによる二次電子の検出信号に基づいて画像（ＳＥＭ画像）を取得し、その画像に現れるパターン８２の影の長さＬを検出する。そして、あらかじ求めた検出器９９ａの試料表面に対する見掛け上の角度θと検出された影の長さＬとに基づいて、パターン８２の高さＨをＨ＝Ｌ×ｔａｎθにより求める。パターン８２の影の長さＬは、例えばパターン８２のエッジ８２ａ、８２ｂと直交するラインＸ−Ｘ上の二次電子の強度分布を抽出し、その二次電子の強度分布の凹部が所定のしきい値Ｉと交差する２点間の距離として求める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、パターンの第１の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第１の部分に相当する領域にビームを走査して第１の測定値を取得し、前記第１の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第２の部分に対し、ビームを走査して第２の測定値を取得し、当該第２の測定値から前記第１の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し（Ｓ３０４、Ｓ３０５）、それらの画像を積算し（Ｓ３０７）、試料上に形成されたパターンの寸法を算出（Ｓ３０８）すると共に、フレーム画像を構成する１フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像（Ｓ３０９，Ｓ３１０）を用いてパターン情報を取得する（Ｓ３１４）。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な作業で、被測定物の腐食状態を把握することができる腐食検査方法を提供する。
【解決手段】
腐食検査方法では、被測定物に外装材が取り付けられた状態で、中性子水分計にて、外装材の水分量についてのカウント値を測定し、カウント値が予め設定された閾値よりも高い場合にのみ、渦電流探傷器にて、被測定物の肉厚を測定する。従って、測定速度が速い中性子水分計にて、多数の被測定物から閾値よりも高い被測定物を特定し、その特定した被測定物についてのみ肉厚測定を実施すればよいので、腐食検査に時間がかからず、簡単な作業で、被測定物の腐食状態を把握することができる。また、特定した被測定物については、肉厚を直接測定するため、簡単な作業で適切な保守管理ができる。 （もっと読む）