【課題】パターン変形や欠陥を定量的に評価できる方法を提案する。
【解決手段】電子顕微鏡により、同一形状及び同一サイズを有するように形成された複数の形成済みパターンを観察し、複数の顕微画像を取得する。次に、当該複数の顕微画像を積算し、積算画像を生成する。一方で、当該顕微画像に対応する参照画像を記憶領域から取得する。次に、積算画像に含まれる所定のパターンのパターン幅を一次元方向について多点測定する。一方で、積算画像と同じパターンを対象に、積算画像と同一地点について、参照画像のパターン幅を多点測定する。この後、積算画像について取得された多点測定結果列と、参照画像について取得された多点測定結果列の間で相互相関係数を算出し、その演算結果より積算画像と参照画像の相関度合いを判定する。 （もっと読む）

【課題】検査準備時間が短く、１ダイの画像検出のみで欠陥判定のできる高速な回路パターン検査方式とその装置を提供する。
【解決手段】設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。位置合わせ座標で検出画像と設計情報の位置合わせを行いずれ量を補正し、同一なパターンが期待できる座標のパターンと比較することにより、１ダイのみの画像検出であってもパターン比較を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡で用いられる倍率校正を自動で安定かつ高精度で行う標準部材を提供する。
【解決手段】 夫々異なる材料を交互に積層させた多層膜断面と、第一のシリコン層を挟み、前記多層膜断面と平行に配置される、複数の第一のマークパターンと、前記多層膜断面に対して、前記第一のマークパターンとは反対側に前記第一のシリコン層よりも厚さの厚い第二のシリコン層を挟んで、前記多層膜断面と平行に少なくとも一対の第二のマークパターンと、前記多層膜断面に対して第一のマークパターンおよび前記第二のマークパターンの外側にシリコン層とを同一面に有する。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】検査対象パターン画像と、設計データ等の検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査対象パターンを検査するパターン検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査対象パターンを製造するために使用するデータから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、検査対象パターン画像を生成する生成手段と、検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、検査手段は、検査対象パターン画像と１回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングし、検査対象パターン画像と２回目の露光の工程に関する基準パターンとをマッチングして、１回目の露光の工程で形成されたパターンと２回目の露光の工程で形成されたパターンとのオーバーレイエラーを検査する。 （もっと読む）

【課題】操作が簡単でかつ短時間で封口部の長さを検査できるハニカム構造体の検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】ハニカム構造体１００の一端面１１２ｄから距離Ｚ１離れた第一断面、及び、ハニカム構造体の一端面１１２ｄから距離Ｚ１よりも大きい距離Ｚ２離れた第二断面のコンピュータ断層画像を取得する工程と、第一断面のコンピュータ断層画像に基づいて、複数の流路の内の少なくとも一つの流路における封口部１１４の有無を判断する工程と、第二断面のコンピュータ断層画像に基づいて、当該少なくとも一つの流路における封口部の有無を判断する工程と、第一断面のコンピュータ断層画像に基づく封口部の有無の判断結果、及び、第二断面のコンピュータ断層画像に基づく封口部の有無の判断結果に基づいて、封口部の長さを判断する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の信号を用いた高精度な寸法測定を実現することを可能にする。
【解決手段】本実施形態は、走査顕微鏡を用いて対象物の寸法測定を行う寸法測定方法であって、前記対象物の測定に関する始点および終点となる測長点を定義する工程と、前記対象物にビームを入射して走査することにより、同時刻における前記対象物からの複数の信号を検出する工程と、前記対象物の測長点の定義に基づいて、前記複数の信号から測長点を決定する工程と、前記対象物において決定された測長点の間の距離を算出する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】半導体回路原版として用いるマスクのパターン寸法を計測する際に、パターンの寸法とともに側壁角度も同時に計測する。
【解決手段】基板表面から放出された二次電子を計数する機構に含まれる波高弁別器９において、一定時間間隔内に検出器に入った電子の個数の計数量を制限することによって、ＳＥＭ画像のパターン側壁に生じるホワイトバンドの幅とパターン側壁角度の相関関係を強調することができ、予め求めたパターン側壁角度とホワイトバンドの幅の相関関係からパターン側壁角度を非破壊で計測することができる。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス溶解窯の操業を継続したまま、溶融鋳造耐火物からなる側壁の厚さをより正確に測定できる溶融鋳造耐火物の残厚測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】ガラス溶解窯の側壁に用いられた溶融鋳造耐火物の残厚測定にあたって、溶融鋳造耐火物の被測定面に接触させる、耐熱温度が２５０℃以上、比誘電率が２以上２０以下、温度拡散率が２×１０^−６ｍ^２／ｓｅｃ以下の断熱板２と、断熱板２を介してパルス状電磁波を被測定面に向かって送信アンテナ３１から送信させる送信機３２と、該パルス状電磁波の前記溶融鋳造耐火物からの反射波を受信アンテナ３３で受信して反射波データを取得する受信機３４と、を有する電磁波探査機３と、から構成される溶融鋳造耐火物の残厚測定装置１及びこれを用いた残厚測定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】周期性のある領域を簡易に且つ精密に設定することが困難であり、検査時に領域に対する位置ずれで誤検出が発生する場合がある。
【解決手段】ストライプ状に電子線画像を連続して取得し、画像の明るさ変化より領域情報を設定あるいは補正することで精密に帯電等の影響も含めた領域情報を設定することができるようになる。
【効果】簡易，短時間に精密に領域を設定でき、領域情報と画像との位置ずれによる誤検出を低減でき、検査結果の信頼性，安定性が向上するため、高感度検査が実現できる。 （もっと読む）

【課題】炉体内面に施された耐火物の残厚を、簡便に高精度に測定する方法を提供する。
【解決手段】鉄皮６内面に耐火物７が施された停機中の炉体５内部から、耐火物厚みｔを測定する耐火物厚み測定方法で、炉体５内部の耐火物７表面に沿って高速中性子線源２と中性子検出器３を配置し、高速中性子線源２から照射される高速中性子の一部が、鉄皮６と線源２及び中性子検出器３の背面に配置した金属板４の間で多重反射されて耐火物７中で熱中性子に変化する一方、照射した高速中性子が耐火物形成物質中の軽元素に衝突して減速し、弾性散乱して戻ってくる熱中性と共に、これらの熱中性子を中性子検出器３で計数して耐火物７中の軽元素の量を求め、この軽元素の量と予め測定して求めておいた耐火物７中の軽元素の量を比較演算することにより耐火物厚みｔを求める。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】微細パターン中の微小なオープン欠陥やショート欠陥を検出する手法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された基板に電子線を照射し、基板から発生する低エネルギーの二次電子および高エネルギーの反射電子を検出してそれぞれの電子から第１および第２のＳＥＭ像を生成する。第２のＳＥＭ像から輪郭を抽出してパターンの輪郭データを取得し、該輪郭データを第１のＳＥＭ像に適用して検査領域を決定し、該検査領域に対して二値化処理を行うことにより、パターンまたは基板の欠陥を検出する。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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