【課題】測定対象物の表面領域を撮影して得た画像に対し表面領域でのセンサによる電磁波の検出値をいわゆるマッピングさせて表示可能なセンサ検出値表示システムを提供する。
【解決手段】主装置３は、センサ２とともに撮影された表面領域１０１の画像であるセンサ込み表面領域画像を用いてセンサ２の表面領域での座標を検出するセンサ座標検出部３２と、カメラ１により撮影される表面領域の画像である表面領域画像とセンサ２により得られる検出値とセンサ座標検出部３２により検出される座標を取得し、表示装置３１に表面領域画像を表示させるとともに座標の位置に検出値を表示させる表示制御部３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】新たな設備を設けないで、被測定物の上下動による誤差を補正し、測定精度の向上を図った放射線厚さ計を提供することを目的とする。
【解決手段】被測定物３を搬送するパスライン平面と垂直な方向で、被測定物を挟むように設けるＣ型フレーム１ｄと、Ｃ型フレームの対向する一方の腕部に設ける放射線源１ａと、他方の腕部に設け、透過放射線を検出する主検出器１ｂと、主検出器１ｂの周囲で、被測定物から散乱する散乱線を検出する副検出器１ｃとを備える検出部１と、主検出器で検出する放射線の増減による出力変化と副検出器で検出される散乱線成分の出力変化とが一致するように予め求められる補正計数を記憶し、前記被測定物が前記パスライン平面と垂直な光軸方向に移動した場合に、副検出器の出力から補正計数を選択して乗じ、さらに、主検出器と副検出器との差を求める補正演算部２ａと厚さを求める厚さ演算部２ｂとを備える演算部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトよって生じるビーム径の増大が引き起こす計測再現性の低下を防止し，機差の発生に対処する機能を有する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料上に収束した一次荷電粒子線を走査して，試料から放出される二次荷電粒子を検出して得られるラインプロファイルを用いて試料上のパターン寸法を計測する荷電粒子線装置において，予めイメージシフト位置とビーム径変化を関連づけるルックアップテーブルを実測あるいは計算により求めて登録しておき，寸法計測時には，ルックアップテーブルを参照してラインプロファイルに対してビーム径変化分を補償するような画像処理を施すことで，イメージシフト位置によらず，実効的にビーム径が等しい状況を作り出す。これによって再現性の優れた荷電粒子線測定を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】 ロール間を走行する磁気テープがバタツキを生じても、磁性膜の膜厚を正確に測定することができる膜厚測定装置および膜厚測定方法を提供すること。
【解決手段】磁気テープＴの表面側に配置したＸ線管球４から所定の入射角で１次Ｘ線ｘ₁ を入射させ、磁性膜３内のターケット元素から発生する蛍光Ｘ線ｆ₁ の強度を入射角に対応する反射角の方向に配置した半導体検出器１１で検出する。また、磁気テープＴの裏面側には表面側のＸ線管球４に対向させてＸ線管球５を配置して１次Ｘ線ｘ₂ を入射させ、ターケット元素から発生する蛍光Ｘ線ｆ₂ の強度を表面側の半導体検出器１１に対向させて配置した半導体検出器１２で検出する。磁気テープＴがバタツキを生じても、半導体検出器１１によって検出される蛍光Ｘ線ｆ₁ の強度のカウント値と、半導体検出器１２によって検出される蛍光Ｘ線ｆ₂ の強度のカウント値との合算値は磁性層３の正確な膜厚を与える。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光用のフォトレジスト等、低Ｓ／Ｎの信号波形による寸法計測が必要な試料においても、精度の高い寸法計測を実現する電子線式寸法計測装置及びそれを用いた寸法計測方法を提供する。
【解決手段】電子線式寸法計測装置（測長ＳＥＭ装置）において、予め、寸法計測対象試料と同種のサンプル試料から得たサンプル信号波形（あるいは画像）の部分波形（あるいは部分画像）を登録しておき、寸法計測対象試料から得られた計測対象信号波形（あるいは画像）と前記サンプル登録波形の波形照合を行い、照合結果に基づき寸法計測対象パターンの寸法値を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置等において、観察画像からパターンの配線幅などの各種寸法値を計測してパターン形状の評価を行うための撮像レシピを、ＣＡＤデータから変換されたＣＡＤ画像を用いた解析により自動生成して生成時間の短縮を図った撮像レシピ作成装置及びその方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピ作成装置において、ＣＡＤデータを基に画像に変換してＣＡＤ画像を作成するＣＰＵ（ＣＡＤ画像作成部）１２５１を、画像量子化幅決定処理部１２５１１と明度情報付与処理部１２５１２とパターン形状変形処理部１２５１３とで構成する。 （もっと読む）

【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウエハなどの基板の表面に形成された薄膜の厚みなどを測定する測定装置に関するものである。本発明の測定装置は、物質にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段（４０）と、マイクロ波照射手段（４０）にマイクロ波を供給するマイクロ波源（４５）と、物質から反射した、又は物質を透過したマイクロ波の振幅又は位相を検出する検出手段（４７）と、検出手段（４７）により検出されたマイクロ波の振幅又は位相に基づいて物質の構造を解析する解析手段（４８）とを備える。
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