第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）

イオン検出器から電子検出器へと切り換え可能な粒子検出器はイオン−電子変換器およびシンチレータ検出器を有する。構成部品への１セットの電圧で、変換器は電子の軌道上で最小限の衝突を有し、それゆえに電子がシンチレータ検出器によって効率的に検出される。構成部品への異なった電圧設定で、大部分のＦＩＢ応用について充分な効率で陽イオンを収集するように検出器が陽イオンのモードで動作することが可能である。このイオン−電子変換器は円筒の形状であるか、または複数の平行プレートを有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や１次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 （もっと読む）