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Fターム[2G001GA10]の内容

放射線を利用した材料分析 (46,695) | 測定内容、条件、動作等関連変数、量ψ (4,673) | H(磁場、磁力) (27)

Fターム[2G001GA10]に分類される特許

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【課題】 従来の電子顕微鏡用試料作製技術では、試料の断面薄膜化試料を作製するのみで、薄膜の状態のデバイス試料に電圧を印加し、デバイスを動作させることができなかった。
【解決手段】 収束イオンビーム装置内に複数のプローブを設け、プローブ間には自由に電圧を印加できる構成とする。また、プローブ間の電流を測定し、電流の有無を判定できる検知器を設ける。プローブは半導体デバイスのコンタクトプラグに接触させ、デポジションガスを装置内に導入し、プローブの接触位置に収束イオンビームを照射することで、プローブをコンタクトプラグに接着し、電流導入端子とする。電子顕微鏡の試料ホルダには、この電流導入端子に接触し、電子顕微鏡外部から電圧を印加できる電流導入機構を設ける。 (もっと読む)


【課題】特定の散乱イオンのみを通過させる散乱イオンの弁別性能を確保しつつ、測定室内において圧力差を生じさせないイオン弁別手段(アパーチャ)を具備する平行磁場型ラザフォード後方散乱イオン測定装置を提供すること。
【解決手段】特定の散乱イオンを通過させるイオン通過用開口部Zaの周りに形成された散乱イオンの遮断部Zbに、イオンビームHの軸を中心とする放射線に沿って伸びる複数のスリットZcが設けられ、このスリットZcは、板状の遮断部ZbにイオンビームHの軸方向に対して斜め方向R1に測定室20内の試料側20aとイオン検出器側20bとを連通させるよう形成されており、イオンビームHの軸方向から見て相互に重なり合う部分51、52を有することにより、イオンビームHの軸方向から見て隙間が形成されない状態となってアパーチャZ1が構成されている。 (もっと読む)


本発明の1つの態様によれば、基板処理システムが提供される。このシステムは、チャバを囲むチャンバ壁と、基板を支持するようにチャンバ内に位置付けられた基板支持体と、基板上の材料から光電子を放出させる電磁放射線を基板支持体上の基板に放出させる電磁放射線源と、基板から放出された光電子を捕らえるアナライザと、チャンバ内に磁場を発生させ基板からアナライザに光電子を誘導する磁場発生器と、を含む。
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【課題】後方散乱電子回折(EBSD)パターンの磁場歪みを修正すること。
【解決手段】後方散乱電子回折(EBSD)パターンの磁場歪みを修正する方法が提供される。最初に、EBSDパターンが、電子顕微鏡内に配置された試料から生成される。顕微鏡内の磁場の所定の表現が用いられ、顕微鏡内の電子の軌道が異なった出現角度に対して計算される。次に、計算された軌道を用いて、顕微鏡の磁場が実質的に存在しない場合のEBSDパターンを表現する、修正されたEBSDパターンが、計算される。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、電子ビームを利用して、パターン像等を取得する検査装置に関し、特に、ウィーンフィルタによる収差や電子ビームの強度むらを低減することができる検査装置に関する。
【解決手段】 電子ビームの照射手段1と、試料からの二次ビームを検出する電子検出手段2と、照射手段1および電子検出手段2と、試料との間に配され、照射手段1の電子ビームを曲げて試料面に垂直照射させ、かつ試料からの二次ビームを電子検出手段2に導くウィーンフィルタ3と、検出した二次ビームから試料の画像情報を生成してコントラストを求めるコントラスト検出手段5と、照射手段1とウィーンフィルタ3との間に配置され、ウィーンフィルタ3へのビーム入射角またはビーム入射位置を変える偏向手段4とを備え、ビーム入射角またはビーム入射位置を変えて、コントラスト検出手段5のコントラストを最大にする。 (もっと読む)


【課題】磁歪と磁化とを、試料の同領域で観測する。
【解決手段】X線回折法による磁歪計測の手法とX線磁気回折法とを新たに組み合わせることで、磁歪と磁化とを試料の同領域について同時に観測できる便利な手法を開発した。この手法は、試料の同領域についての磁場内での回折光強度の相対変化δを磁場上昇時および磁場下降時のそれぞれで計測して、それらから磁場Hに対し反対称な成分δと対称な成分δとを求め、対称な成分δに基づき試料の前記領域の磁歪係数λ100を求めるとともに、反対称な成分δと対称な成分δとを再合成して得られる量R’に基づき試料の前記領域の相対磁化M/Mを求めるものである。内部モードの磁歪係数値が外部モードの磁歪係数値に一致する条件を使えば、機器の較正等に都合のよい方法である。 (もっと読む)


【課題】 高額・大型の設備が必要なく、小型、低コストの設備で絶縁体材料の分析・評価を高感度・高精度に行うことができる新規な絶縁体中の元素分析・評価方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明による絶縁体試料中の元素分析・評価方法は、2から100keVの低エネルギーを有する正イオンを、軽元素あるいは重元素を含む絶縁体試料へ照射することにより、絶縁体試料中に含まれる元素から特性X線を発生させ、発生した特性X線を検出することにより絶縁体試料中に含まれる元素の分析・評価を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


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