【課題】 熱抵抗測定の際の半導体の温度ができるだけ均一となるような発熱手段を用いる半導体の熱抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】 本発明による半導体装置における熱抵抗の測定方法は、複数の回路ブロックを有し、該回路ブロックは複数のｐｎ接合の並列する構造が存在している半導体装置にて、該半導体装置の温度を変化させるとともに、前記複数のｐｎ接合のうち、所定の第１のｐｎ接合に発熱に影響しない順方向の微小な電流を流して発生する発生電圧を測定し、該発生電圧から半導体装置の熱抵抗を算出する、半導体装置における熱抵抗の測定方法において、前記半導体装置の温度を変化させる方法は、前記複数のｐｎ接合のうち、前記第１のｐｎ接合以外の第２のｐｎ接合が降伏状態になるように電流を流して発熱させる方法であることを特徴とする。そのため、半導体装置の熱抵抗を精度よく測定できる。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の熱抵抗を正確に測定できる熱抵抗測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる熱抵抗測定方法は、半導体素子の順方向ゲートソース間電圧の温度係数を測定する工程と、該半導体素子へのドレイン電圧印加前に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該半導体素子へのドレイン電圧印加によるチャネル温度上昇後に該順方向ゲートソース間電圧を測定し、該ドレイン電圧印加前の該順方向ゲートソース間電圧と該ドレイン電圧印加後の該順方向ゲートソース間電圧との差分を求める工程と、該差分を求める工程における該半導体素子への印加電力、該温度係数、及び該差分から、該半導体素子の熱抵抗値を算出する工程と、を有し、該温度係数を測定する工程と該差分を求める工程の少なくとも一方の工程の前に、該半導体素子の昇温工程を有する。 （もっと読む）

【課題】試験コンタクト装置の台数を削減でき、試験機の構成部品や測定回路の共通化を可能にして設備コストの低減し、かつＡＣ試験条件（波形）の改善が可能とする。
【解決手段】統合試験装置は、ＡＣ試験機１６とＤＣ試験機１７が設けられ、中間電極板２０を挟んで、ＤＵＴ載置台２２とＡＣ試験回路部２４が上下方向に昇降可能に配置される。中間電極板２０はサポート板２１により固定され、ＤＵＴ載置台２２は、中間電極板２０の下部にあって、ＩＧＢＴモジュール１がその外部端子１Ｎ等を上向きの状態にして所定の位置に保持され、シリンダー２３により上下させることで各外部端子が中間電極板２０と接続・非接続の状態となる。中間電極板２０上の電極部分にＡＣ試験機１６、ＤＣ試験機１７各々との可動接触部を設けた一台のコンタクト装置で、ＤＣパラメータ、ＡＣパラメータ、および熱抵抗の各試験を切替えて行う。 （もっと読む）

【課題】工程の増大を抑制し、かつ誤差の少ない熱抵抗を測定すること。
【解決手段】基準となる半導体装置の環境温度を変化量ΔＴ_０変化させたときの前記基準となる半導体装置の順方向電圧の変化量ΔＶ_ｆ０を測定することにより、前記基準となる半導体装置のＫファクタＫ_０をＫ_０＝ΔＴ_０／ΔＶ_ｆ０とするステップ（Ｓ２２）と、基準となる半導体装置の順方向電流電圧測定から理想係数ｎ_０を測定するステップ（Ｓ２４）と、熱抵抗を測定する半導体装置に電力Ｐを印加することにより前記電力を印加する前後での順方向電圧の変化量ΔＶ_ｆを測定するステップ（Ｓ２６）と、前記熱抵抗を測定する半導体装置の順方向電流電圧測定から理想係数ｎを測定するステップ（Ｓ２８）と、前記熱抵抗を測定する半導体装置の熱抵抗Ｒ_ｔｈをＲ_ｔｈ＝ｎ_０／ｎ×Ｋ_０×ΔＶ_ｆ／Ｐから算出するステップ（Ｓ３０）と、を含む半導体装置の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードに一定の電流を流したときに生じる電圧と、ダイオードの温度とが線型近似できない場合でも、高精度に熱抵抗を測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】 ダイオードの温度が異なる複数の温度条件で、ダイオードに与えられる電流及び電圧の一方を第１の物理量として固定して供給し、他方を第２の物理量として測定し、温度と第２の物理量との関係を曲線で近似した近似式を求める。ダイオードの温度を、熱抵抗算出の基準温度に設定する。ダイオードをパッケージに搭載した状態で、ダイオードに第１の物理量を与えて第２の物理量を測定し、近似式を適用してダイオードの温度を算出する。ダイオードに電力を投入して温度上昇を生じさせる。電力を投入した後、ダイオードに第１の物理量を与えて第２の物理量を測定し、近似式を適用してダイオードの温度を算出する。電力投入前の温度、電力投入後の温度、及び投入した電力に基づいて、熱抵抗を算出する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の熱抵抗試験、サージ試験、スイッチング特性試験、連続動作試験について統合して、これらを同一試験装置で行う。
【解決手段】電源部１は、負荷部２を介してＤＵＴ（被試験デバイス）３が接続されたＤＵＴ接続部４に電源供給するものである。負荷部２には、誘導負荷、抵抗負荷、容量負荷、あるいは整流部品等の受動負荷や、トランジスタ等のスイッチングデバイス（能動負荷）が用いられ、それぞれＤＵＴ３に対して必要な責務を付与している。ＤＵＴ接続部４には、ＤＵＴ制御・駆動部６とＤＵＴ特性測定部７が接続されている。ＤＵＴ制御・駆動部６は、ＤＵＴ３に所定の電圧信号、電流信号、あるいは周波数信号を供給して、それを駆動するものであり、ＤＵＴ特性測定部７では、ＤＵＴ３に流れる電流値、あるいは電圧値によってその電気的特性および熱的特性を測定している。 （もっと読む）

【課題】半導体パワーモジュールの半田接合部の劣化を、効率よく正確に検出できるようにする。
【解決手段】半導体パワーモジュールの上下アーム素子（ＩＧＢＴ）３ａ，３ｂに、制御回路１０から短絡耐量を超えない極めて短時間の短絡パルス１５ａ，１５ｂを入力し、そのときの例えば素子３ａに流れる電流値を基準値７ａと比較し、基準値７ａ以外の値となったら半田接合部の劣化と検出することにより、劣化を効果的かつ正確に検出可能とする。 （もっと読む）

【課題】簡単に精度よく半導体装置の半田接合部に生じるボイドを検査可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の電流電圧特性のうち、半田のボイドに起因して生じる部分的な温度上昇による電圧低下を示す領域の電圧を測定するための測定電流Ｉｍ（Ｉｍ１）と、その領域以外の電圧領域にある電圧を測定する測定電流Ｉｍ（Ｉｍ２）を設定して、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍ及びＩｍ２の測定電流Ｉｍにより発熱前後で電圧測定を行い、電圧測定結果をもとに、Ｉｍ１の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２１及びＩｍ２の測定電流Ｉｍを用いた場合の発熱前後の電圧変化分ΔＶＦ２２を算出し、電圧変化分ΔＶＦ２２を基準とした電圧変化分ΔＶＦ２１の大きさにより、ボイドの大きさを評価する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのある電気的特性を温度指標とするチャネル温度測定方法及び熱抵抗測定方法において、動作状態にあるトランジスタの電力印加をカットしてからの時間ｔに対するチャネル温度Ｔｃｈの変化から、電力印加された動作状態のｔ＝０のチャネル温度を外挿する際、精度良く外挿することができるチャネル温度測定方法を提供する。
【解決手段】誤差関数ｅｒｆと積分指数関数Ｅｉを用いて、測定データをＴｃｈ＝α−β・ｔ^１／^２［ｅｒｆ（１／（２（τ）^１／^２））−Ｅｉ（−１／（４τ））／（２（πτ）^１／^２）］に最小二乗フィッティングして、外挿を行う。ただし、τ＝４ａｔ／（Ｌ_ＳＤ^２）で、ａは半導体の温度伝導率、ＬＳＤはチャネル長である。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗や接触熱抵抗などの熱特性を計測するとともに接触電気抵抗やバルク電気抵抗などの電気特性を簡易に高精度に計測することのできる熱抵抗計測装置を提供する。
【解決手段】熱抵抗計測装置は、被測定体を挟持する加熱側ロッドと冷却側ロッドとを備え、上記加熱側ロッド側から熱を流入し、上記冷却側ロッドから熱を流出して上記被測定体の熱抵抗を計測する熱抵抗計測装置において、上記加熱側ロッドおよび上記冷却側ロッドにそれぞれ接続するプラス電圧計測端子およびマイナス電圧計測端子と、上記プラス電圧計測端子および上記マイナス電圧計測端子が接続される位置より上記被測定体から離れる上記加熱側ロッドおよび上記冷却側ロッドの位置にそれぞれ接続される電流入力端子および電流出力端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の通常運転動作における半導体素子のオンオフ動作と並行して、熱疲労によるクラック発生等の異常を過電流による過熱等と判別して検出可能とし、かつ、回路構成を簡略化する。
【解決手段】制御信号ａに応じてＩＧＢＴ４のオフ時、オン時の温度を検出して温度差を求めるためのワンショット回路３１，３４、サンプルホールド回路３２，３５、差分器３６と、ＩＧＢＴ４のオン時間ｔが設定値以下であることを検出する積分器３７、コンパレータ３８、ワンショット回路４０と、ＩＧＢＴ４の電流が設定値以下であることを検出するコンパレータ５９、ワンショット回路４１と、前記温度差が設定値を超えたことを検出するコンパレータ５７と、ワンショット回路４０，４１及びコンパレータ５７の出力の論理積によって半田層の熱疲労を検出するＡＮＤ回路４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 高精度なＳＰＩＣＥパラメータの抽出を行うことができる、半導体素子の特性評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体素子の特性評価方法は、
（ａ）半導体層に設けられた絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０を準備すること、
（ｂ）前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の電流電圧特性を求めること、
（ｃ）前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の自己比熱効果による電流変化量を求めること、
（ｄ）前記（ｂ）で求められた電流電圧特性に前記（ｃ）で求められた電流変化量を加味することにより、前記自己比熱効果がない状態の前記絶縁ゲート電界効果型トランジスタ２０の電流電圧特性を得ること、を含む。 （もっと読む）