【課題】計測すべき磁場方向以外の方向に存在する外乱の磁場の影響を抑制して磁場を計測する。
【解決手段】磁場計測装置９は、照射部１、ガスセル２、計測手段（偏光分離器３、受光部４、信号処理回路５）、磁気シールド７を具備する。磁気シールド７は、両端に開口部を有する筒状に形成されている。ガスセル２は、内部に気体原子が封入され、磁気シールド７の中空の領域に配置される。照射手段１は、電場の振動方向が、磁気シールド７の軸の方向に合うように調整された直線偏光を含む照射光を、磁気シールド７の軸に垂直な方向に沿ってガスセル２に封入された気体原子に照射する。計測手段は、照射手段１により照射され、気体原子を透過した照射光の偏光面の回転角度を計測する。 （もっと読む）

【課題】環境磁界をキャンセルするための補償磁界を極めて小さなエネルギーで生成できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁界センサ２と、磁界センサ２が検出する環境磁界をキャンセルする補償磁界を生成して磁界センサ２に印加する磁界補償手段１０とを備える磁界検出装置１であって、磁界補償手段１０が、磁界センサ２のｘ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石３ａ，３ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂおよび再着磁用の電流を供給する電源部１１、ｙ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石４ａ，４ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１２、ｚ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石５ａ，５ｂ、その再着磁用のコイル７ａ，７ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１３と、再着磁用の各電流を磁界センサ２の検出した環境磁界に基づき制御する制御部９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ファラデー回転素子の構成を工夫することにより、小型で高感度の磁気センサを実現すること。
【解決手段】ファラデー回転素子が有するファラデー効果を用いた磁気センサにおいて、
前記ファラデー回転素子は、薄い光透過部材の両面に、ベルデ定数が大きくて磁歪が小さな磁性体層が、自発磁化以下の厚さで光が透過できる厚さに形成されていることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で複数の軸成分の磁場を測定すること。
【解決手段】磁場測定装置は、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、前記媒体と相互作用する光を出射する光源と、前記光源から出射された光を、第１ビームおよび前記第１ビームと非平行な第２ビームとして前記セルに入射させる光学系と、前記セルを透過した前記第１ビームの偏光面の方位を検出する第１検出器と、前記セルを透過した前記第２ビームの偏光面の方位を検出する第２検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のセルを並べて磁場を計測する磁場計測装置において、各セルの温度を制御して磁場の測定精度を向上させる技術を提供する。
【解決手段】磁場計測装置は、ポンプ光により励起される複数の原子を含むセルを複数有するセルアレイと、各セルに対しポンプ光を照射してセル内の原子を励起させ、各セルを透過したプローブ光を検出して各セルにおける磁場を検出する磁場検出部と、入力された制御値に従って各セルの温度を制御する温度制御部と、セルアレイに対して一定の磁場を印加したときの磁場検出部で検出される各セルの磁場の検出結果が基準値となるように各セルの温度を調整し、基準値となるときの各セルの温度を示す制御値を温度情報としてセル毎に記憶部に記憶する第１の処理と、第１の処理に代えて、記憶部内の温度情報に基づく制御値を温度制御部に入力し、磁場検出部による検出結果を出力する第２の処理とを行う制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数のセルを並べて磁場を計測する磁場計測装置において、セル内の原子密度を制御して磁場の測定精度を向上させる技術を提供する。
【解決手段】磁場計測装置は、円偏光により励起される原子が混入されている膜が内壁に形成され、当該原子からなる原子群が含まれたセルを複数配列したセンサーアレイに対し、一定の磁場を印加して各セルにおける磁場を磁場検出部で検出し、各セルの膜から前記原子を光誘起脱離させる誘起光の光量を変化させて各セルの磁場の検出結果が目標値となるように誘起光照射部から誘起光を照射する第１の処理を行う。また、磁場計測装置は、各セルの磁場の検出結果が目標値となる光量で誘起光照射部から各セルに誘起光を照射し、検体から発する磁場を磁場検出部で検出する第２の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング方式の磁気測定装置において、感度を向上させること。
【解決手段】磁気測定装置は、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、その媒体と相互作用する光を、セルに出射する光源と、セルを透過した光を、セルに向けて反射するミラーと、光を、第１偏光成分および第２偏光成分を含む複数の偏光成分に分離する偏光分離器と、ミラーで反射されセルを透過した光の第１偏光成分を検出する第１光検出器と、ミラーで反射されセルを透過した光の第２偏光成分を検出する第２光検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】測定を行わない期間に、原子がセルに析出する可能性を低減させる。
【解決手段】磁場測定装置は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部空間に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセル１と、開閉弁６１を有し、開いている当該開閉弁６１を介して前記セル１の内部空間と通じる内部空間を有するリザーバーと、前記開閉弁６１が開いているときに、前記セル１を透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、前記計測部による計測が終了した後、前記セル１よりも前記リザーバーの温度が低くなるように前記セル１または前記リザーバーの温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部により前記セル１または前記リザーバーの温度が調整された後、前記開閉弁６１を閉じて、前記セル１の内部空間と前記リザーバーの内部空間とを遮断する遮断部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光が透過する領域に原子が析出し難くなるようにセル内部の温度差を制御する。
【解決手段】磁場測定装置は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を含む物質を内部に封入し、気体状態の前記物質に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部５と、前記セルのうち前記直線偏光が透過する第１領域の温度を測定する第１温度測定部８ａと、前記セルのうち前記直線偏光が透過しない領域であって、予め定められた第２領域の温度を測定する第２温度測定部８ｂと、前記第１領域および前記第２領域の各温度のうち、少なくとも一方に関する値が予め定められた条件を満たす場合に、前記第１領域よりも前記第２領域の温度が低く、且つ前記第１領域と前記第２領域との温度差が予め定められた閾値を上回るように前記温度差を制御する制御部９とを備える。 （もっと読む）

【課題】伝送路での位相差変動を抽出する変調光解析装置と、それを用いて、プローブ部の揺動の影響を差し引ける電界磁界測定用光学プローブとを実現する。
【解決手段】解析対象の楕円偏光を入射し、これを第１、２の偏光に分岐し、第１の偏光を入射し、第１の偏光分岐手段でその搬送波と側帯波にπ／４で交叉する偏光成分に分離し、第１、２の光電変換手段で強度を測定する。第２の偏光を１／４波長板に通した後、搬送波と側帯波に対してπ／４で交叉する偏光成分に分離し、この強度を第３、４の光電変換手段で測定し、第１から第４の光電変換手段の出力を入力して、入射光の搬送波と側帯波の強度や位相を算出する。解析する周波数は信号発生器の周波数で指定する。信号処理回路は、第１、２（第３、４）の光電変換手段の各々の出力間の差の第１（第２）の差信号について強度の比から、解析対象の入射光の搬送波と側帯波の位相差を算出する。 （もっと読む）

【課題】セルの大容量化を可能にすること。
【解決手段】セルユニットは、第１セルと、前記第１セルからみて第１方向に配置された第２セルと、第１光源から出力された光を、前記第１方向に垂直な第２方向に揃えられた複数のビームを含むビームアレイとして出力する第１光学系と、前記第１光学系から入射された前記第２方向の光を前記第１方向に反射して前記第１セルに入射する第１面を有する第２光学系と、前記第１光学系から入射された前記第２方向の光を前記第１方向に反射して前記第２セルに入射する第１面、および前記第２光学系の前記第１面によって反射されて前記第１セルを通過した前記第１方向の光を前記第２方向に反射する第２面を有する第３光学系と、前記第３光学系の前記第１面によって反射されて前記第２セルを通過した前記第１方向の光を前記第２方向に反射する第２面を有する第４光学系とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のセルを用いた磁気計測装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】磁気計測装置１は、内部空間に円偏光によって励起する所定の原子を含み、光を透過させる第１の面及び第２の面と、第２の面から入射した光が通過する第３の面とを有する複数のセル３１〜３３が、第１の面、第２の面、第３の面の向きが各セルにおいて同じになるように台座４に配置されて構成される。また、台座４には、各セルの第３の面を通過した光を第２の面方向に反射させる反射鏡５が設けられている。磁気計測装置１は、ポンプ光照射部１０により各セルの第１の面にポンプ光の平行光を照射し、プローブ光検出部２０によってセル内でポンプ光と交差するようにプローブ光の平行光を第２の面に照射し、反射鏡５で反射されたプローブ光を検出することでセル３１〜３３における磁気を検出する。 （もっと読む）

【課題】複数のセル毎に光源を設けなくとも、各セルにポンプ光とプローブ光を供給でき
るようにする。
【解決手段】セル層１２は、アルカリ金属の原子を内部に有する複数のセルを有する。光
分配層１１は、入射したポンプ光を分岐カプラー１１１Ａで分岐させ、分岐されたポンプ
光が各セルに照射されるように、分岐されたポンプ光を光ファイバー１１２で導く。また
、光分配層１１は、入射したプローブ光を分岐カプラー１１１Ｂで分岐させ、分岐された
プローブ光が各セルに照射されるように、分岐されたプローブ光を光ファイバー１１２で
導く。光ファイバー１１２で導かれたポンプ光とプローブ光は、各セルに照射され、セル
内でポンプ光とプローブ光が交差する。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高精度な磁気計測装置を提供すること。
【解決手段】第１の側方の上方に設けられ、ポンピング光を照射する第１照射装置と、第
１の側方に設けられ、第１照射装置から照射されたポンピング光を、第１のセルに入射さ
せる第１反射部材と、第２の側方の上方に設けられ、プローブ光を照射する第２照射装置
と、第２の側方に設けられ、第２照射装置から照射されたプローブ光を、第１のセルに入
射させる第２反射部材と、第３の側方の上方に設けられ、ポンピング光を照射する第３照
射装置と、第３の側方に設けられ、第３照射装置から照射されたポンピング光を第２のセ
ルに入射させる第３反射部材と、第４の側方の上方に設けられ、プローブ光を照射する第
４照射装置と、第４の側方に設けられ、第４照射装置から照射されたプローブ光を第２の
セルに入射させる第４反射部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光ポンピングを利用した測定装置が備えるセルの内部空間に封入された媒体の原子スピンの緩和を抑制する効果を、場所によって均一に、かつ長期間継続して得ること。
【解決手段】電界層形成装置は、光ポンピングを利用した測定装置が備える内部空間を有するセルに対して、電界層形成用ビームを照射して、前記セルの壁部内に前記電界層形成用ビームを全反射させながら通過させることにより、前記壁部の前記内部空間側の表面を覆う電界層を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気的な情報を、特定の平面のベクトル成分に加え、他の平面のベクトル成分についても得られるようにする。
【解決手段】磁気計測装置は、円偏光により励起される原子を内部に含むセル（１１）と、円偏光成分を有し、前記原子を励起させる第１の光を、前記セルに第１の方向に照射する第１の照射部と、前記第１の照射部により前記第１の光が照射されたセルに、直線偏光成分を有する第２の光を前記第１の方向と交差する第２の方向に照射する第２の照射部と、前記第１の照射部により前記第１の光が照射されたセルに、前記第２の照射部により前記第２の光が照射されている期間に、直線偏光成分を有する第３の光を、前記第１の方向と異なり、前記第２の方向と交差する第３の方向に照射する第３の照射部と、前記第２の照射部により照射された第２の光及び前記第３の照射部により照射された第３の光のうちの前記セルを透過した成分を検出する検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】微小な磁気信号を検出するときの検出限界と、磁気信号のレベルを測定するときの検出精度を改善することを目的とする。
【解決手段】光ファイバ干渉計のセンシング光ファイバに磁歪材料を一体化させて磁歪変換器を構成し、該磁歪変換器に交流磁界を印加して励磁する光ファイバ磁気センサであって、前記磁歪材料に生じる磁歪成分のうち、前記交流磁界の励磁周波数に対応して生じる成分と、該励磁周波数の２倍の周波数に対応して生じる成分とに基づいて、磁気信号を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属製の耐水圧容器を用いることなく高圧力下でも使用可能な光ファイバ磁気センサを提供する。
【解決手段】センシング光ファイバコイル３ａ、センシング光ファイバコイル３ａに接着された磁歪材料３ｂ及びこの磁歪材料３ｂに交流磁界を印加するための励磁コイル３ｃを有してなる磁気センシング部３が収納され、油などの液体２が充填されたゴム容器１が設けられた光ファイバ磁気センサを備えた。 （もっと読む）

【課題】強磁性体の磁気特性測定において、試料の異方性磁場Ｈ_aniを容易に求める技術を提供する。
【解決手段】磁気特性測定装置１は、磁性体の試料Ｆに高繰り返し周波数ν_Lのパルスレーザを照射するレーザ光源２と、試料Ｆに磁場Ｈ_extを印加する外部磁場印加手段４と、ビームスプリッタ７と、反射板８が設けられた移動ステージ１１とを備え、パルスレーザ光として連続して照射される複数パルスをビームスプリッタ７で分離したときのビーム１とビーム２とを試料Ｆに重ねて照射するときの遅延時間ｔ_intを移動ステージ１１により制御し、試料Ｆの磁化の歳差運動を、レーザの繰り返し周波数ν_Lに同期させ、試料Ｆへ光を照射したときに誘起される磁化の歳差運動をパルスレーザに共鳴させて、外部磁場Ｈ_extに応じた試料ＦのＭＯ信号Θを偏光検出器５で検出し、制御装置６により試料Ｆの異方性磁場Ｈ_aniを算出する。 （もっと読む）

【課題】精度よく微小磁場を測定することが可能な、構造の簡素化を図った磁気センサーを提供する。
【解決手段】光ポンピング法を用いて磁場を測定する磁気センサー１であって、価電子が奇数個の原子又はイオンからなる第１ガスと、第１ガスに対して直線偏光を含む第１のプローブ光を入射させるプローブ光入射装置１１と、第１ガスを透過した第１のプローブ光である第２のプローブ光の光路上に配置された価電子が奇数個の原子又はイオンからなる第２ガスと、第１ガスに第１の円偏光を含む第１のポンピング光を入射させ、第２ガスに第２の円偏光を含む第２のポンピング光を入射させるポンピング光入射装置５と、第１のプローブ光の偏光面と第２ガスを透過した第２のプローブ光である第３のプローブ光の偏光面との回転角を検出する検出器１５と、を有する。 （もっと読む）