検体を検出するように構成され、ポリマーマトリックス、蛍光、前記マトリックスを取巻く膜を有するセンサと、フルオロフォアを励起する励起源と、センサが放出する第１波長の光を検出するように構成された第１検出器と、センサが放出する第２波長の光を検出するように構成された第２検出器と、第１と第２の検出器で検出された光に対応する検出器からの信号を処理するプロセッサと、からなる検体を検出するシステム。 （もっと読む）

爆発物残渣を含有すると考えられるサンプルを入手すること、並びに試料および試料を含有する担体コンテナを試薬と接触させることを含む痕跡量の爆発物を検出するための方法。試料と担体は、光を通さない箱中に含まれる間中、適切なレーザーまたは他の光源により照射される。試料と担体は、痕跡量の爆発物を含有するという指標として、試料の光ルミネセンスを測定するために消失する間観測される。試薬は、アルカリ性含有物質、ランタニド錯体、増感配位子若しくはナノ結晶を含有するランタニド錯体であり得る。 （もっと読む）

本発明は、光学分析装置（２）のための高分子マイクロアレイ支持体（１）を備える。光学分析装置（２）は、前記支持体から放射される光を検出するための光学的手段（３，４，６）を備える。マイクロアレイ支持体は、例えば、選択された深さ（８）を有する溝のような表面拡大パターン（５）を備えた微細特徴が与えられる。その深さは、支持体の深さと厚さ（７）の変化の合計が実質上光学的手段の焦点深度に相当するように、選択される。

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サンプルの蛍光減衰特性を迅速かつ鋭敏に定量分析する装置及び方法が提供される。反復パルス化励起光源が、サンプルにおいてパルス化蛍光を生成する。蛍光波長選択装置が、サンプルから生じるパルス化蛍光の一部を受け取り、波長が指定波長範囲内にある蛍光光子を出力する。光検出器が、蛍光波長選択装置から入力として指定波長範囲内に蛍光光子を受け取り、時間依存電気信号を出力する。メモリ要素のアレイが、アナログ電圧又は電荷の時系列として時間依存電気信号の表示を記憶する。アレイの連続要素が、４ｎｓより大きくない時間増分に対応する。アナログ・デジタル変換器が、アナログ電圧又は電荷の時系列を対応するデジタル化蛍光波形に変換する。
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誘電体障壁−放電エキシマーランプ、エキシマーランプに接続するために適用される励起源、二酸化硫黄を含有する試料ガスを有する蛍光チャンバ、蛍光チャンバとともに動作する光電型検出器、及び試料の二酸化硫黄含有量を決定するための信号解析及び調整装置を備えるＵＶ励起蛍光検出システムが提供される。誘電体障壁−放電エキシマーランプはクリプトン−塩素エキシマー充填ガス混合気を有する。励起干渉フィルタ及び蛍光フィルタをランプ及びチャンバとともに用いることができる。別の実施形態において、発明は、特定の波長を有する発光スペクトルを発生するエキシマーガス混合気を励起する工程、この波長を測定対象の特定の化学種に作用させる工程、特定の化学種を励起し、よって励起された化学種に固有の二次蛍光または燐光の発光を誘起する工程、及び被検下にある特定の化学種からのこれらの発光を分析する工程を含む、特定の化学種を検出するための好ましい検出方法である。また別の実施形態において、発明は、エキシマーガス混合気を励起する工程、被検下にある特定の化学種の蛍光発光を強める最適波長を有する発光スペクトルを発生させる工程、最適波長を特定の化学種に作用させる工程、特定の化学種の励起された形態を発生させる工程、特性スペクトルプロファイルを有する発光を、特定の化学種から誘起する工程、及び被検下にある化学種の含有量を評価するために発光を分析する工程を含む、特定の化学種を検出するための好ましいＵＶ励起蛍光検出方法である。

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【課題】 励起波長と蛍光波長を素早く切り換え、１つの細胞やオルガネラを時間分解して計測し、容易に暗視野に切り換えられバックグランドの低い鮮明な画像が得られる暗視野落射顕微鏡を提供する。
【解決手段】 光源１と、試料２０への照射光を選択的に透過させる切り換え可能な第１フィルタ３と、前記照射光をリング状の光束にする光学部材と、部材を透過した光を対物レンズ６の外側鏡筒と内側鏡筒との間に入射させる反射ミラー５と、試料から放出される光のみを透過させる切り換え可能な第２のフィルタ８、第２フィルタを透過した光を検出する検出手段を有する暗視野落射顕微鏡。対物レンズが、外側の鏡筒先端部１７に前記照射光を試料に集光する為の鏡面を有すると共に、試料からの光が内側の鏡筒内を通過する如く配されている。また、対物レンズと第２フィルタの間に、迷光の混入を防ぐ筒が配されている。 （もっと読む）

【課題】 インプロセスで被加工面の酸化膜の形成をモニタリングする。
【解決手段】 レーザー切断を行った後にレーザー溶接を行うに際し、レーザー切断面に酸化膜が形成されていない時にレーザービームを照射した際における溶接部の基準発光強度と光学センサ１０で検出した溶接部の実発光強度とを比較手段１１で比較し、酸化認識手段１３で基準発光強度に対して実発光強度が高いと判断された場合に溶接面への酸化膜の形成を認識し、インプロセスで被加工面の酸化膜の形成をモニタリングする。 （もっと読む）