【課題】 チップ比較検査の検査時間（スループット）を早くする。
【解決手段】 検査対象チップは、チップ４０１からチップ４０７までの１行の７チップであり、そのうちの１つのチップ４０１を基準チップとして定義する。Ｘ−Ｙステージにより、基準チップＡ４０１からチップＧ４０７までを順次スキャンする。この間、画像比較部により、基準チップＡ４０１とその他のチップＢ４０１からＧ４０７までとの差画像Ｂ−Ａ４０８から差画像Ｇ−Ａ４１３までのデータを、順次、求めることができる。ここで、どの差画像データにおいても共通の位置に同様の形状で検出された欠陥は、基準チップＡ４０１の欠陥（チップ左下端の欠陥）と判断できる。 （もっと読む）

【課題】半導体回路パターン形成工程において、レビュー装置による目視再検査を省略して、検出したパターン欠陥の詳細な解析を迅速化する。
【解決手段】高速のパターン欠陥検査装置に、欠陥の検出に同期して欠陥の画像的特徴量を計算する手段と、計算された特徴量によって欠陥をクラスタに分類する手段とを付加する。 （もっと読む）

【課題】外力付与手段１１が異色粒状物ｗ１に外力を付与する時点の正確性を向上させる。
【解決手段】流下案内面２ａの下端から落下される粒状物ｗを撮像するエリアセンサー１４を具備した速度特定手段１０を設ける。
或いは、少なくとも１つのセンサーによる粒状物撮像位置が他のセンサーの粒状物撮像位置に対し粒状物の落下方向へずれた状態となるように２つ以上のセンサーを配設し、前者粒状物撮像位置における撮像情報と、後者粒状物撮像位置における撮像情報とから異色粒状物ｗ１の落下速度の大きさを特定する速度特定手段１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】
高感度で欠陥検出をすることができる欠陥検出装置及び欠陥検出方法ならびにパターン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる欠陥検出装置は、光源１と、光源１からの光ビームを集光して試料４に入射させる対物レンズ３と、試料表面からの反射光を受光し、出力信号を出力する検出器６と、光ビームと反射光とを分離するビームスプリッタ２と、光ビームを走査する走査手段と、ビームスプリッタと光検出器との間の光路中に配置され、試料における光ビームの走査方向と対応する方向の片側半分の光路を遮光する遮光板７とを備え、欠陥判定を行うための基準となる欠陥箇所における出力信号に基づく基準信号と、試料上を走査したときの出力信号に基づく検出信号との相関値に基づいて欠陥か否かを判定するものである。 （もっと読む）