電気的構成部材（１）は、基板（２）を備えたセンサチップ及び／又はアクチュエータチップを有しており、その基板上にパッシベーション層（３）と、アクティブな表面領域（５ａ、５ｂ）を有するセンサ構造及び／又はアクチュエータ構造が配置されている。チップは、カプセル部（６）によって包囲されており、そのカプセル部が開口部（７）を有し、その開口部が少なくとも１つのアクティブな表面領域（５ａ、５ｂ）への通路を形成する。基板（２）上に、層スタックが配置されており、その層スタックは−パッシベーション層（３）から始まって基板（２）へ−少なくとも１つの第１の導体路層（１５）、第１の電気的絶縁層（１４）、第２の導体路層（１７）及び第２の電気的絶縁層（１６）を有している。第１の導体路層（１５）は、チップの、開口部（７）によって覆われる領域の完全に外部に配置されている。第２の導体路層（１５）の少なくとも１つの導体路が、センサ構造及び／又はアクチュエータ構造と接続されている。 （もっと読む）

【課題】高感度の検出を可能にするＥＦＴ式バイオセンサの提供。
【解決手段】本発明のバイオセンサは、半導体基板にソース領域、ドレイン領域およびゲート領域を備えるように構成された電界効果トランジスタ式センサであり、メソ細孔を有し且つ該メソ細孔の壁面に酸化スズの微結晶を含むように構成された多孔質体を該ゲート領域に備え、且つ、該多孔質体がＸ線回折分析において１ｎｍ以上の構造周期性に対応する角度領域に少なくとも一つの回折ピークを有する。 （もっと読む）

仕事関数の変化により電界効果構造が制御されるガス感応層と参照層とから成るＦＥＴを基礎とするガスセンサであって、その際、これら２つの層の材料が、ターゲットガスに対する仕事関数の変化は起こらず、検出すべきでないガスに対する仕事関数の変化が総和で消えるように相互に調整されている。
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ＦＥＴ型ガスセンサーのセンサーシグナルを感応性層での仕事関数の変化により生じさせ、その際、前記仕事関数の変化の読み出しに対して付加的に感応性層の容量の変化を評価する、ＦＥＴ型ガスセンサーでガスを測定する方法。
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ガス又はガス混合気を検出する装置は、ＳＧＦＥＴ（１）として形成された少なくとも１つの第１のガスセンサと、それに加えて、ルントシュトレーム−ＦＥＴ（２）として形成された、少なくとも１つの第２のガスセンサを有している。ガスセンサは、評価装置と接続されており、その評価装置は、ガス又はガス混合気を検出するために２つの種類のガスセンサの測定信号（２２、２３）を評価するように形成されている。 （もっと読む）

ガス流の成分を感知するシステム、方法であり、システムは、（ａ）熱伝導性で、電気的に絶縁性である回路基板、（ｂ）前記基板に取り付けられ、前記成分を感知することができるガス感知素子、（ｃ）前記基板に取り付けられ、ガス感知素子と電気的特性が一致し、前記成分に反応しない基準素子、（ｄ）ガス感知素子と基準素子を相互接続する電子回路を備えるシステムである。そして、前記回路は、素子の両方を作動させ、素子間の電圧差を測定する。前記電圧差は、ガス流の成分の濃度に比例する。
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