【課題】周囲温度が変化した場合でも、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子を使用することなく、熱型赤外線センサーの出力電圧のＤＣレベル変化を小さくする。
【解決手段】電源ＶｄｄとグランドＧＮＤの間にセンサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５が直列に接続されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３は断熱構造体１上に配置され、電流源ＭＯＳＦＥＴ５は断熱構造体１の外部に配置されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。センサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５の間の端子がセンサー出力端子Ｖｏｕｔを構成する。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は周囲温度変化に対して特性がほぼ等しく変化する。 （もっと読む）

【課題】正確な光の強度を求めることができる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置は、ＦＥＴ１および２と、ＦＥＴ１のソースとゲート間に接続されたキャパシタ３と、ＦＥＴ２のソースとゲート間に接続されたキャパシタ４と、ＦＥＴ１のゲートとＦＥＴ２のゲートの間を開閉するスイッチ５と、ＦＥＴ１のソースとグラウンド節点の間を開閉するスイッチ６と、ＦＥＴ１のソースと−５[Ｖ］を出力する電源の出力節点の間を開閉するスイッチ７と、ＦＥＴ２のゲートとＦＥＴ２のドレインの間を開閉するスイッチ８と、ＦＥＴ２のドレインと＋５[Ｖ］を出力する電源の出力節点の間を開閉するスイッチ９とを備える。 （もっと読む）

【課題】低照度領域における光検出の追従性を向上させることができる光量検出回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】外光を検知する光センサと、光センサの漏れ電流によって充電された電圧が降下するコンデンサＣとを有する光検知部ＬＳと、を備える。そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。 （もっと読む）

【課題】界面準位を意図的に形成−消滅させることにより素子特性を制御した構成の、高性能なスイッチング素子やメモリ素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、界面準位制御層５と、半導体層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極７と、ゲート絶縁膜６と、基板８とを層状に積層してなり、界面準位制御層５の１側面にゲート絶縁膜６を設けて構成する。微小な外部からの入力信号（外場）をこの界面準位制御層５で受け、界面準位の形成−消滅を切り替えることにより増幅された出力信号として高感度に取り出す。 （もっと読む）

【課題】極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を正確に測定することができるテラヘルツ光検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面から一定の位置に２次元電子ガス１３が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられたカーボンナノチューブ１４、導電性のソース電極１５、ドレイン電極１６及びゲート電極１７とを備える。カーボンナノチューブ１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続され、ゲート電極１７は、カーボンナノチューブの側面から一定の間隔を隔てて位置する。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電圧を印加しその間のＳＤ電流を検出するＳＤ電流検出回路１８と、ソース電極とゲート電極の間に可変電圧を印加しその間のゲート電圧を検出するゲート電圧印加回路１９と、半導体チップに可変磁場を印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを別に設ける必要なしに、液晶ディスプレイ自体の一部を用いて周囲光を検出する。
【解決手段】液晶セルのアレイを有する液晶ディスプレイと共に用いられる周囲光検出装置が提供される。前記液晶セルは、当該液晶セルを信号線に選択的に接続するための少なくとも１つのトランジスタをそれぞれ有する。当該トランジスタは、ゲート線に接続されたゲートをそれぞれ有し、前記液晶ディスプレイは、当該ゲートをそれぞれオフにするために当該ゲート線に選択的に接続可能なゲート給電線を有する。当該周囲光検出装置は、前記ゲート給電線と接続されたゲートにおけるゲート漏れ電流により前記ゲート給電線に流れる電流を測定するように構成された電流測定回路と、前記電流測定回路に接続され、前記測定された電流から、前記ゲートに達する周囲光のレベルを算出するように構成された制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光センサの素子劣化に起因した感度低下を簡潔に補正して、外光検出を精度良く行うことができる光量検出回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】光検知部ＬＳ１の照度−出力特性を複数の直線で近似し、各近似線を理想特性線Ｉに一致させるための傾き補正値ＡＳＬＰ及びオフセット補正値ＡＯＦＦを用いて光検知部ＬＳ１の出力値Ｌ_LS1を補正することで、光センサ出力特性のばらつきを補正する。このとき、光検知部ＬＳ１の出力値Ｌ_LS1と光検知部ＬＳ２の出力値Ｌ_LS2とから、光検知部ＬＳ１の光センサの感度低下率（光劣化率Ｄ）を算出し、光劣化率Ｄに応じてオフセット補正値ＡＯＦＦを補正することで、光センサの素子劣化による感度低下を補正する。 （もっと読む）

【課題】光量検出の感度変化を防止した上で、計測時間の短縮化を図る。
【解決手段】ＴＦＴ１１のソース電極ｓに対し、電極ゲート電極ｇをオン電圧からオフ電
圧に変化させたときに、ＴＦＴのソース電極に流れる電極を、オペアンプ１６および抵抗
素子１７によって電圧の信号Ｖmonに変換する。この信号Ｖmonに現れる微分波形に基づい
て、ＴＦＴ１１への入射光量を求める。例えば、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化してか
ら、信号Ｖmonがしきい値電圧Ａ／ｅに達するまでの時間Ｔobを計測して、当該時間Ｔob
を受光量に換算する。 （もっと読む）

【課題】光照射による光センサの劣化を適性に補正して光検出精度を向上させた光量検出
回路及び電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ａ−Ｓｉを用いた２個のＴＦＴ光センサＴＦＴｃ
とＴＦＴｓを備え、ＴＦＴｃは、ダイオード接続され、ゲート電極と接続された一方の電
極がノードＡで抵抗Ｒｃを介して電圧Ｖｇ１を供給する第１の電圧源１１に、他方の電極
が電圧Ｖｇ０を供給する第２の電圧源１２に接続され、ＴＦＴｓは、ソース電極が接地さ
れ、ゲート電極がノードＡに、ドレイン電極が光検知部に接続され、抵抗ＲｃはＴＦＴｃ
のオン時の抵抗よりも高く、オフ時の抵抗よりも小さくされ、ＴＦＴｓの閾電圧をＶｔｈ
としたときＶｇ１>Ｖｇ０＋Ｖｔｈとなるようにして、光量検出時には、ＴＦＴｓのゲー
ト電極に正バイアス電圧Ｖｇ０＋Ｖｔｈが印加されるようにし、ＴＦＴｃには調光手段１
５によって外光が遮光されるようにする。 （もっと読む）

【課題】極性の偏りに起因するＴＦＴの特性劣化が少なく、しかも光量に対して線形特性
を持った出力特性が得られ、光検出精度を向上させた光量検出回路を提供すること。
【解決手段】本発明の光量検出回路は、ＴＦＴのゲート電極に逆バイアス電圧が印加され
ている時に流れる電流を利用して外光の光量を検出する光検知部を備える光量検出回路に
おいて、前記光検知部は、ゲートバイアス制御手段により、前記ＴＦＴのゲート電極に印
加する電圧Ｇｖを、外光を検知する際に印加する第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０から、正バ
イアス電圧Ｇｖｏｎに変えた後、前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０よりもさらに低い第２
の逆バイアス電圧Ｇｖｏｆｆに変え、その後に前記第１の逆バイアス電圧Ｇｖ０に戻した
後に流れる電流による出力を外光の光量として出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを感熱体に用いた赤外線センサにおいて、信号読み出しが容易で、信号処理回路の構成を容易にし、温度検出感度が高い赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板上に、温度変化を電気信号の変化として出力する温度検出部を配置する。温度検出部は感熱体として電界効果トランジスタ（６０１）を含む。赤外線の検知動作時において、電界効果トランジスタはピンチオフ状態で動作するようにバイアスされる。 （もっと読む）

【課題】光センサに照射される光のノイズの影響を抑制しながら光量を測定することが可能な光量検出装置を提供する。
【解決手段】この光量検出装置１は、抵抗素子１３と、ｎ型の薄膜トランジスタにより構成される光センサ２１と、容量２２とを備え、抵抗素子１３の一方端１３ａは、電源電位（ＶＤＤ）に接続され、抵抗素子１３の他方端１３ｂには、光センサ２１のソースＳと、容量２２の一方電極２２ａとが並列に接続され、電源電位（ＶＤＤ）により抵抗素子１３を介して容量２２を充電する際の充電電圧に基づいて光量を測定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光検出器の「消去状態」、「データ取り込み状態」、「データ検出状態」の３状態の繰り返しサイクルよりも高い周波数の光信号を検出することを可能とする。
【解決手段】絶縁層（第１絶縁層１２）上の半導体領域１６（第１半導体層１３）中に形成された光導波路２１と、前記光導波路２１に設けた複数の光検出器３１とを備え、前記複数の光検出器３１は絶縁ゲート型電界効果トランジスタからなり、前記複数の光検出器３１のそれぞれについてデータ取り込み時間を変化させていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外光感知性能の信頼性を高めて消費電力を減少させることができるようにした外光感知センサーを提供する。
【解決手段】第1電源と前記第1電源より低い電圧値を持つ第2電源の間に接続されて制御信号に対応してターンオンまたはターンオフされる第1トランジスタと、前記第1トランジスタと前記第2電源の間に接続されて外光の強さに対応して前記第1トランジスタから前記第2電源へ流れる電流量を制御する第2トランジスタと、前記第2トランジスタと並列接続される第1キャパシタを具備する感知部を含んで、前記第2トランジスタのゲート電極は前記第2電源に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】温度に対して敏感な遠赤外線センサを提供する。
【解決手段】トランジスタのゲート・ソース間にしきい値以下の電圧を印加してサブスレッショルド領域で動作するセンサＭＯＳ形電界効果トランジスタを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも１つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも１つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも１対の電極、及び少なくとも１対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは２つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ（例えば、バイアス電圧の印加により）除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（ＣＮＦＥＴ）、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。
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