半導体光システムにおける色温度制御のためのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）フォトダイオード光監視方法およびシステム。方法は、複数のＳＯＩフォトダイオードを設けるステップであって、各ＳＯＩフォトダイオードは、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された埋込酸化物層と、埋込酸化物層上に形成されたシリコン層とを有し、各ＳＯＩフォトダイオードのシリコン層が異なる厚さを有しているステップと、波長およびシリコン層の厚さに関して、各ＳＯＩフォトダイオードを通過してシリコン基板へと向かう入射光の割合を決定するステップと、決定された上記割合に基づいて入射光の色成分強度を計算するステップとを含んでいる。
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概ね１の検出効率を有する光子数決定検出器が、プローブ光子状態が量子ゲート内で受容する位相シフト又は減衰のような変化を測定することにより、ｎ個の光子を含むターゲット状態とn+1個の光子を含むターゲット状態とを区別する。その検出はターゲット状態からの光子を破壊しないので、検出後に光子を利用することができる。１つ又は複数の単一光子格納系とともに非破壊的検出器を利用する系は、判定された数の光子を格納し、判定された数の光子を含む光子状態を生成するように要求されるときに、１つ又は複数の格納された光子を放出することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の赤外線カメラにおいては、製品試験時（出荷前）に予め測定した欠陥画素に対しては欠陥補正可能であるが、カメラ運用中に経年変化等により感度異常となった画素に対しては補正の手段が無いという問題があった。
【解決手段】複数の画素を有する検出器と、この検出器の欠陥画素を検出する際に前記検出器に対峙する遮蔽部材と、この遮蔽部材を第１の設定温度並びにこの第１の設定温度と異なる第２の設定温度に制御可能な第１の温度制御部とを有し、この第１の温度制御部によって前記第１の設定温度に制御された前記遮蔽部材を撮影した際の各画素の出力と、前記第１の温度制御部によって前記第２の設定温度に制御された前記遮蔽部材を撮影した際の各画素の出力とを比較し、この比較結果に基づいて欠陥画素を検出するようにして赤外線カメラを構成した。 （もっと読む）

【課題】 製造コスト的に有利に、可視光の光量を反映した照度を測定することができる技術を提供する。
【解決手段】 照度センサチップにおいて、第１半導体層と、上記第１半導体層に接合された第２半導体層と、を有し、上記第１半導体層と上記第２半導体層との接合部分に上記第２半導体層を介して光が入射した場合に、上記接合部分への入射光量に応じた電気信号を出力するように構成し、上記第２半導体層の厚みを、上記電気信号の出力量を基準とした分光感度特性におけるピーク感度波長が、可視光の波長範囲（たとえば５８０〜６００ｎｍ）となるように、たとえば２〜４μｍ設定した。第２半導体層をシリコン半導体として構成するとともに、照度センサを、ｎｐｎ接合を有するフォトトランジスタとして構成する。 （もっと読む）