電離放射線を監視するためのアセンブリ（13）は、入射電離放射線に応答して電荷を生成すると共に、その中に形成された電離放射線検出ボリューム（12）のアレイを有する検出基板（2）を備える。検出ボリュームのアレイに対応する読出し回路（16）のアレイを支持するための回路基板（14）は、検出基板（14）に機械的かつ電気的に接続されている。各読出し回路（16）は、対応する検出ボリュームから電荷を受取るため、第一と第二の電荷集積モード間で切替え可能である。電荷集積回路（30）は、第一の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける単一の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するとともに、第二の電荷集積モードにおいて、対応する検出ボリュームにおける複数の電離放射線検出イベントの検出に対応して電荷を集積するように、構成されている。別の実施例において、読出し回路構成は、光子計数回路構成（140）を含む。

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【課題】高エネルギー中性子放射の検出用の線量計
【解決手段】中性子コンバータと検出素子とを備える高エネルギー中性子放射の検出用の線量計が提案されており、この線量計は、中性子コンバータが中性子のエネルギーを好適なエネルギー範囲で陽子、α粒子およびその他の荷電核子に変換する金属原子を含み、その結果、前記金属原子が検出可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

Ｘ線画像収集装置は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に固定される光伝導体とを有するパネルを備える。上記光伝導体は、高エネルギーレベルにある放射Ｘ線を吸収するように形成される厚さを有する。上記第１の電極と上記第２の電極とは、光伝導体において作り出される電荷を画素ユニットに移動させるための電界を作り出すように形成され、それにより、低エネルギーレベルあるいは高エネルギーレベルの放射Ｘ線を使用する場合に、電荷を効率良く収集することができる。

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加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

本発明は、X線放射の検出器素子に関し、この素子は、特にフラットダイナミックX線検出器（FDXD）に利用される。検出器素子において、直接変換式変換層（2）は、電極層（1）と画素電極（4）のマトリクスの間に配置され、画素電極（4）と変換層（2）の間には、光導電性分離層（3）が配置される。未照射状態では、分離層（3）は、変換層（2）の自由電荷キャリアに対する電気的なバリアとして作用する。この自由電荷キャリアは、X線放射によって生じ、電極（1、4）間で電場内を移動する。画素電極（4）内を移動する電荷の読み出しが行われた後、分離層（3）には、ダイオード配列（6）からのリセット光の照射によって導電性が付与され、その界面に蓄積された電荷が除去される。リセット操作を繰り返すことにより、分離層（3）が摂動ダーク電流を防ぎ、同時に電荷の蓄積が解消される。
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