【課題】 超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、およびアウトガス低減を同時に満足するポジ型レジスト組成物、それを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解し、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する構造を有する繰り返し単位（Ｂ）を有する樹脂（Ｐ）、および、製膜により膜表面に偏在し保護膜を形成する化合物（Ｕ）を含有することを特徴とする、感活性光線または感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】溶解コントラストが大きく、高解像度で且つ焦点深度にも優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下式（ａ−１）で表される繰り返し単位、環状炭酸エステル構造を含む繰り返し単位、及び、酸で脱保護可能な保護基を含む繰り返し単位を含有し、且つアルカリ不溶性樹脂であって、前記保護基が脱離した際、アルカリ可溶性となる樹脂と、（Ｂ）酸発生剤とを含む。
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【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】インターミキシングを防止できる酸転写樹脂膜、及びこの酸転写樹脂膜を用いて既存のフォトリソプロセスによりパターン形成できるパターン形成方法を提供する
【解決手段】本酸転写樹脂膜形成用組成物は、（Ａ）感放射線性酸発生剤、及び、（Ｂ）末端にシアノ基を有する重合体、を含有することを特徴とする。本本酸転写樹脂膜は、本酸転写樹脂膜形成用組成物を用いてなることを特徴とする。本パターン形成方法は、（Ｉ）酸解離性基を有する樹脂を含有し、且つ感放射線性酸発生剤を含有しない第１樹脂膜上に、本酸転写樹脂膜形成用組成物からなる第２樹脂膜を形成する工程と、（ＩＩ）マスクを介して第２樹脂膜に露光し、第２樹脂膜に酸を発生させる工程と、（ＩＩＩ）第２樹脂膜に発生した酸を第１樹脂膜に転写する写工程と、（ＩＶ）第２樹脂膜を除去する工程と、をこの順に備える。 （もっと読む）

【課題】 ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 特定のラクトン構造を含有する樹脂によって形成されたレジストパターンと、一分子中に二個以上の求核性官能基を有する化合物とを固相−気相反応させる表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の上にバリア膜を設けないリソグラフィに用いるレジスト材料の解像性を向上してパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１の上に、ハロゲン原子（フッ素）を含み且つ酸に安定なモノマーであるパーフルオロエチルアクリレートと、フッ素を含み且つ酸に安定なポリマーであるポリパーフルオロエチルアクリレートと、酸不安定基を含むポリマーと、光酸発生剤とを有するレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０１の上に液体１０３を配した状態で、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光によるパターニングにおいて、ラインエッジラフネス低減とともに、高感度、高解像度、パターン形状が良好であるポジ型レジスト組成物、及び、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ラクトン構造を有するスルホニウム塩化合物を、ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対し、２１質量％含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィにおけるレジスト中のクェンチャーの液体への溶出によるパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、塩基性化合物であるクェンチャーを含むレジスト膜１０２を形成する。その後、レジスト膜１０２の上に、アルカリ可溶性のクラウンエーテルを含むバリア膜１０３を形成する。続いて、バリア膜１０３の上に液体１０４を配した状態で、バリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して現像を行って、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高分岐ポリマーを用いた光パターニング組成物を提供すること。
【解決手段】
本発明の高分岐ポリマーを用いた光パターニング組成物は、分子内に２個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーＡと、分子内に酸分解性基および１個のラジカル重合性不飽和二重結合を有するラジカル重合性モノマーＢを、該ラジカル重合性モノマーＡおよび該ラジカル重合性モノマーＢの合計モル数に対して５モル％以上２００モル％以下の重合開始剤Ｃの存在下で重合させることにより得られる高分岐ポリマーを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストによるリソグラフィー技術は、非常に高い経時安定性を得る必要がある。また、基板に依存しない良好なパターンプロファイルや高解像度が得られるものでなければならない。本発明はこれらの課題を同時に解決し得る化学増幅型ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法、さらにフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト化合物であって、下記一般式（１）等で表されるモノマー単位を１種あるいは２種以上含有し、ポリマーの水酸基の一部がアセタール基により保護されたアルカリ不溶性ポリマーであって、酸触媒によって脱保護された時にアルカリ可溶性となるベースポリマー、スルホネートアニオンを含有するトリアリールスルホニウム塩、塩基性成分、有機溶剤を主要成分として含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
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【課題】反射防止能に優れたレジスト下層膜を形成することができる多層レジストプロセス用下層膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）ノボラック樹脂と、（Ｂ）有機溶剤と、を含有し、（Ａ）ノボラック樹脂が、（ａ１）分子中にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物を１〜９９質量％、（ａ２）ナフトールを１〜１０質量％、（ａ３）フェノール性水酸基を有する化合物（但し、前記（ａ１）化合物及び前記（ａ２）ナフトールを除く）を０〜９８質量％（但し、（ａ１）＋（ａ２）＋（ａ３）＝１００質量％とする）、及び（ａ４）アルデヒド、を縮合して得られる樹脂である多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。 （もっと読む）

【課題】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示し、超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適な化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、式（１）の基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量１，０００〜５００，０００の高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は水素原子、又はＲ¹とＲ²は互いに結合してメチレン基、エチレン基又は−Ｏ−を形成する。Ｒ³は単結合又はメチレン基、Ｒ⁴は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、又は酸不安定基、ｍは１〜４の整数） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、ラクトン環とフェノール性水酸基を同一分子内に有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】１回のドライエッチングで基板を加工するダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法及びこれに用いるレジスト材料を提供する。
【解決手段】ナフトールを有する繰り返し単位、アダマンタンに結合する１級のヒドロキシ基を有する繰り返し単位、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体を含有する第１のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第１のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第１のレジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジストパターンに波長２００ｎｍ以下の高エネルギー線の照射処理、及び加熱処理の少なくとも一方を施すことによって架橋硬化させる工程と、前記第１のレジストパターン上に第２のポジ型レジスト材料を塗布して、第２のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光した後、現像して第２のレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィに無機酸化物からなるナノ粒子を含む液体を用いる際のレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、続いて、形成したレジスト膜１０１の上に、無機酸化物からなるナノ粒子（ＨｆＯ_２）とアルカリ可溶性基を有する脂環式化合物（1,3−アダマンタンジオール）とを含む液体１０４を配した状態で、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（ＲＯは水酸基、又は炭素数１〜２０のオルガノオキシ基を示す。Ｒ¹は炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を示し、ＲＯと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料用のベースポリマーとして用いられるのに必要な諸特性をすべて満足し、種々の性質を容易に調整可能な新規な材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式［１］で表される酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する高分子化合物。
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【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光において、ラインエッジラフネス、現像欠陥が改良された、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｂ）特定構造の基によって保護された酸基を有し、酸の作用により分解して酸基を生成する繰り返し単位を有する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物において優れた解像度とライン幅ラフネスを有し、ＡｒＦ液浸工程において水への溶出の少ない新規な酸発生剤を提供する。
【解決手段】酸発生剤は下記化学式１で表される。


式中、Ｘは炭素数３〜３０の単環または多環式の炭化水素基で、少なくとも１つ以上の水素がエーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、エポキシ基、ニトリル基、またはアルデヒド基を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキルまたはアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基またはシアノ基を表し、Ｒ_６は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシまたはＮ、ＳおよびＦからなる群から選択されるヘテロ原子であり、ｍは０〜２の整数であり、Ａ＋は有機対イオンである。 （もっと読む）

【解決手段】化学増幅型レジスト組成物に、
ベース樹脂１００質量部に対し全溶剤が１，４００〜５，０００質量部で、
全溶剤中、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルを６０％以上、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの質量の割合が他の溶剤よりも高く、
乳酸エチルを１０〜４０％、
γ−ブチロラクトン、アセト酢酸アルキルエステル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートから選択される溶剤を０．２〜２０％配合する。
【効果】本発明は、上記溶剤を上述した割合で含有する混合溶剤を用いてレジスト組成物を調製することで、レジスト塗膜が均一に形成でき、ラインエッジラフネスが改善され、保存安定性に優れたレジスト組成物を与え、優れたパターン形成方法を提供できる。 （もっと読む）