【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、側鎖に、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基含有エステル基を有する構成単位（ａ０−１）を有し、質量平均分子量（Ｍｗ）が１００００以下の高分子化合物（Ａ１−１）と、高分子化合物（Ａ１−１）が有する構成単位と同一の構成単位（ａ０−１）を有し、Ｍｗが、高分子化合物（Ａ１−１）のＭｗの１．５倍以上である高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位および酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位で表される構成単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（Ｅ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、（Ａ）成分は、側鎖の末端に「−ＳＯ_２−を含む環式基」を含む構成単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、（Ｂ）成分は、一般式（ｂ１−１）［式中、Ｒ^０は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の炭化水素基である。ただし、−ＳＯ_３⁻における硫黄原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない。Ｚ^＋は有機カチオンである。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含有するポジ型レジスト組成物。
［化１］
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【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位（ａ０−１）を有する高分子化合物（Ａ１−１）と、前記高分子化合物（Ａ１−１）が有する構成単位と同一の構成単位（ａ０−１）を有し、構成単位（ａ０−１）の含有割合（モル％）が、前記高分子化合物（Ａ１−１）と異なる高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物、及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）が、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位を有する高分子化合物（Ａ１−１）と、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含まず、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物（Ａ１−２）とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた感度で、ＬＷＲの小さい、良好な形状のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、該高分子化合物の構成単位の合成に利用できる化合物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含み、かつ前記構成単位（ａ０）における酸解離性溶解抑制基が、下記一般式（ａ０−０−１）で表される基を含む。［式（ａ０−０−１）中、Ｒ^１’及びＲ^２’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｙ^１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^３はその環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基である。］
［化１］
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【課題】レジストパターン形成時においてスカムが発生せず、基板とのマッチングが良好なポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物の基材として利用できる高分子化合物、およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、カルボキシル基を含有する構成単位、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を含む構成単位、及び酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物（Ａ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好で、形成されるレジストパターンの形状も良好なポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、環骨格中に−ＳＯ_２−を含む構成単位を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）を少なくとも２種含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】環骨格中に−ＳＯ_２−を有する環式基を含む構成単位、フッ素原子を含む構成単位、および前記各構成単位とは異なる構成単位であって酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する感活性光線または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】イオン性構造部位を有し、活性光線または放射線の照射により分解して酸を発生する繰り返し単位（Ａ）と、少なくとも１個のフェノール性水酸基を有し、その水酸基の水素原子の一部又は全部が酸の作用により脱離する基で保護された基を有する繰り返し単位（Ｂ）とを有する樹脂（Ｐ）を含有し、樹脂（Ｐ）が有する繰り返し単位（Ａ）のイオン性構造部位が、活性光線または放射線の照射により樹脂の側鎖に酸アニオンを生じる構造であり、且つ、発生した酸のｐＫａが０以下であることを特徴とする、感活性光線または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロブリッジ欠陥やＢＬＯＢ欠陥と呼ばれる各種現像欠陥が低減されたパターンを得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により保護基が脱離してアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）フッ素原子または珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂、を含有してなり、樹脂(A)が、極性基を含む保護基を有する繰り返し単位を有し、かつ、疎水性樹脂（Ｃ）が、下記(x)〜(z)の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物：(x)アルカリ可溶性基；(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基；(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の構造を有する酸分解性の繰り返し単位を有し、酸の作用によりネガ現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】液浸露光用として好適なレジスト組成物、および当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と下記一般式（ｆ２−１）［式中、Ｗは多環式の脂肪族環式基を含む基である。］で表される構成単位（ｆ２）とを有する含フッ素高分子化合物（Ｆ１）と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。レジスト膜１０２を構成するレジスト材料には、イオン性の光酸発生剤と、酸脱離基と親水性基とを含む第１のポリマーと、第１のポリマーと比べて光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第２のポリマーとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 エキシマレーザー光によるパターン形成において、通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、露光ラティチュード（EL：Exposure Latitude）、パターンプロファイルが良好なパターンを得ることができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により保護基が脱離してアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなり、樹脂（Ａ）の保護基が極性基を有し、かつ、化合物（Ｂ）から発生する酸が下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（式（Ｉ）中の各符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】現像欠陥の発生が抑制され、且つ、露光ラチチュード及びラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂および、（Ｃ）疎水性樹脂を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物であって、（Ａ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物が、下記一般式（１）で表される酸を発生する化合物であることを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（式中の符号は、明細書に記載の意味を有する。）
【化１】
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【課題】放射線に対する透明性が高く、感度、解像度等のレジストとしての基本物性に優れる。
【解決手段】アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性であって、下記式（１）で表される酸解離性基を有する繰り返し単位と、下記式（２）で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位との２成分のみからなる共重合体である酸の作用によりアルカリ易溶性となる樹脂成分と、放射線により酸を発生する酸発生成分とを含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】側鎖に、連結基を介してその環骨格中に−ＳＯ_２−を含む環式基を有するエステル基を有する（メタ）アクリレート構造で表される構成単位（ａ０−１）、側鎖に、酸解離性基を有するエステル基と、連結基を介したエステルを縦に連結した（メタ）アクリレート構造で表される構成単位（ａ０−２）、および側鎖に酸解離性基を有する（メタ）アクリレート構造で表される構成単位（ａ１−０−１）を有し、全構成単位に対し、構成単位（ａ０−１）の割合は１０〜４０モル％であり、構成単位（ａ０−２）の割合は５〜２０モル％であり、構成単位（ａ１−０−１）の割合は１０〜５５モル％である高分子化合物（Ａ１）。 （もっと読む）

【課題】従来の感光性樹脂組成物では困難であった、光塩基発生剤による副生成物がなく、さらに高温キュアの必要がないアルカリ現像可能な感光性酸樹脂組成物及びそれを用いた回路基板を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、光塩基発生剤（Ａ）とポリアミド酸（Ｂ）とを含有する感光性樹脂組成物であって、前記光塩基発生剤は、式（１）で表されるアシルオキシイミノ基を含有する化合物、であり、前記ポリアミド酸は主鎖中及び／又は末端に重合性基を持つポリアミド酸であることを特徴とする。
【化１】


（式中、Ｘ¹はアリーレン基であり、ｎは０〜３の整数を表す。Ｒ^１は芳香族基または炭素数が２以上のアルキル基である。） （もっと読む）

【課題】広い露光ラテテュード、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）、(II)及び(III)により表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および（Ｃ）２種類以上の塩基性化合物を含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。（Ｒ_１は水素原子又はメチル基。Ｒ_２はハロゲン原子等。ｎは０〜５の整数。）
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