【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないネガ型感光性組成物を提供する。また、本発明は、該ネガ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有するネガ型感光性組成物であって、前記非環状アセタール構造単位を有する（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）は、特定の構造単位を有する樹脂であり、（メタ）アクリル化アセタール樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるネガ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料として用いた場合に低温で分解除去することができ、未分解成分の残存量が極めて少ないポジ型感光性組成物、及び該ポジ型感光性組成物を用いる導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）とを含有するポジ型感光性組成物であって、前記特定構造の非環状アセタール構造単位を有する樹脂（Ａ）中の酸素原子数に対する炭素原子数の比は、２．３〜６．０であるポジ型感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性、剥離性を両立し、レジスト膜から発生するアウトガスが少なく、さらにハレーション防止性能に優れたリフトオフ用ネガ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）重合性不飽和基を有するアクリル樹脂１００重量部に対して、（Ｂ）エチレン性不飽和化合物を０．５〜５０重量部、（Ｃ）シランカップリング剤を０．０１〜３０重量部、（Ｄ）光重合開始剤を０．５〜２０重量部、及び（Ｅ）光吸収剤を０．０１〜１０重量部含有することを特徴とするリフトオフ用ネガ型レジスト組成物、及びこの組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位を、分子内に２つ以上含む感光性化合物、該感光性化合物を有機溶剤に溶解させてなる感光性組成物及び該感光性組成物を用いたレジストパターンの形成方法。


（Ｒ₁は水素原子またはアルキル基である。Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅およびＲ₆のうち少なくとも１つはニトロ基である。Ｒ₇は置換されていてもよいフェニレン基またはナフチレン基である。） （もっと読む）

【課題】被処理部材上にフォトリソグラフィ処理により所望のレジストパターンを形成することができるとともに、不要となったレジストパターンを被処理部材から高効率、かつ、均一に除去することができ、更に、レジストパターンを除去する際に環境にかかる負荷を小さなものとすることができるレジスト材料、該レジスト材料を用いたエッチングパターンの形成方法、及び、導電性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるオキシアルキレン単位を有する（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）と、感光性成分（Ｂ）と、光反応開始剤（Ｃ）とを含有するレジスト材料。
【化１】


式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルキレン基を示し、ｎは１以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 主鎖が下記式（１）で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜１００００の範囲にあるノボラック樹脂と、ノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、かつエステル化率が３〜１０％の範囲にあるナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有する、リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
−（ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ_4-x（ＯＨ）_x−ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ_3-y（ＯＨ）（ＣＨ₃）_y）_z−・・・式（１）
上記式（１）中、ｘは２又は３、ｙは０、１、２又は３、ｚは１以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 主鎖が下記式（１）で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜１００００の範囲にあるノボラック樹脂１００重量部と、一分子当たり平均１．４〜２．６個のエステル結合を有するナフトキノンジアジド基含有化合物１０重量部以上、４０重量部未満とを含有する、リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
−（ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ_4-x（ＯＨ）_x−ＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ_3-y（ＯＨ）（ＣＨ₃）_y）_z−・・・式（１）
上記式（１）中、ｘは２又は３、ｙは０、１、２又は３、ｚは１以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としての機能を有するとともにパターン転写性能及びエッチング選択性が良好なレジスト下層膜を形成することができ、かつデュアルダマシン工程におけるビアへの埋め込み性が良好なレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）又は（２）で表される構造単位を有する重合体を含有するレジスト下層膜用組成物を提供する。
【化１】


〔式（１）において、Ｒ¹は２価の有機の基を示す。〕
【化２】


〔式（２）において、Ｒ²、Ｒ³及びＡは相互に独立に２価の有機の基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 下側レジストパターンと、上側レジストパターンと、下側レジストパターン及び上側レジストパターン間に設けられたセパレータパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜磁気ヘッドのリード素子を形成する際に使用するリフトオフパターンを精度よく形成することを可能とし、薄膜磁気ヘッドの製造上のばらつきを抑えて、より高精度の薄膜磁気ヘッドを製造可能とする。
【解決手段】 磁気抵抗効果膜１２上に、その上に積層されるレジスト膜３０を現像する現像液によっては侵されない膜材料からなる反射防止膜２０と、該反射防止膜をアッシングする処理によって侵されないレジスト材からなる前記レジスト膜３０とを積層して形成する工程と、前記レジスト膜３０を露光および現像してレジストパターン３０ａを形成する工程と、前記反射防止膜２０をアッシングし、アッシングされた反射防止膜２０ａと前記レジストパターン３０ａとでひさし形状のリフトオフパターン２２を形成する工程と、該リフトオフパターン２２を利用して前記イオンミリングを施し、また前記絶縁層を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面、特に感光性が低い基板表面、あるいは撥液剤、カップリング剤、プラズマ処理等で表面処理を行なった基板表面にパターニングを行うに際して、より短時間での露光パターニングを可能とし、併せて露光パターニングの精度も向上させることができるパターニング方法を提案する。
【解決手段】露光パターニングしようとする基板１の表面にオゾン水２を接触させながら、紫外線３を露光マスク３０を介して基材１の表面に照射して、基材１の表面をパターニングする。 （もっと読む）

新しい反射防止膜であって、低分子量（例えば、１モル当たり約５０００ｇ未満）のポリマーが、高分子量のポリマーの代わりに含まれているものと、これらの被膜の使用方法が提供されている。１つの具体例としては、芳香族カルボン酸が発色団として使用され、結果として得られた化合物が、架橋剤および酸と混合される。本発明に係る反射防止膜フィルムは、高分子量のポリマーを含む反射防止膜フィルムと比較して、改良された属性を示す。低分子量の反射防止被膜は、エッチング速度が速く、良好なバイアス充填特性を有している。本発明の物質を用いて行われるフォトリソグラフィー工程は、結果として、独立した約１１０ｎｍの分解能（１１０−ｎｍ）の形状をもたらす。
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本発明は、カルボン酸を含有するモノマーを少なくとも５０ｍｏｌ％含有し得るフォトレジストの現像を改善するために界面活性剤を含有する、現像剤として用いられる組成物に関する。本発明はまた、この組成物の使用方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの異なる光画像形成膜組成物、特に、基板上に２つの異なるドライフィルム組成物を設ける方法に関する。
【解決手段】２つの光画像形成膜組成物は、現像後、光画像形成膜上層が光画像形成膜下層にオーバーハングするように、異なる現像速度及び／又は硬化速度を有するようにそれぞれ選択される。その後、金属層が基板の表面上に堆積される。オーバーハング形状は基板と光画像形成膜層との界面に沿って金属層が光画像形成膜層との密着を防ぐため、オーバーハング形状が次に配置される金属層に損傷を与えずに、光画像形成膜層の完全な除去が可能となる。 （もっと読む）