【課題】更なる高速化、高画質化を目指した電子写真装置において、長時間使用してもワイヤー汚染が問題にならず、同時に画像流れが問題とならない画像形成方法を提供すること。
【解決手段】静電荷像担持体を帯電する帯電工程を有する画像形成方法であって、帯電工程では、放電ワイヤーを有するコロナ帯電器により帯電が行われ、静電荷像担持体が、少なくとも光導電層と、水素化アモルファス炭化珪素で形成されている表面層とを順次積層した感光体であり、トナーはトナー粒子とシリカ微粒子とを少なくとも有し、シリカ微粒子は、シリカ微粒子原体にシリコーンオイルで１段目の表面処理が施された後、シラン化合物および／またはシラザン化合物で２段目の表面処理が施され、さらにシリコーンオイルにより３段目の表面処理が施されたシリカ微粒子であり、シリカ微粒子は、シリコーンオイルの炭素量基準の固定化率が特定の範囲であることを特徴とする画像形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐高湿流れ性と耐摩耗性に優れた電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。
【解決手段】光導電層と、該光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを有する電子写真感光体において、該表面層におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．７５以下であり、該表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が６．６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 白点現象の発生を抑制することができる電子写真用感光体、および画像形成装置を提供する。
【解決手段】 導電性基体と、該導電性基体上に形成されたアモルファスシリコンを含む光導電層と、該光導電層上に形成されたアモルファスシリコンカーバイドを含む被覆層と、該被覆層の表面に付着したポリオレフィン樹脂とを備えることを特徴とする電子写真用感光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電子写真感光体の電位特性の均一性は向上させ、且つ、表面特性に関しては、軸方向に対して分布を持たせ、耐キズ性能の向上とクリーニングラチテュード確保を両立させる。
【解決手段】 光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイドを有する表面層とを少なくとも有する電子写真感光体を有する電子写真装置であって、表面層において、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和は、一方の端部から他方の端部に向かって３％以上増加しており、電子写真装置の電子写真感光体の取り出し方向に、表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が大きい方の端部を配置し、表面層において、ケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比は、０．６０以上０．７８以下であり、電子写真感光体の軸方向における最大と最小の差が平均に対して１０％以下であり、表面層において、膜厚の前記電子写真感光体の軸方向における最大と最小の差が平均に対して１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 感光体の基体を再利用するために堆積膜をすべて切削で除去すると基体も切削され外形寸法が小さくなってしまい、外径規格の厳しい製品では再利用ができないか再利用回数に制限があるという課題があった。ドライエッチングだけで堆積膜を除去しようとすると堆積膜が斑点状にエッチングされ均一な堆積膜除去ができないという課題があった。
【解決手段】 基体の上に阻止層、光導電層、および表面層を積層した感光体の前記表面層および光導電層の一部を機械的に除去した後、残存する層をエッチングで除去することを特徴とする感光体の基体再生方法とする。 （もっと読む）

【課題】耐磨耗性能が高く、画像の形成精度も比較的優れた電子写真感光体を提供する。
【解決手段】導電性基体と、光導電層および表面層とを備える感光体であって、前記光導電層はシリコンを含み、前記表面層はシリコンおよび炭素を含み、前記表面層は、単位体積当たりの炭素の原子数をａとし、シリコンの原子数をｂとしたときに、式Ａ＝ａ／（ｂ＋ａ）で表される原子数比Ａが０．７５以上かつ０．８１未満を満たす第１の領域と、前記第１の領域上に積層した、前記原子数比Ａが０．８１以上かつ０．９５以下を満たす第２の領域と、前記第２の領域上に積層した、前記原子数比Ａが０．９５より大きくかつ１．０以下を満たす第３の領域とを有する電子写真用感光体。 （もっと読む）

【課題】 フッ素を含有する非晶質カーボン等の表面保護層を有する感光体を備え，それを研磨する画像形成装置において，そのフッ素含有率が感光体の深さ方向に変化した場合であっても，形成される画像の濃度の変動が生じにくく，常に最適な濃度の画像が得られる画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 フッ素を含有する非晶質カーボン（又は非晶質シリコンカーバイド）からなる表面保護層１４を有する感光体１と，帯電装置２１，露光装置２２，現像装置２３を備える作像部２と，感光体１の表面を研磨する研磨手段（摺擦ローラ５２）とを備え，さらに感光体１の表面における摩擦抵抗あるいは硬度を検知する検知手段７と，検知された摩擦抵抗あるいは硬度に応じて，作像部２による画像形成の条件を，感光体１の表面のうち露光装置２２により露光された部分と現像装置２３との電位差がほぼ一定となるように変更させる制御手段７を備える画像形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】 画像露光光の波長に対する許容範囲が広い電子写真装置、および、その電子写真装置に用いられる電子写真感光体を提供する。
【解決手段】 光導電層と表面層の間の中間層の層数を３以上の奇数とし、光導電層から表面層に向かって屈折率が単調減少する組み合わせとする。奇数番目の中間層の屈折率を隣接する２層の屈折率の相乗平均の所定範囲以内とし、屈折率と膜厚の積をλ／４ｎの奇数倍の特定範囲以内とする。少なくともある２層の奇数番目の中間層に挟まれる中間層の屈折率と膜厚の積の和が位相換算で−π／２＜θ＜π／２の範囲以内とする。 （もっと読む）

【課題】 電子写真方式の画像形成装置において，感光体上のフッ素含有量がその深さ方向に変化した場合であっても，それを研磨した場合に，感光体に付着する放電生成物等による画像流れを防止すると共に，感光体の寿命を長くすること。
【解決手段】 感光体１がフッ素を含有する非晶質カーボン（又は非晶質シリコンカーバイド）からなる表面保護層１４を有しており，感光体１の表面における摩擦抵抗を検知する検知手段７と，感光体１の表面を研磨する研磨手段（摺擦ローラ５２）と，検知手段７で検知される摩擦抵抗が大きい時に研磨量を増加させる方向に研磨条件を変更し，摩擦抵抗が小さい時に研磨量を減少させる方向に研磨条件を変更する制御手段８とを備える画像形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】ａ−ＳｉＣ上部阻止層およびａ−ＳｉＣ表面層を有する電子写真感光体において、密着性に優れ、表面変質が抑制され、感度特性や帯電特性に優れ、良好な画像形成を長期間維持できる電子写真感光体を提供する。
【解決手段】上部阻止層が周期表の第１３族原子または第１５族原子を上部阻止層中のケイ素原子に対して１０原子ｐｐｍ以上３００００原子ｐｐｍ以下含有し、上部阻止層におけるケイ素原子の数と炭素原子の数との和に対する炭素原子の数の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．１０以上０．６０以下であり、表面層におけるケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度との和が６．６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上であり、表面層におけるケイ素原子の数と炭素原子の数との和に対する炭素原子の数の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．７５以下である。 （もっと読む）

【課題】耐高湿流れ性と耐摩耗性に優れた電子写真感光体を提供する。
【解決手段】基体上に水素化アモルファスシリコンからなる光導電層及び水素化アモルファスシリコンカーバイドからなる表面層を順次形成した電子写真感光体であって、前記表面層は、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上であり、ケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比が０．６１以上０．７５以下であり、前記電子写真感光体の１０μｍ×１０μｍの範囲における微視的表面粗さで最も高い点を基準とした凹凸高さの負荷曲線における５％〜９５％の高さの差をＡ、基準長さ０．８ｍｍで測定した巨視的表面粗さで最も高い点を基準とした凹凸高さの負荷曲線における５％〜９５％の高さの差をａとした時、Ａ及びａが下記（１）及び（２）の条件を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
（１） ０．０１μｍ≦Ａ≦０．２０μｍ
（２） ０．０３μｍ≦ａ≦０．４０μｍ （もっと読む）

【課題】帯電効率の良い接触帯電器を用いた画像形成装置において、ａ−ＳｉＣ表面層の放電による変質を抑制することにより従来に比べ、良好なクリーニング特性が長期間に渡って維持され、耐磨耗性に優れ長寿命で帯電能力、画像品質を高次で満たす画像形成装置を提供する。
【解決手段】感光体と帯電手段と、露光手段と、その潜像を現像してトナー像を形成するための現像手段と、そのトナー像を像担持体に転写するための転写手段と、感光体表面をクリーニングするためのクリーニングブレードを有する画像形成装置において、帯電手段が接触帯電器で、感光体が光導電層と、水素化アモルファス炭化ケイ素で形成されている表面層とを順次積層した感光体で、表面層がＳｉの原子密度とＣの原子密度の和に対するＣの原子密度の比が０．６１以上０．７５以下であり、且つＳｉの原子密度とＣの原子密度の和が６．６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上である感光体を用いる。 （もっと読む）

【課題】クリーニングラチチュードを拡大し、バンディング現象を防止し、高品位な画像を長期間に渡って維持できる電子写真感光体を提供する。
【解決手段】導電性基体の上に、少なくとも光導電層と、水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを順次形成した電子写真感光体において、該表面層のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．６１以上０．７５以下であり、かつケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６．６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上であり、かつ該表面層のＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される算術平均粗さＲａが、０．０２９μｍ以上０．５００μｍ以下であることを特徴とする電子写真感光体。 （もっと読む）

【課題】耐久性向上と高湿流れ抑制を高次元で両立し、圧傷、膜剥がれリスクを低減した電子写真感光体を提供する。
【解決手段】光導電層１２、中間層１３と表面層１１を有する電子写真感光体１０で、表面層はケイ素原子の原子数(Si)と炭素原子の原子数(Ｃ)との和に対する炭素原子の原子数(Ｃ)の比(Ｃ／(Ｓｉ＋Ｃ)：Ｃ２)が0.61以上0.75以下、かつケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和(Ｄ２)が6.60×10²²原子／cm³以上で、中間層はケイ素原子の原子数(Ｓｉ)と炭素原子の原子数(Ｃ)との和に対する炭素原子の原子数(Ｃ)の比(Ｃ／(Ｓｉ＋Ｃ)：Ｃ１)とケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和(Ｄ１)がそれぞれＣ２とＤ２を超えない範囲で光導電層側から表面層側に向かって連続的に増加し、Ｃ１が0.25以上Ｃ２以下を満たす領域を層厚方向に150nm以上有する。 （もっと読む）

【課題】放電生成物に起因する感光体の表面層における削れ量を感光体の回転軸方向で均一にする。
【解決手段】アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層を有する電子写真感光体を有する電子写真装置において、表面層におけるケイ素原子の原子密度（Ｓｉ）と炭素原子の原子密度（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子密度（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、電子写真感光体の回転軸方向において一方の端部から他方の端部に向かって大きくなっており、かつ回転軸方向の全領域において０．６１以上０．７５以下であり、電子写真装置が、一方の端部側から他方の端部側に向かって排気する気流発生手段を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な感光体特性を維持しつつ、急激な環境の変化が生じた場合でも良好な密着性を実現し、高寿命な電子写真感光体を提供する。
【解決手段】中間層における水素原子比の分布が層厚方向において極大領域を有し、中間層における水素原子比の分布の極大領域における水素原子比の最大値が表面層の水素原子比よりも大きく、表面層における水素原子比が０．３０以上０．４５以下であり、中間層における炭素原子比の分布が層厚方向において極大領域および極小領域を有し、中間層における炭素原子比の分布の極大領域における炭素原子比が０．５３以上０．６３以下であり、中間層における炭素原子比の分布の極小領域における炭素原子比が０．４７以上、中間層における炭素原子比の分布の極大領域における炭素原子比よりも小さく、中間層における水素原子比の極大領域の少なくとも一部が中間層における炭素原子比の極小領域と重なっている。 （もっと読む）

【課題】高湿流れに対する耐性と耐摩耗性に優れ、膜剥がれに対する耐性にも優れた電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。
【解決手段】光導電層、中間層および表面層を有する電子写真感光体において、表面層のＳｉ＋Ｃ原子密度をＤ_Ｓ×１０^２２原子／ｃｍ^３としたときＤ_Ｓが６．６０以上であり、光導電層における層厚方向の水素量分布におけるＨ／（Ｓｉ＋Ｈ）の最大値をＨ_Ｐｍａｘ、第２光導電領域におけるＨ／（Ｓｉ＋Ｈ）の平均値をＨ_Ｐ２としたとき、Ｄ_ＳとＨ_Ｐ２が下記数式（１）を満たし、かつ、Ｄ_ＳとＨ_Ｐｍａｘが下記数式（２）を満たす。数式（１）Ｈ_Ｐ２≧０．０７×Ｄ_Ｓ−０．３８ 数式（２）Ｈ_Ｐｍａｘ≦−０．０４×Ｄ_Ｓ＋０．６０ （もっと読む）

【課題】研磨工程の最適条件のラチチュードを広げ、最適条件の変動を防止し、常に最適な研磨条件で突起状の異常成長を平坦化することが可能な、感光体の後処理方法を提供する。
【解決手段】感光体１０１作製後の後処理方法であって、電子写真感光体が、円筒状の基体の上に、アモルファスシリコンで形成された光導電層と、ケイ素原子を含有するアモルファス物質で形成された表面層とを持ち、感光体１０１の作製工程の終了後、ポリシランが表面に付着した感光体１０１を作製装置から取り出した後、感光体１０１の表面を、表面に垂直な方向の圧力が１〜１００ｋＰａの範囲で乾拭きする乾拭き工程を行い、その後に研磨砥粒を接着剤成分で担持した研磨用テープを用いて表面を研磨する研磨工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 ａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に複数のａ−ＳｉＣ中間層を設けた場合であっても、ａ−ＳｉＣ中間層の層間における剥離が発生しにくい電子写真感光体、および、該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。
【解決手段】 電子写真感光体がａ−Ｓｉ光導電層とａ−ＳｉＣ表面層との間に５層以上のａ−ＳｉＣ中間層からなる変化層を有し、その変化層に含まれるａ−ＳｉＣ中間層の中からＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）が０．３５〜０．６５であるａ−ＳｉＣ中間層の隣り合う２層を選択したとき、光導電層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ））と表面層側のａ−ＳｉＣ中間層のＣ／（Ｓｉ＋Ｃ）との間の増加率（層間の増加率）が１９％以下である。 （もっと読む）

【課題】電子写真用感光体表面の酸化を抑制することにより、高湿流れ、耐磨耗性及び省エネルギー性の全てを満たすことが可能な電子写真装置を提供する。
【解決手段】コロナ帯電器が、電子写真用感光体に対向する開口部を遮蔽可能なシート状の遮蔽部材と、遮蔽部材を巻き取る機構を有する電子写真装置であって、電子写真用感光体は、少なくとも基体の表面に、水素化アモルファスシリコンからなる光導電層及び、水素化アモルファスシリコンカーバイドからなる表面層を順次形成したものであり、表面層は、ケイ素原子の原子密度と炭素原子の原子密度の和が６.６０×１０^２２原子／ｃｍ^３以上であり、更に、ケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数の和に対する炭素原子の原子数の比が０．６１以上０．７５以下である。 （もっと読む）