【課題】可視から近赤外波長領域の光電場と表面プラズモンの相互作用を利用した、表面プラズモンの共鳴周波数、金属−材料間の距離制御が容易で、かつプラズモン増強効果を効果的に利用することができ、三次元的な特性の均一性と環境安定性に優れた混合物、及び該混合物を利用したプラズモニクスデバイスの提供。
【解決手段】（１）表面が高分子材料で被覆され、更にその表面が無機酸化物で被覆された金属微粒子と、二光子吸収有機材料とを含有する混合物。
（２）前記高分子材料が水溶性である（１）に記載の混合物。
（３）前記高分子材料が電解質である（１）又は（２）に記載の混合物。
（４）前記金属微粒子が金である（１）〜（３）のいずれかに記載の混合物。 （もっと読む）

【課題】効率よく二光子を吸収する有機材料を提供し、これを用いた光記録材料と三次元記録媒、光造形材料とその方法、光制限材料と光制限装置、二光子励起蛍光材料と蛍光検出方法を提供する。
【解決手段】電子供与性（ドナー性）の強い置換基をメソ位に１〜２カ所導入して分極化させて大きな二光子吸収能を得ている。とりわけ、末端部にトリフェニルアミン基が導入されていると電子供与性が強く、しかも嵩高い置換基となっており、種々の有機溶剤への可溶化が図れる。 （もっと読む）

【課題】モードギャップ型共振器の屈折率を変調することによって、断熱的な波長変換を実現し、その結果導波路との結合が変化することを利用することで、光メモリ、可変な光遅延線、及び高効率な波長変換素子を実現する。
【解決手段】本発明は、波長選択性を持つ反射ミラーによって形成された光共振器を用いた光メモリ、光遅延性、波長変換素子において，共振器の屈折率を変化させる機構を設け、共振器部分の屈折率を共振器の光子寿命よりも早く変化させることによって，共振器に閉じ込められた光を断熱的に変化させ、光の波長を波長選択性を持つ反射ミラーの透過帯域に合わせることによって、共振器内の光の導波路との結合を強め、光の波長を変換しつつ、光を導波路に素早く取り出す。またはその逆の操作を行うことで、光を共振器に閉じ込める。 （もっと読む）

【課題】デュアルＣＧＬ構造の光導電層を有し、電荷発生材料としてエクストリンシック系電荷発生材料を用い積層形成した場合に、電荷発生層形成時に電荷輸送材料を添加しなくても、上部電荷発生層が下部電荷発生層と同等の光感度を有する光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。
【解決手段】表面に電極を有する基板と、前記基板上に下部電荷発生層、電荷輸送層及び上部電荷発生層を順次に積層形成した光導電層と、を有し、少なくとも前記上部電荷発生層がエクストリンシック系電荷発生材料を含み、かつ、該上部電荷発生層形成後に、前記電荷輸送層中の電荷輸送材料の熱拡散温度以上の温度にて加熱処理を施されてなる光スイッチング素子である。 （もっと読む）

【課題】プラズモン増強場を利用して多光子吸収化合物を実用化レベルまで高感度化した光増感型複合材料、およびこれを用いた材料、素子、デバイス等を提供する。
【解決手段】多光子励起波長に共鳴して表面プラズモン増強場を発生させる金属微粒子61aの表面に、多光子吸収可能な分子構造を持つ多光子吸収化合物63が連結基62を介して結合されている光増感型複合材料とする。これを含有するか、用いて、例えば、三次元メモリ材料と三次元記録媒体、光制限材料と光制限素子、光硬化材料と光造形システム、多光子蛍光顕微鏡用蛍光材料と多光子蛍光顕微鏡を構成する。 （もっと読む）

【課題】光学部品点数を低減させ、低コスト化を図ることができ、光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用可能であり、高速光ネットワークや量子コンピュータといった最新の光技術への本格的な対応が期待される光バッファメモリ装置を提供する。
【解決手段】本光バッファメモリ装置は、特定の波長のパルス状の信号光５を、信号光５とは異なる波長のパルス状の変換光７に変換する波長変換器１と、波長変換器１により波長変換されたパルス状の変換光７の情報を、書込み及び読出し可能な記録媒体に一時的に記録させた後、前記特定の波長のパルス状の信号光１０として取出す記録再生装置２を有する。波長変換器１は、信号光５に対し吸収性を示し変換用光６に対し透過性を示す波長帯域を持つ光吸収層を含み、所定の光照射条件で熱レンズ形成光素子１１を形成する。熱レンズ形成光素の光吸収層には、信号光５と変換用光６とを各々集光点を光軸に対して直角方向で異ならせて集光させる。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】 衝撃固化現象による成形体に形成された導波路を有する光学素子及びその光学素子を含む光集積デバイスを提供する。
【解決手段】 基板上に供給した超微粒子脆性材料に機械的衝撃力を負荷して前記超微粒子脆性材料を接合させて形成した成形体の光吸収端を、局所加熱により制御し、導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の回折限界を超えた微小サイズの近接場導波路を提供する。
【解決手段】エネルギー準位が量子化された量子ドットを配列した近接場導波部と、前記近接場導波部の両端の外側に設けられた１対の電極と、前記近接場導波部の一端の量子ドットに近接場を導入する近接場励起部と、前記近接場導波部の他端の量子ドットから近接場を出力する近接場出力部とを有することを特徴とする近接場導波路。 （もっと読む）

【課題】直線偏光の光を出射する光源を用いる場合に適した近接場の光増強が可能な光学素子及びそれを備えた近接場発生装置並びに露光装置を提供する。
【解決手段】直線偏光光源１０から照射される直線偏光によって、金属遮光膜１２に形成された微小開口１３ａ・１３ｂ・１３ｃにて近接場を発生する光学素子２であって、金属遮光膜１２には、微小開口１３ａ・１３ｂ・１３ｃから直線偏光の偏光方向に微小構造物１４が設けられている。 （もっと読む）

透過率を最大とし、また液晶を電圧駆動させても光透過率の変動を最小にする液晶素子からなる波面収差補正装置を提供することを目的とする。記録媒体に光を照射する、あるいは前記記録媒体によって反射された反射光を導く光学系の光路中において生じた光の波面収差を補正する波面収差補正装置であって、前記光路中に互いに対向する一対の透明電極層を有し、前記透明電極層間に挟まれ、前記透明電極層への電圧の印加により通過する光に対して位相変化を生じさせる液晶を備え、前記透明電極層は、基体と該基体上に形成された、凹凸部を有するように構成された微細構造体と、を備える反射防止体の上に配されることを特徴とする波面収差補正装置を開示する。
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光信号増幅３端子装置１０においては、第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１と第２波長λ_２の第２入力光Ｌ_２とが入力された第１光増幅素子２６からの光から選択された第２波長λ_２の光と、第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３とが第２光増幅素子３４へ入力させられるとき、その第２光増幅素子３４から出された光から選択された第３波長λ_３の出力光Ｌ_４は、前記第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１および／または第３波長λ_３の第３入力光Ｌ_３の強度変化に応答して変調された光であって、前記第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３に対する信号増幅率が２以上の大きさの増幅信号となるので、光信号の増幅処理を制御入力光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置１０を得ることができる。
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リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３、（１−ｘ）Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３、及び（１−ｘ）Ｐｂ（Ｉｎ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３・ｘＰｂＴｉＯ_３のいずれかで表される鉛系複合ペロブスカイト化合物からなる。組成比ｘは０．１よりも大きくかつ０．２よりも小さい。リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、キュリー温度未満において、高誘電率でかつ光の透過を阻止する第１の状態と低誘電率でかつ光の透過を許容する第２の状態の間を変移可能である。第１の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶に閾値以上の大きさの電界を印加すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第２の状態に変移する。第２の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶をキュリー温度以上に加熱すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第１の状態に変移する。 （もっと読む）