【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、光インターコネクトモジュールおよび、それを用いてボード上にて光及び電気の信号処理を、低損失且つ高速に行う光電気ハイブリッド混載ボードを提供すること。
【解決手段】レーザ光源素子１０１から発光された後、変調器素子部１０２内を伝播し光路変換構造によって基板垂直方向に折り曲げられた光信号と、半導体基板外部から入射され、半導体同一基板上に設けられた受光素子部１０３との間でやりとりされる光信号が、それぞれ半導体基板１００内を介して、半導体基板外部との間で基板垂直方向に光学接続される構造の光インターコネクトモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素ピッチがサブミクロン程度となるまで精細度を上げることができ、かつ、光の波長が、電極の波長−透過率特性に制限されない空間光位相変調器に関する。
【解決手段】本発明の空間光位相変調器は、複数の画素構成素子を備え、前記複数の画素構成素子の各々は、電気光学効果を有する電気光学材料と、該電気光学材料上に互いに対向するように配置された２つの電極とを備え、複数の画素構成素子の各々は、所定の間隔で配置され、電気光学材料内を透過する光の光軸は、２つの電極の間に存在し、電気光学材料の誘電率は、画素構成素子と隣接する画素構成素子との間の間隙中の誘電率よりも高く、複数の画素構成素子の各々の重心が、光の光軸と垂直な同一平面上にあるように、複数の画素構成素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】光の変調速度を向上させることのできる屈折率変調構造及びＬＥＤ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部又は凸部が周期的に形成された材料を含むモスアイ構造体と、前記材料に電界を生じさせ、当該材料の屈折率を変化させる電界調整部と、を有し、モスアイ構造体の屈折率の変化を利用して回折の透過条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】横幅方向の小型化を図ることができると共に、波長精度及び光出力精度を向上させることができる半導体光変調素子及び光半導体モジュールを提供する。
【解決手段】光導波路５を備える導波路型光変調器４において、導波路型光変調器４の光出射側の端面における光導波路５の有する光伝搬の有効範囲、すなわち、半導体光導波路構造を伝搬する光の基本モードが分布する領域の外の領域を、光導波路５を中心に横方向に対称に斜めに加工した。 （もっと読む）

【課題】２値の電気信号で光変調手段を駆動し、光変調手段の出力光信号のベクトル加算により多値の光信号を生成する光変調器において、ベクトル合成に伴う原理過剰損失を低減して光損失を小さくすること。
【解決手段】２並列のQPSK変調器を入力側及び出力側の非対称カプラで接続している。入力側非対称カプラは２本の出力ポートを備え、メイン入力ポートから光を順方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1で分岐する。出力側非対称カプラは２本の入力ポートを備え、メイン出力ポートから光を逆方向入力するとアーム１及び２に光強度分岐比2:1（67%:33%）で分岐する。各アームを経由し出力側非対称カプラにおいてベクトル加算される各QPSK変調器の出力光信号の位相差θを０とする。本構成により、各QPSK変調器からの出力QPSK信号を電場振幅比2:1で合波し、ベクトル加算により16QAM信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板の同一端面内に複数の光入出力部を有する光素子に、複数の光ファイバを接合する場合であっても、各光入出力部に繋がる複数の光導波路の長さを等しくし、変調特性などの光導波路毎の光路差に起因する光学特性の劣化を抑制することが可能な、光素子と光ファイバとの接合構造を提供する。
【解決手段】誘電体基板１に形成された光導波路２１を有する光素子と、該光導波路と光学的に結合すると共に、該誘電体基板の端面に接合される光ファイバ４との接合構造において、該光導波路は該端面内に複数の光入出力部を有し、該光ファイバは、各光入出力部に対応する複数の光ファイバであり、該光ファイバが接合される誘電体基板の該端面は、各光入出力部を有する光導波路の光軸方向に垂直であり、かつ、該誘電体基板の厚み方向に傾斜している傾斜面（傾斜角θ）となっている。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】分極反転領域を有する光デバイスにおいて、分極反転領域の特性に起因する性能劣化の発生を有効に防止した光デバイスを提供する。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器の光導波路（Ａ）、（Ｂ）は、通常、分極非反転領域である−Ｚ面に形成される。しかし、信号電極１１と接地電極１０を２つの導波路に非対称に設けると、出力光にチャープを生じ、好ましくないので、これらの電極を２つの導波路に対称に設ける。ここで、光変調が有効にかけられるためには、光導波路の存在する基板の一部を分極反転する必要がある。分極反転により、光導波路は、＋Ｚ面に形成されることになる。しかし、＋Ｚ面には、分極反転領域の自発分極の不安定性から、電荷が蓄積され、光変調器の性能に悪影響を与えるので、分極反転領域の表面に導電性のアモルファス層を形成する。 （もっと読む）

【課題】光入出力部（光デバイスと光ファイバとの結合部）の少なくとも一方では、光導波路の光強度分布を光ファイバの光強度分布に略一致させることができ、結合損失の少ない光デバイスを提供することを提供する。
【解決手段】誘電体基板１に光導波路３が形成された光デバイス１０は、前記光導波路３と光ファイバが接続される入出力部を備え、前記入出力部の少なくとも一方には、前記光導波路３に応力を付与して前記光導波路３の屈性率を低減する応力層２が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
薄板を用いた光素子における出力光のＳ／Ｎ比を改善した光素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料若しくは非線形光学効果で形成された厚さ２０μｍ以下の薄板１と、該薄板に形成された光導波路４とを有する光素子において、該薄板の光導波路およびその近傍を除く領域に、該薄板内を伝搬する迷光を反射し、反射した迷光を該薄板外に導くための迷光反射手段（１０，２０）が配置されていることを特徴とする。
迷光反射手段には、薄板の角部の面取り部１０や、薄板表面に形成した溝部２０などがある。 （もっと読む）

【課題】光通信システムに好適に用いられる変調効率の高い光変調素子に用いられる光導波路を提供し、容易な構成で所望の周波数・減衰量を実現する高周波回路素子を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有する材料からなる第１の基板１と第１の基板１に接するように配置された第２の基板２とからなり、第１の基板１の表面側にリッジ構造部分３を有した光導波路において、第１の基板１の裏面側のリッジ構造部分３に対向する位置に複数の溝４を有し、第１の基板１との基板２の境界部分の複数の溝４が形成された部分が中空６になっていることを特徴とする。溝４を第１の基板１の裏面側に形成することで、導波光に効果的に周期的な実効屈折率変化を与えることができ、浅い溝でも大きな効果を得ることが可能となる。さらに、導波路を用いて光変調素子を構成することによって高効率な光変調を実現する。 （もっと読む）

【課題】
厚みが２０μｍ以下の薄板を用いた光変調器において、基板内のマイクロ波の共振現象や焦電効果などの不具合を抑制する導電膜を、安定的に保持することが可能な光変調器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚みが２０μｍ以下の薄板（１０）と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路（１１）と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極（１３，１４）とを含む光変調器において、該薄板の裏面に接合される補強板（１６）と、該薄板の側面から該補強板の側面に連続して形成された導電膜（１７）を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
基板表面に段差部を有する光変調器において、段差部を含む基板表面に適切な膜体を形成可能とし、ＤＣドリフト現象を抑制するなど、光変調器の各種特性を改善した光変調器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路中を伝搬する光波を変調制御するための制御用電極とを有する光変調器において、該基板表面に段差部が形成されると共に、該段差部を含む領域に膜体が形成され、該段差部の側面に形成される該膜体は、該段差部の上面に形成される該膜体に比べ、同等以上の緻密な膜体で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 断熱溝構造を有する光導波路と薄膜ヒータによって構成され、熱光学効果を利用した光の位相シフタにおいてより低い消費電力およびより高密度な回路を提供するための構成を最適化することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に配置されるクラッド層２およびコア層３によって形成される埋め込み型光導波路３２，３３と、その上面に形成される薄膜ヒータ３５，３６及び光導波路３２，３３の側面に断熱溝３７を形成して構成される導波路型熱光学位相シフタにおいて、前記断熱溝３７の光導波方向の長さが前記薄膜ヒータ３５，３６の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）