【課題】高速で、低電圧駆動を可能とし、光伝播損失が少なく且つ信頼性が高く歩留まりのよい有機導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】 基板１４の上に下部クラッド層１８、研磨停止層１９、上部クラッド層１７が設けられ、上部クラッド層１７の上に信号電極１２、接地電極１３が設けられている。チャネル導波路のコア部（コア層）１６にＤＡＳＴを用いており、コア部１６の断面は、コア上部幅に対してコア下部幅が小さいテーパー形状となっている。 （もっと読む）

【課題】 高速でアルファパラメータが小さく、かつ消光比が大きく、また駆動電圧とＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光を導波するための光導波路１２と、基板１の一方の面側に形成され、光を変調するための高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用の中心導体４ａ及び接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４を有し、光導波路１２には進行波電極４に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための複数の相互作用光導波路１２ａ、１２ｂを有するマッハツェンダ光導波路を具備する光変調器において、それぞれの複数の相互作用光導波路１２ａ、１２ｂが、光導波路１２の長手方向に対し垂直となる断面において複数の相互作用光導波路１２ａ、１２ｂの屈折率が互いに異なる高屈折率領域１３ａ、１３ｂを、長手方向の一部に少なくとも１つ以上具備する。 （もっと読む）

【課題】 信号劣化のない、高速で、より低電圧駆動を可能とした有機導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】 干渉型の光変調器の例としてマッハツェンダ型を示し、受動部である光導波路１１はポリマーで形成され、能動部である両分岐光導波路１１ａ、１１ｂにＤＡＳＴを選択的に配置している。有機導波路型光変調器１０は、信号電源から高周波変調信号電圧を印加される変調部１２と、適切な光学バイアスを設定するためにＤＣ電圧を印加するバイアス印加部１３と、接地電極１７，１８を有している。２つの分岐導波路に配置されるＤＡＳＴの結晶軸は同一方向であり、バイアス電極１６と接地電極１７とで形成される電界は、ＤＡＳＴの結晶軸に対して反対方向となる。 （もっと読む）

【課題】 高速で駆動電圧が低く、ＤＣバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有する基板１に形成された光導波路３と、基板１の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用の中心導体４ａ及び接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、光にバイアス電圧を印加するための中心導体２２ａ、２３ａ及び接地導体２２ｂ、２２ｃ、２３ｂ、２３ｃからなるバイアス電極とを有し、光導波路３には進行波電極４に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調する高周波電気信号用相互作用部２０と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するバイアス用相互作用部１９、２１とが具備される光変調器において、高周波電気信号用相互作用部２０を挟んで、光が伝搬する方向の前後にバイアス用相互作用部１９、２１を具備する。 （もっと読む）

【課題】有機結晶をコア層に用いる有機導波路型光変調器における有機結晶によるコア層とクラッド層の界面の剥離を有効に防止する。
【解決手段】入射した光を導波する有機導波路のコア層に変調用の電界を作用させて、上記導波する光の位相および／または強度を変調して射出させる導波路型光変調器であって、有機導波路のコア層Ｃ１１、Ｃ１２が有機結晶により構成され、有機結晶によるコア層Ｃ１１、Ｃ１２を保持するクラッド層２１の、有機結晶によるコア層に接する部分に、微少凹凸構造による密着層Ｍ１、Ｍ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】より生産性、信頼性に優れた有機導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】入射光を外部からの電界の強さに応じて出射光の位相または強度を変調し、有機材料をコア層にもつ光導波路の一部または全領域を外部からの電界により制御する有機導波路型光変調器であって、入射光を分岐する分岐部分１０ａと、分岐された入射光を変調する変調部分１０ｂと、この変調された光を合成し出力する合成部分１０ｃと、を有し、変調部分１０ｂは、光の進行方向に対して複数のコア層（ＤＡＳＴ１４）を備えている。 （もっと読む）

【課題】 精密な温度制御を行わなくても、光デバイスを構成する電気光学材料の温度をほぼ一定に保つことが可能であり、かつ低コスト化を実現可能な光デバイスを提供すること。
【解決手段】 常誘電相と強誘電相との間で相転移を起こすＫＴＮ材料を備える光スイッチ１０は、交流駆動回路１７と、交流駆動回路１７に電気的に接続され、位相変調用電極１３と位相変調用電極１４とに挟まれ、コア１２を含む、動作領域の近傍に配置された、加熱用電極１５および１６とを備える。このような構成において、交流電力を加熱用電極１５、１６に印加することにより、ＫＴＮ材料の温度を上昇させ、動作領域の温度を、ＫＴＮの相転移温度よりも高い温度にほぼ一定に保持する。 （もっと読む）

【課題】
変調電極の構造を対称に維持し、高周波までの変調を可能とすると共に、チャープ量を調整可能な光変調器を提供することであり、しかも、製造の後工程でも容易にチャープ量を調整可能とし、極めて生産性の高い光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された基板１と、該基板の表面又は裏面に形成されたマッハツェンダー型光導波路と、該基板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極４，５とを含む光変調器において、該基板の厚みの最小値が５０μｍ以下であり、該マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路３が形成された少なくとも一部の領域における基板の厚みが、各分岐導波路毎に異なる部分を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 増幅幅の比較的小さい増幅器により駆動することができる進行波型電極用の駆動回路、それを用いた光変調システム及び進行波型電極用の駆動方法を提供する。
【解決手段】
上記の課題は、電気信号を発生する電気信号源（１）と、回路の終端に設置される終端器（２）と、進行波型電極の一端に接続される第１の入出力導線（３ａ）と、進行波型電極の他端に接続される第２の入出力導線（３ｂ）と、電気信号源からの電気信号を第１の入出力導線に伝えると共に、第１の入出力導線からの帰還信号を終端器に伝えるスイッチ素子であるサーキュレータ（４）と、第２の入出力導線に接続され、進行波型電極の他端から入力された電気信号を反射する反射器（５）と、電気信号を増幅する増幅器（６）とを具備する進行波型電極用の駆動回路（１０）により、解決することができる。 （もっと読む）

【課題】光変調素子の変調効率を改善すること。光の群速度を低下させる構造の光導波路を用いることにより、変調信号との相互作用効果を増大させ、課題を解決する。
【解決手段】電気光学効果を有する材料からなる光導波路６と、光導波路６の表面に設けられた複数のピット３からなる２次元フォトニック構造５とを有している。これにより、フォトニックバンドギャップが生じない場合でも、光導波路を通過する光の群速度が低下し、この導波路を光変調素子に応用することで、非常に高い変調効率を実現できる。 （もっと読む）

【課題】
光導波路を形成した薄板を利用し、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光学素子において、補強板がアンダークラッド層の機能を兼ね備えた、安価で性能のバラツキが少ない光学素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する単結晶材料で形成され、研磨加工又はイオンビーム加工により得られた厚さ２０μｍ以下の薄板１０と、該薄板の表面に形成されたリッジ型の光導波路１１，１４と、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極と、該薄板の裏面に接着された補強板１２とを含む光学素子において、該補強板は、薄板と同じ材料を使用し、少なくとも補強板のの接合面の屈折率が、薄板の屈折率より低減され、該薄板と該補強板とは、直接接合法により接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやＤＣドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚みが１５０μｍ以下の薄板１と、該薄板に形成された光導波路４と、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極と、該薄板より厚みの大きい補強板とを含む光変調器において、該補強板には、焦電効果が該薄板より低く、線膨張係数が該薄板と同等である材料を用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＮチップと回路基板を少ない面積で実装した光変調器を提供する。
【解決手段】 ＬＮチップ１０の信号電極１４、グランド電極１５及び１６が設けられた面を下向きにしたときのこれらの電極の位置に合わせて回路基板２０に信号電極２４−１、グランド電極２５−１及び２６−１を設ける。そして、回路基板２０の信号電極２４−１、グランド電極２５−１及び２６−１の上部にバンプ２４ａ、２５ａ、２６ａを形成し、ＬＮチップ１０を下向きにし電極どうしの位置を合わせて載せ、ボンディングする。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶配列で構成された光導波路の機械的な強度を保ちつつ、光を高効率に閉じ込めることのできる光制御素子を提供する。
【解決手段】 導波部反射構造１７ａと導波部反射構造１７ｂとは、光導波路部分１４を層法線方向の両側から挟んでいる。配列部分反射構造１８ａと配列部分反射構造１８ｂとは、フォトニック結晶配列部分１３を層法線方向の両側から挟んでいる。導波部反射構造１７ａの屈折率は配列部分反射構造１８ａの屈折率より小さい。光反射層１１ｂのX1-X2方向に沿った屈折率分布も光反射層１１ａと同じである。導波部反射構造１７ａ及び導波部反射構造１７ｂは、光伝搬層１２において光の電磁界強度が集中している部分をカバーするように設けられている。 （もっと読む）

【課題】 マッハツェンダー型光導波路を有する光導波路型センサであって、単純な構造で操作性に優れた光導波路型センサを提供する。
【解決手段】 光が入力される入力側光導波路と、前記入力側光導波路より分岐する２つの干渉系光導波路と、前記２つの干渉系光導波路が合流される出力側光導波路と、前記前記干渉系光導波路に設けられた、検出対象物を検出する検出部と、前記出力側光導波路より出力される光量を検出する光量検出手段と、前記検出部に電界を発生させる電界発生手段と、前記光量検出手段で検出される光量に応じて前記電界発生手段を制御して当該電界を変化させる制御手段と、を有することを特徴とする光導波路型センサ。 （もっと読む）

【課題】光ＦＳＫと光ＷＤＭとを組み合わせた光波長多重ＦＳＫ変調システム、及びそのようなシステムを用いて光波長多重信号と光ＦＳＫ変調信号とを得る方法を提供すること。
【解決手段】光波長多重信号取得手段(2)と、光周波数シフトキーイング変調手段(3)と、光波長多重信号復調手段(4) と、前記光周波数シフトキーイング変調手段が出力する光周波数シフトキーイング信号を上側波帯信号と下側波帯信号とに分離する光周波数シフトキーイング信号分離手段(4)とを具備し、光波長多重信号を周波数変調を施して光周波数シフトキーイング信号を得て、前記光波長多重信号復調手段が前記光周波数シフトキーイング信号を光波長多重信号に復調し、光周波数シフトキーイング信号分離手段が、前記光周波数シフトキーイング信号を上側波帯信号と下側波帯信号とに分離することにより光波長多重信号および光ＦＳＫ変調信号を得る。 （もっと読む）

【課題】2つの光分岐結合器と、それらを接続する2本のアーム光導波路と、アーム光導波路に設けられた位相調整部とからなるマッハツェンダ干渉計を縦列接続して構成された光スイッチにおいて、設計動作波長から波長がずれるに従って、挿入損失特性が劣化し広帯域に渡って低挿入損失特性を確保できなかった。更に光分岐結合器の作製誤差が発生した場合に広帯域に渡って消光比特性・挿入損失特性が大きく劣化し、充分な高消光比及び挿入損失の特性が得られなかった。
【解決手段】 前記複数のマッハツェンダー干渉計を構成する光分岐結合器が少なくとも２種類以上の光分岐結合器で構成されている。これにより、一方の光分岐結合器に作製誤差による透過特性にズレが生じたとしても、他方の光分岐結合器は種類の異なるもので構成されているために同様の透過特性のズレが生じにくく、前記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，外部変調方式によっても位相が連続な光ＦＳＫ変調信号を得ることができる光変調方法，光周波数占有帯域を節約できる外部変調方式による光ＦＳＫ変調方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光周波数偏移変調器(2)と；前記光周波数偏移変調器の電極(3)に，正弦波クロック信号(4,5)を印加するとともに，前記正弦波クロック信号の位相と次の式（Ｉ）で表される関係を満たす位相差（Δφ）を有するベースバンド信号(6)を，前記光周波数偏移変調器の電極(7)に印加するための電源系(8)と；を具備する位相連続光周波数偏移変調器(1)。Δφ＝π／４＋ｎπ（ｎは，整数を示す。） ・・・（Ｉ）
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偏光光源デバイスを操作および目視する光源デバイス、システム、および、方法に関する。光源デバイスは、支持基板と、複数の発光する非対称発光共振器およびその非対称発光共振器の列と、複数の光導波管２５の１つに関して電子カプリング領域に連結した複数の光導波管２５と、曲げ機構と、電子カプリング領域内に位置決めされると非対称発光共振器の各々を選択的に活性化するために複数の光導波管２５に沿って光を伝達するための複数の光導波管２５の各々に連結された光源５とを含む。
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【課題】
電極の形状を精度良く形成でき、しかも、複雑な電極形状に対しても、製造工程を複雑化させること無く、効率よく電極を形成することが可能な、光変調器の製造方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された基板１と、該基板の表面又は裏面に形成された光導波路２と、該基板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極１１とを含む光変調器の製造方法において、変調電極形状に対応する凹部を有する型枠１０に、電極材料１１を充填固化し、該型枠を導波路を形成した基板表面に接合して、基板上に変調電極を形成することを特徴とする。 （もっと読む）