【課題】 フォトニック結晶配列で構成された光導波路に光を高効率に閉じ込め、光導波路を伝搬する光を制御する。
【解決手段】 第１電極１３、第２電極１４、第３電極１５、第４電極１６は、積層方向において禁止帯領域１００にのみ重なり光導波路１０１には重ならないように、光導波路１０１に沿って形成されている。第１電極１３と第２電極１４との間隔及び第３電極１５と第４電極１６との間隔は、光導波路１０１の幅に等しい。第１電極１３と第３電極１５とは積層方向において対向するように同形状に形成され、第２電極１４と第４電極１６とは積層方向において対向するように同形状に形成されている。第１電極１３と第３電極１５との間に発生する電界と、第２電極１４と第４電極１６との間に発生する電界とは、光導波路１０１部分において同方向となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は，質の高い光FSK信号を得ることができる光FSK変調器を提供することを第一の目的とする。本発明は，過渡信号を積極的に利用した，UWB信号の発生装置を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】
上記の課題は，強度変調器(2)と光FSK変調器(11)とを具備する装置により解決される。光FSK信号に強度変調を加え，USB信号とLSB信号との過渡期の出力強度を小さくすることにより，過渡信号の強度を抑圧することにより，品質の高い光FSK信号を得ることができる。また，USB信号とLSB信号とを抑圧することにより過渡信号を利用してUWB信号を得ることができる。
（もっと読む）

【課題】
ＬＮ基板の下方に所定厚さの低誘電率接着層を備え、電気信号の等価屈折率を下げるとともにＬＮ基板の破損を抑える機械的強度を有する光変調器を提供する。
【解決手段】
基板と、光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成された中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、前記基板の他方の面側で前記基板に接着して形成され、前記基板の比誘電率より低い材料から成る低誘電率接着層とを具備し、前記光導波路が入力光導波路と、相互作用光導波路と、出力光導波路からなる光変調器において、前記相互作用光導波路の近傍を伝搬する電気信号の電気力線のうち、空気中以外に存在する電気力線が前記基板と前記低誘電率接着層を通過することにより該電気信号の等価屈折率が下がり、前記光導波路を伝搬する前記光の前記等価屈折率に近づくように前記低誘電率接着層の厚みを設定するとともに、前記低誘電率接着層が前記基板の破損を抑える。 （もっと読む）

【課題】 断熱溝構造を有する光導波路と薄膜ヒータによって構成され、熱光学効果を利用した光の位相シフタにおいてより低い消費電力およびより高密度な回路を提供するための構成を最適化することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に配置されるクラッド層２およびコア層３によって形成される埋め込み型光導波路３２，３３と、その上面に形成される薄膜ヒータ３５，３６及び光導波路３２，３３の側面に断熱溝３７を形成して構成される導波路型熱光学位相シフタにおいて、前記断熱溝３７の光導波方向の長さが前記薄膜ヒータ３５，３６の長さよりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高温度環境状態においても、動作条件に制限を加えることなく、長期に渡り安定に動作する光変調素子モジュールを提供すること。
【解決手段】
光変調素子１２と、該光変調素子を内蔵するケース１１と、該光変調素子に接続されると共に該ケース外部に導出される入出力ファイバ１３，１４と、該光変調素子に印加する変調信号及びバイアス調整用電圧を導入するための端子とを有し、該ケースを気密封止した光変調素子モジュールにおいて、該ケース１１は、線膨張係数が光変調素子１２とほぼ等しい材料を用い、該光変調素子と該ケースとの固定には、熱可塑性かつ高弾性の接着剤１９を利用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光導波路コア、及び光導波路コアに光学的に結合されたクラッディングを備えた導波路デバイスを提供する。クラッディングは、光学的機能領域を含み、この光学的機能領域は、該領域に印加される制御信号に応答して変化するように構成された屈折率を有する。光学的機能領域の屈折率は、光導波路コアの屈折率よりも小さい。本発明の一実施形態によれば、光学的機能領域は、カー効果媒体である。
（もっと読む）

【課題】 分極反転領域とリッジ導波路の双方を単一の光変調器において実現する際に、電極の断線を防止するとともに、特性インピーダンスの不連続性を改善する。
【解決手段】 第１電極４ａが、分極反転領域において第１および第２の光導波路のうちの一方の上部に形成された反転領域電極部と、他の領域において上記の第１および第２の光導波路のうちの他方の上部に形成された非反転領域電極部と、上記の分極反転領域と他の領域との境界において上記の反転領域電極部および非反転領域電極部を連結する連結部４ａ−３と、をそなえて構成され、かつ、第１電極４ａの連結部４ａ−３を支持する支持機構５Ａが、溝５にそなえるように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型で低損失な導波路型光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明によると、基板（１）上に光導波路（２）が形成されていて、前記光導波路（２）が機能光導波路（２ｃ−１、２ｃ−２）を具備し、前記基板の長手方向側の端である基板端面（１ａ、１ｂ）に光導波路の光入力用端面（２ｆ）及び光出力用端面 （２ｇ）の少なくとも一方が設けられている導波路型光デバイスにおいて、前記光入力用端面（２ｆ）と前記機能光導波路（２ｃ−１、２ｃ−２）を結ぶ入力光導波路（２ａ）または前記光出力用端面（２ｇ）と前記機能光導波路（２ｃ−１、２ｃ−２）を結ぶ出力光導波路（２ｅ）の少なくとも一方が、前記光入力用端面（２ｆ）及び光出力用端面（２ｇ）の少なくとも一方側において、前記機能光導波路（２ｃ−１、２ｃ−２）と零でない角度をなし、かつそれぞれの側の前記基板端面（１ａ、１ｂ）に対してなす角度を９０度とは異ならしめて形成されていることを特徴とする導波路型光デバイスが提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，光情報通信などに用いることができ，光ファイバの分散などによる光ＦＳＫ変調信号の遅延を補償し，ＦＳＫ信号を適切に復調できるＦＳＫ変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記の課題は，光信号をその波長に応じて分波する手段（２）と，前記分波器により分波される２つの光の遅延時間を調整する手段（３）と，前記分波器により分波された一方の光信号を検出するため手段（４）と，前記分波器により分波された残りの光信号を検出するための手段（５）と，前記第１の光検出器の出力信号と，前記第２の光検出器の出力信号との差分を計算する手段（６）とを具備する周波数シフトキーイング（ＦＳＫ）復調器（１）により解決される。
（もっと読む）

【課題】環境温度が変化しても消光比が劣化しないマッハツェンダ型光変調器を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板１に形成された二つの干渉腕光導波路２３、２３’をもつマッハツェンダ型光導波路２と、該二つの干渉腕光導波路２３、２３’の温度を一定にする温度制御体１４、１４、１６、１６’と、を有することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器。
環境温度が変化しても二つの干渉腕光導波路の温度又は温度変動が温度制御体で一定にされるので、動作点が変動し消光比が劣化することがない。 （もっと読む）

【課題】 ランタンで修飾されたチタン酸ジルコニウム鉛（ＰＬＺＴ）の層を形成する方法等を提供する。
【解決手段】 ＰＬＺＴの層を形成する方法は、（ａ）材料の層を形成するために、鉛の原子、ランタンの原子、ジルコニウムの原子、チタンの原子、及び一つ以上のジオールの化合物を含む溶液で基体を被覆するステップ、（ｂ）第一の時間周期の間に室温より上の且つ４００℃以下の温度まで該材料の層を加熱するステップ、及び（ｃ）その後、続いて第二の時間周期の間に酸素が豊富な雰囲気で５００℃以上の温度まで該材料の層を加熱するステップを含む。 （もっと読む）

導波路に沿って伝搬する光信号を減衰させ、その位相を遅延させ、それ以外の制御を行う方法を提供する。該方法によれば、可変光減衰構造は、導波路コア（１０）、クラッディング（２０）、光電ポリマ（３０）、及び１組の制御電極（４０）を備えている。コア（１０）、クラッディング（２０）、及び光電ポリマ（３０）は、ポリマ（３０）の屈折率増大により、導波路コア（１０）に沿って伝搬する光信号の大部分が、導波路コア（１０）の上方にある光電ポリマ（３０）の相対的に屈折率が高い領域（３２）に結合し、結合した信号の導波路コア（１０）への復帰を妨げるように構成されている。本発明の別の実施形態は、結合した光信号内に位相遅延を導入し、結合した信号の導波路コア（１０）への戻りを可能にする。更に別の実施形態では、光信号の制御を可能にするリッジ導波路構造を使用する。
（もっと読む）

本発明は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）型の基板内にリッジとして形成された導波路と活性領域とを有する光信号を制御するように設計されたオプトエレクトロニクス部品に関し、該活性領域はＮ＋型にドープまたはＰ＋型にドープ（δドープ）された複数の非常に薄いシリコン層から成り、Ｎ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域との間に配置されており、これらＮ＋ドープ領域とＰ＋ドープ領域はＰＩＮダイオードを形成し、該活性領域の両側にある２つの電極に接続され、該部品の分極を可能にしている。本発明はオプトエレクトロニクス部品の作製方法にも関する。本発明は更に、オプトエレクトロニクススイッチの作製のためのオプトエレクトロニクス部品の使用およびオプトエレクトロニクス変調器の作成のためのオプトエレクトロニクス部品の使用にも関する。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】ＳＯＩ−ベースの光学構造内の光の操作を二次元で能動的に制御する構成が、シリコン−絶縁体−シリコン容量性（ＳＩＳＣＡＰ）構造のＳＯＩ層とポリシリコン層内に形成されたドープ領域を使用する。この領域は、逆にドープされて、能動デバイスを形成しており、ここで、逆にドープされた領域間の電圧電位の印加が、影響を受ける領域中の屈折率を変化させ、当該領域内を伝達する光学信号の特性を変えるように機能する。ドープ領域は、有利なことに、あらゆる所望の「形状」（例えば、レンズ、プリズム、ブラッググレーティング、他）を示すように形成されており、伝達ビームをこれらのデバイスの公知の特性の機能として操作する。本発明の一またはそれ以上の能動デバイスが、ＳＩＳＣＡＰ内に形成されたＳＯＩ−ベースの光学エレメント（例えば、マッハ−ツェンダ干渉計、リング共鳴器、光学スイッチ、他）内に含まれており、能動的な、チューニング可能なエレメントを形成する。 （もっと読む）

進行波電極構造に沿って伝搬する電気信号の制御の下で、発色基を含むポリマ・クラッディング領域によって囲まれた導波路コア内を伝搬する光の光信号変調のための光学デバイス（１０、４０）を提供する。マイクロ波電極構造は、一対の接地面電極（７２、７４）間に介在する制御信号電極（７５）を含む共面ストリップラインを備えている。マイクロ波接地面電極の各々は、正又は負ＤＣバイアス源（＋V_bias、−V_bias）に接続されており、ＤＣ遮断コンデンサ（７６）によって、マイクロ波信号入力（４４）に結合されている。信号入力及び出力から隔離された接地電極部（７２’、７４’）は、ポリマのガラス遷移温度付近の温度においてバイアス電圧を印加することにより、発色基を整合するために用いることができる。本発明は、ここに記載し特許請求するような、共面ストリップラインの提供も想定している。
（もっと読む）

光導波路（２０）の両側に位置決めされ、導波路（２０）の伝搬パターンを変更するように働く回折格子（３４、３６）を備えるＰＩＮ電気光学進行波変調器（１０）。変調器（１０）は、Ｎ型層（１４）、Ｐ型層（１８）、及び導波路（２０）として作用する真性層（１６）を備える。金属電極（２６）がＮ型層（１４）に電気的に接触し、金属電極（３０）がＰ型層（１８）に電気的に接触する。電極（２６、３０）は、ＲＦ伝送線路を画定する。光波（２２）が導波路（２０）に沿って伝搬し、格子（３４、３６）と相互作用し、格子（３４、３６）は、光波（２２）の速度を伝送線路のＲＦ波の速度に合わせるように光波（２２）を遅延させる。一実施形態では、格子（３４、３６）は、導波路（２０）内の垂直孔（３８）によって形成される２次元格子である。
（もっと読む）

本発明は、デバイス層の少なくとも一部に形成された第一光伝送媒体、デバイス層の少なくとも一部に形成された第二光伝送媒体、およびデバイス層の少なくとも一部に形成されたスロットを包含し、該スロットが少なくとも一つの湾曲した縁部を有し、該スロットが該第一および第二伝送媒体に隣接して配置される、導波管配置用の電気−光ギャップ−セルを提供する。
（もっと読む）

【課題】消費電力を一定にでき、温度変動を防止して、安定した特性を有する光スイッチ及び光波長ルータを提供する。
【解決手段】石英系光導波路１により構成された光スイッチであり、その構成として、入力分岐部２Ａは、１本の入力導波路５から入力された光波を４本の出力導波路の全てに等強度に分岐するものであり、出力合分岐部３Ａは、４本の入力導波路のうち任意の１本に入力された光波を４本の出力導波路２９〜３２の全てに等強度に分岐するものであり、入力分岐部２Ａと出力合分岐部３Ａに挟まれた位相シフタ部４Ａは、入力分岐部２Ａの４本の出力導波路と出力合分岐部３Ａの４本の入力導波路を１対１に接続する位相シフタ導波路１１〜１４のそれぞれに位相変調を行う薄膜ヒータ１５〜１８を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】接続部分における電気反射を抑制することにより、伝搬する電気信号波形の劣化を抑制できる高周波電気伝送線路の接続構造を提供すること。
【解決手段】同一基板上に構成され、前記基板上のベンゾシクロブテン膜３上に形成されたマイクロストリップ１を信号線とする第１の高周波電気伝送線路と、前記基板上のインジウムリン系誘電体膜４上に形成され、マイクロストリップ１の線幅よりも狭い線幅を有する進行波型電極２を信号線とする第２の高周波電気伝送線路とを電気的に接続する高周波電気伝送線路の接続構造において、マイクロストリップ１を進行波型電極２に電気的に接続する接続線の線幅がインジウムリン系誘電体膜４上で変化していることを特徴とする高周波電気伝送線路の接続構造を構成する。 （もっと読む）