【課題】クラッド層が薄くても電極等による光の吸収を回避でき、より一層の小型化が可能な光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板３１の上に、下部クラッド層３２、コア３３及び上部クラッド層３５が形成されており、光はコア３３とクラッド層３２，３５との屈折率の差によりコア３３内に閉じ込められてコア３３の長手方向に伝搬する。上部クラッド層３５には、コア３３の上部及び側部を囲むように空洞３６が形成されている。また、下部クラッド層３２の上にはコア３３の下部に接続した接続層３４が形成されており、上部クラッド層３５には接続層３４に到達するコンタクトホールが形成されている。コア３３の上方の上部クラッド層３５の上には電極２７ｂが形成されており、この電極２７ｂはコンタクトホールを介して接続層３４に接続されている。 （もっと読む）

【課題】位相雑音の検出に光強度の変化を用いず、レーザ光の周波数帯で動作する可変移相器を不要とする位相雑音低減装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１の出力を２分岐する光分岐器２の一方の出力を遅延する遅延線３と、ＲＦ帯で発振するＲＦ帯発振器１０と、光分岐器２の他方の出力をＲＦ帯発振器１０の出力で振幅変調する光強度変調器４と、遅延線３の出力と振幅変調信号の上側波帯信号とを加算又は減算して出力する光結合器６と、その出力を入力するバランス型フォトダイオード７と、ＲＦ帯発振器１０の発振周波数帯で入力信号の位相を変更する可変移相器１１と、バランス型フォトダイオード７の出力と、ＲＦ帯発振器１０の出力を可変移相器１１で位相変更したものとを混合するミキサ８と、その出力の低周波成分を選択するローパスフィルタ９とを備え、半導体レーザ１の光発振信号の位相を制御する。 （もっと読む）

シリコン型光変調素子が、変調効率、及び「チャープ（ｃｈｉｒｐ）」（すなわち、経時変化する光学位相）の制御が改善されたのを呈示し、選択した変調デバイスの第１の領域（例えば、共通ノードとして規定される多結晶シリコン領域）に別個にバイアスをかけることによって提供される。共通ノードはシリコン型光変調素子の電圧振幅をその蓄積領域に遷移することによってバイアスをかけられ、印加電圧（ＯＭＡが大きくなる）及び消光比の改善の関数として位相において変化が大きくなることを呈示する。蓄積領域における応答は更に相対的に線形性であり、チャープは更に容易に制御できる。電気変調した入力信号（及び逆位の信号）は別個の入力として、変調素子の各アームの第２の領域（例えば、ＳＯＩ領域）に印加される。 （もっと読む）

【課題】光変調器のバイアス制御において、変調曲線の最大値又は最小値のいずれにバイアスを制御しているのかを容易に判別可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該光導波路は、少なくとも一つのマッハツェンダー型導波路２１〜２３を備え、該変調電極は、該マッハツェンダー型導波路を伝搬する光波の変調に際して、変調動作点を制御するためのバイアス制御用電極４１〜４３を備え、該マッハツェンダー型導波路から出力される出力光Ｂ，Ｃ又は放射モード光のいずれかを検知する光検知手段６０と、該光検知手段の出力電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換手段と、バイアス制御手段とを有し、該Ｉ／Ｖ変換手段は電流と電圧との変換関係が指数関数的に対応している。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子として使用する非線形光学結晶の種類によっては、基本波や発生した高調波自体を吸収し、素子そのものの温度が上昇することにより、高調波出力に応じて位相整合温度（波長）が変化し、効率のよい波長変換が不可能になっていた。
【解決手段】本願の波長変換レーザ光源では、波長変換素子は光吸収特性を有し、基本波レーザ光源から出力される基本波レーザ光の光量に応じて前記波長変換素子の保持温度をシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でマイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することが可能な導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】 基板２と、マッハツェンダー型光導波路３と、スロット線路で構成された電界印加部４ａ、５ａ、位相調整部４ｂ、５ｂ、給電部６とからなる変調電極とを備え、４段の電界印加部４ａ、５ａは周期的に互いに離間して配置され、それらの間は位相調整部４ｂ、５ｂによってそれぞれ接続されている。変調電極全体が変調信号の周波数において共振器となるように構成され、１段目と３段目の電界印加部で同相の電界となり、２段目と４段目の電界印加部で逆相の反転電界となるように、位相調整部のスロット線路長が調整され、電界印加部４ａ、５ａの配置の周期Ｐは、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの等価屈折率をｎ、変調信号の周波数をｆ、真空中での光速をｃとすると、Ｐ＝ｃ／２ｎｆとなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】誘電率異方性基板を用いた光制御デバイスにおいても、複数の信号電極間における光導波路を伝播する光波への変調タイミングや変調強度を正確に合致させることが可能な光制御デバイスを提供する。
【解決手段】誘電率異方性基板と基板に形成された光導波路１０〜１２と光導波路を伝播する光波と変調電極を伝播する電気信号とが相互作用する光制御デバイスにおいて、変調電極は複数の信号電極２１，２３とその周囲に配置される接地電極から構成される。複数の信号電極の各々は基板の誘電率の異なる方向（Ｙ軸，Ｚ軸）に配置される電極部を有する。複数の信号電極の各々を含む各変調電極におけるインピーダンスを一致させ、信号電極の信号入力端部２０，２２から光導波路を伝播する光波と電気信号との相互作用（作用部Ｓ）が開始する点までの電極の物理長と実効的な電極長の各々の総和を一致させる。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダー型導波路を入れ子構造に組み合わせた光変調器における合波部に合流する出力信号強度を適正に調整し、信号出力を容易に安定化する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板３と、該基板に形成され、複数のマッハツェンダー型導波路１１〜１４を並列に配置し、該マッハツェンダー型導波路の入力導波路に接続される導波路を分岐して構成する分岐部と、該マッハツェンダー型導波路からの出力導波路が合流する合波部とを有する光導波路と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を備えた光変調器において、該分岐部、又は該分岐部と該分岐部から分岐した導波路が接続される該マッハツェンダー型導波路の入力導波路との間、あるいは、該合波部、又は該マッハツェンダー型導波路の出力導波路と該合波部３６との間の少なくとも一つに、Ｙ分岐スイッチ５１，５２を設け、該Ｙ分岐スイッチの分岐比を調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】光変調部において厚さ１０μｍ以下の薄板を採用して速度整合を図った光変調器において、光変調器と外側の光ファイバとの間の結合損失および光変調器内部での結合損失を抑制することである。
【解決手段】光変調器１０Ａは、支持基板１、電気光学材料からなる変調用基板３、この変調用基板３の一方の主面側３ａに設けられている光導波路４、変調用基板３の他方の主面３ｂ側に設けられており、光導波路を伝搬する光を変調するための電圧を印加する電極、および変調用基板３の一方の主面３ａを支持基板１へと接着する接着層２を備える。変調用基板３が、少なくとも光導波路４を伝搬する光の変調を行うための厚さ１０μｍ以下の変調部７と、変調部７よりも厚い光ファイバ結合部６とを備える。 （もっと読む）

本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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【課題】マイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することができる光変調装置を提供する。
【解決手段】変調用電極５，６は、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの等価屈折率をｎ、変調用電極５，６に印加される変調信号の周波数をｆ₀、真空中での光速をｃとすると、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの延伸方向における変調用電極５，６の中心間距離Ｐ＝ｃ／２ｎｆ（但し、ｆ＝０．５ｆ₀〜１．７ｆ₀）となるように配置される。共振回路８Ａ，８Ｂは、変調用電極５による印加電界の方向と、変調用電極６による印加電界の方向とが反対方向になるように、変調用電極５，６に逆相の変調信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型レーザのモードホップノイズを小さくして、精密な温度制御を必要としない、低価格且つ低ノイズの光送信装置を提供すること。
【解決手段】光増幅ユニットと、回折格子が設けられた第２のコア層を含み、前記光増幅ユニットに光学的に結合した光導波路を備えた光導波路ユニットとを有するレーザ光生成装置と、前記光増幅ユニットに電気信号を印加して、前記電流を前記半導体層に注入する電気信号源を具備し、前記レーザ光生成装置は、前記電気信号に従って、前記光反射面と前記回折格子が形成する光共振器の複数の共振器モードでレーザ発振する第１の状態と、前記第１の状態より発光強度が小さい第２の状態の間を往復して光信号を発生し、更に、前記共振器モードの間隔に相当する周波数が、前記電気信号のビットレートに対応する周波数より高いこと。 （もっと読む）

【課題】 プロセス誤差による特性変動の少ない同方向性光結合器型の波長可変フィルタ、および波長可変レーザを提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体層で構成された半導体基板上に、半導体基板の第１辺から対向する第２辺に向って並行して伸びる第１の光導波路と第２の光導波路とを備え、第１光導波路は周期的な凹凸のある平面レイアウトを備えた第１コア層と前記第１コア層を上下に挟み込む一対の電極を備え、第２光導波路は第１コア層よりも低屈折率の第２コア層を備え、第１光導波路を構成する第１コア層の下に第２コア層と同じ組成、同じ膜厚の層を備えさせる。 （もっと読む）

【課題】光スイッチのサイズを、光の回折限界を超えて小型化できるようにする。
【解決手段】プラズモンが生成可能な材料から構成されて光の伝播方向に延在する第１伝播部１２１、および誘電体から構成されて第１伝播部１２１と接して光の伝播方向に延在する第２伝播部１２２を有する伝播制御部１０２を備える。第１伝播部１２１は、例えば、ペロブスカイト構造のＢｉＴｉＯ₃などのモット転移する材料から構成され、第２伝播部１２２は、ＳｉＯ₂から構成されている。また、第１伝播部１２１に接して設けられて第１伝播部１２１に電圧を印加する電極１２３，電極１２４を備える。これら電極１２３，１２４に電圧を印加することで、第１伝播部１２１をモット転移させることができる。 （もっと読む）

【課題】０チャープ動作及び正又は負チャープ動作を行なう光モジュールを、同じ構造のＭＺ型変調素子を用いて実現する。
【解決手段】光モジュールを、マッハツェンダ干渉計を構成する第１光カプラ１６、第２光カプラ１７、第１光導波路１２及び第２光導波路１３と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３のそれぞれに設けられた電極１４，１５と、第１光導波路１２及び第２光導波路１３の少なくとも一方に設けられ、電極１４，１５よりも短い短電極１８，１９とを備えるマッハツェンダ型変調素子７と、第１及び第２の高周波コネクタ１，２とを備えるものとし、一方の第２光導波路１３に設けられた短電極１９を、一方の第２高周波コネクタ２に接続し、他方の第１光導波路１２に設けられた電極１４を、他方の第１高周波コネクタ１に接続する。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、かつバイアス電圧が小さく、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１に形成された光導波路と、高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、バイアス電圧用の中心導体１５ａ及び接地導体１５ｂからなるバイアス電極とを有し、光導波路には進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、光導波路は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路上にチャイルドマッハツェンダ光導波路をそれぞれ有するネスト型光導波路でなる光変調器において、バイアス電極は、ペアレントマッハツェンダ光導波路の分岐光導波路を構成するＹ分岐アームに沿ってバイアス電圧を印加するよう形成される。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層を利用することなく、瞬間的なＤＣドリフトによって発生するサージ現象を低減し、薄板化された基板の破損を防止することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路４と、該光導波路に電界を印加するための制御電極２，３とを有する光導波路素子において、該基板の厚さが３０μｍ以下であり、該制御電極は信号電極２と接地電極３とを有し、少なくとも該信号電極における該基板と接触する表面部には、低誘電率層５，６が形成されていることを特徴とする。
好ましくは、該低誘電率層の厚みは、１０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする。
さらに好ましくは、該低誘電率層は、アニール処理によって形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極の曲がった部分における信号損失を低減する。
【解決手段】信号電極３ｂは、曲がり部４ａを有している。接地電極３ｃは、信号電極３ｂを挟むように形成されている。また、信号電極３ｂと接地電極３ｃは、曲がり部４ａにおける信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ１が、曲がり部４ａの両端における信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ２より狭くなるように形成されている。これにより、曲がり部４ａにおける電界分布が抑制され、信号電極３ｂの曲がり部４ａでの信号損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シングル駆動方式を適用したときに従来よりも低い電圧の駆動信号で位相変調を行うことの可能なマッハツェンダ型光変調器を提案する。
【解決手段】本提案に係るマッハツェンダ型光変調器は、電気光学結晶基板１００内に形成される光導波路１０１について、入力部１０２と、該入力部から分岐して伸延する複数の分岐変調部１０３，１０４と、複数の入力ポート及び複数の出力ポートを有し、その入力ポートが分岐変調部１０３，１０４につながっている干渉光カプラ部１０５と、該干渉光カプラ部の出力ポートにつながった複数の入力ポートを有すると共に複数の出力ポートを有する出力光カプラ部１０６と、を備えた光導波路とする。 （もっと読む）