【課題】発生するテラヘルツ波を比較的高いスピードで変調することが可能な電気光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子などを提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子の一例は、光を伝播させる電気光学結晶４を含む導波路と、導波路を伝播する光から発生するテラヘルツ波を空間に取り出す光結合部材７と、少なくとも２つの電極６a、６bを備える。電極６a、６bは、導波路に電界を印加することにより、電気光学結晶４の１次電気光学効果により導波路を伝播する光の伝播状態に変化を与える機能を有する。導波路の電気光学結晶４の結晶軸は、２次非線形過程により発生するテラヘルツ波と導波路を伝播する光との位相整合が取れる様に設定される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたシリコンベース電気光学装置における、高効率な光接続を実現し、高速動作と光伝搬損失の低減とを両立させることができる電極接続構造を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。金属電極が接続された領域においてスラブ部分の厚さをその周囲のスラブ部分の厚さよりも大きくする。金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板を使用する変調器を提供する。
【解決手段】所定の幅及び所定の深さにエッチングされたトレンチを備えるバルクシリコン基板２８１と、バルクシリコン基板２８１のトレンチに形成される下部クラッド層２８０と、下部クラッド層２８０上に形成される複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０と、下部クラッド層２８０上に形成され、導波路２３０の屈折率を変調して、導波路２３０を通過する光信号の位相を変調する位相変調部２７０と、複数個の導波路２１０，２３０，２４０，２６０及び位相変調部２７０上に形成される上部クラッド層と、を備える変調器２００である。 （もっと読む）

【課題】小型化および集積化した強誘電体材料による光スイッチおよび光変調器
【解決手段】単結晶のベース基板と、ベース基板の表面に形成され、ペロブスカイト構造を有し、且つ、自発分極を有する菱面体晶の強誘電体薄膜とを備える基板構造体および基板構造体を製造する製造方法を提供する。強誘電体薄膜に形成された光導波路と、光導波路に対して、ベース基板の表面と平行な方向の電界を印加する電界印加部とを更に備えてよい。電界印加部は、光導波路に印加される電界の電界方向と、強誘電体薄膜における自発分極の方向とが平行となるように、電界を発生してよい。 （もっと読む）

【課題】マッハツェンダ部間のクロストークを抑制すること。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１０と、前記基板に設けられたメイン導波路１４と、前記基板に設けられ前記メイン導波路に結合された複数の第１導波路と、少なくとも前記第１導波路間と前記第１導波路上とに設けられ前記第１導波路内にＤＣ電界を発生させる第１ＤＣ電極２４と、を備える第１マッハツェンダ部５０と、前記第１導波路それぞれに対応し、前記基板に設けられ前記第１導波路のそれぞれに複数結合された第２導波路１６と、前記第２導波路内にＤＣ電界を発生させる第２ＤＣ電極２６と、を備える複数の第２マッハツェンダ部５２と、を具備し、前記複数の第２マッハツェンダ部のうち少なくとも１つは、前記第２ＤＣ電極が前記第２導波路間に設けられておらず少なくとも前記第２導波路上に設けられている光デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスを用いてフォトニック結晶構造を有する各種光デバイスを容易に形成することができるフォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。コア層２及び上部ＤＢＲ層３には膜厚方向に延びる複数の空孔９が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔９に挟まれて空孔９が存在しない線欠陥部１０を有し、線欠陥部１０が光導波路として機能する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣ導波路およびＬＮ導波路を備える光変調器において、ＬＮ導波路の高周波電気配線のためのＲＦコネクタをパッケージの自由な位置に配置可能とするとともに、高周波電気配線のクロストークを抑制すること。
【解決手段】光変調器１００は、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０と、ＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を囲むパッケージ１２０と、パッケージ１２０に設けられた高周波（ＲＦ）コネクタ１２１と、ＲＦコネクタ１２１とＰＬＣ−ＬＮ導波路１１０を構成するＬＮ導波路１１１の高周波電極１１１Ａとの間の高周波電気配線１３０とを備える。光変調器１００では、高周波電気配線１３０としてフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）を用いる。ＦＰＣは、例えばポリイミドや液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の基板上に銅配線が形成されたものだが、これらの材料は比誘電率がセラミックよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
スペクトル効率を向上させ得るマルチレベル変調器を提供する。
【解決手段】
光通信システムとともに使用される装置は、自由空間光学部品を含まないモノリシックデバイスを有し、位相変調器と偏光変調器とを含み得る。位相変調器は、光ビームと２つのデジタルデータストリームとを受信するように構成され、該光ビームの位相を、該２つのデジタルデータストリームを表す少なくとも４つの位相状態に変調するよう動作し得る。偏光変調器は、２つの更なるデジタルデータストリームと、位相変調器からの変調された光ビームとを受信するように構成され、該光ビームの偏光を、該２つの更なるデジタルデータストリームを表す少なくとも４つの偏光状態に変調するよう動作し得る。 （もっと読む）

【課題】 小型で、正確にプッシュプル駆動し、低損失な半導体マッハツェンダ型光変調器を提供する。
【解決手段】
分波器１１ａと、合波器１１ｂと、半導体光導波路１３および１４と、信号電極１５と、正バイアス電極１７と、負バイアス電極１８とを有し、
分波器１１ａと合波器１１ｂとは、２本の半導体光導波路１３および１４により連結され、
信号電極１５は、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に接続され、かつ、２本の半導体光導波路１３および１４の上部に共通の高周波信号を入力可能であり、
正バイアス電極１７は、半導体光導波路１３の下部に接続され、負バイアス電極１８は、他方の半導体光導波路１４の下部に接続されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ型光変調器。 （もっと読む）

【課題】光デバイスや電子デバイスとそれらを駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波コネクタの接合方法、及びこれにより製造した光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板上に形成された電極と、前記電極の上方に所定距離離れて配置されたコネクタの芯線とを半田ペレットを用いて接合する、コネクタの芯線の接合方法において、前記半田ペレットは、前記所定距離よりも厚みが厚く形成されるとともに、前記コネクタの芯線に接して又は近接して配置されており、加熱して前記半田ペレットを溶融させることにより、毛細管現象によって前記芯線と前記電極との間に当該溶融した半田が入り込んで前記芯線と前記電極とを接合する。 （もっと読む）

【課題】光デバイスや電子デバイスとそれらを駆動するための電気ドライバとの接続に適用する高周波コネクタの接合方法、及びこれにより製造した光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体または半導体からなる基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電極の上方に所定距離離れて配置されたコネクタの芯線とを半田ペレットを用いて接合する、コネクタの芯線の接合方法において、前記半田ペレットは、前記所定距離よりも厚みが薄く形成されるともに、その幅が前記電極の幅よりも広く形成されており、前記所定距離離れた前記電極と前記コネクタの芯線との間に前記半田ペレットを挿入した状態で加熱して、前記半田ペレットを溶融させることにより、当該溶融した半田は前記基板には接合せず、かつ表面張力によって前記電極の上で上方に盛り上がって前記芯線と前記電極とを接合する。 （もっと読む）

【課題】 光機能導波路に関し、高度な加工技術を要することなく、無害なニオブ酸リチウム基板を用いた光機能導波路を小型化且つ高機能化する。
【解決手段】 ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面上に前記ニオブ酸リチウム基板とは異なった材料で形成されたストライプ状の異種材料光導波路と、前記ニオブ酸リチウム基板の前記異種材料光導波路に対向する表面側に前記異種材料光導波路中を伝搬する光が漏れ出して形成された基板内光導波部分、或いは、前記異種材料光導波路に対向する表面側に形成したＴｉ若しくはプロトンを導入した基板内光導波路のいずれか一方と、前記異種材料光導波路と、前記基板内光導波部分或いは前記基板内光導波路のいずれか一方とに変調電圧を印加する第１の電極と第２の電極とで光機能導波路を構成する。 （もっと読む）

【課題】多段のマッハツエンダー型光導波路素子、さらには複数のマッハツエンダー型光導波路が並列に配置されてなる多重のマッハツエンダー型光導波路素子において、動作点シフトを抑制し、高い信頼性を実現する。
【解決手段】第１のマッハツエンダー型光導波路３に対する変調用電極を構成する第１の接地電極７、第１の信号電極５、及び第２の接地電極８を、第１のマッハツエンダー型光導波路３の２本の分岐光導波路３−１及び３−２の中心II−IIに対して左右対称となるように形成する。また、第２のマッハツエンダー型光導波路４に対する変調用電極を構成する第２の接地電極８、第２の信号電極６、及び第２の接地電極９を、第２のマッハツエンダー型光導波路４の２本の分岐光導波路４−１及び４−２の中心III−IIIに対して左右対称となるように形成する。さらに、上記変調用電極が、第１及び第２のマッハツエンダー型光導波路３及び４の中心Ｉ−Ｉに対して左右対称となるようにする。 （もっと読む）

【課題】光変調器における特性を従来技術に照らし改善させる。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、該基板内に形成された、一対の導波路を有するマッハツェンダ型光導波路と、光変調用の信号に対応する電気信号を供給して、該マッハツェンダ型光導波路に電界を印加する信号電極と、該信号電極に間隔を置いて形成される接地電極と、を有する光変調器であり、該接地電極は、該信号電極で印加される電界と前記一対の導波路を伝搬する光とが相互作用する相互作用部位において、光伝搬方向における中流域では幅が狭く、始端部および終端端部に向かって幅が徐々に拡がる。 （もっと読む）

【課題】電圧を印加することにより屈折率が可変な半導体コア領域と屈折率が可変ではないコア領域との接続部において、屈折率が可変な半導体コア領域から屈折率が可変ではないコア領域を経由した不要なリーク電流を低減することが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学素子ＷＧ１のコア１は、第１導電型の第１半導体コア領域３２と、第１半導体コア領域３２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第２導電型の第２半導体コア領域３３と、第１半導体コア領域３２と光の導波方向において隣接する第２導電型又は無極性の第３半導体コア領域２２と、第２半導体コア領域３３と光の導波方向において隣接し、第３半導体コア領域２２とギャップ部４０を挟んで対向配置された第１導電型又は無極性の第４半導体コア領域２３と、を部分領域として含み、第１半導体コア領域３２と第２半導体コア領域３３とに電極が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧を一層低減でき、進行波型電極を比較的自由に設計でき、従って高速動作が可能となる方向性結合器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１１と、該基板上に形成された少なくとも１対の光導波路１２と、該光導波路の実効屈折率を制御する制御電極（１３，１４）とを有する方向性結合器において、該制御電極の電界が作用する該光導波路の作用部ｓでは、前記１対の光導波路の中心線Ｃを境界として、該中心線の左右では、該基板の分極方向が異なり、かつ、該光導波路に沿った長手方向には作用部を複数の領域に分割するように該中心線を横切る1本もしくは複数の横断線Ｌを境界として、該横断線の前後では、該基板の分極方向が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化可能であって、変調効率を高めた光変調装置を得る。
【解決手段】基板上に間隔を隔てて形成された第１の光導波路及び第２の光導波路と、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路における屈折率を変化させるため、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に沿って設けられた電極と、前記電極に接続されており、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路に電圧を印加するための電源と、を有し、前記第１の光導波路または前記第２の光導波路のうち、どちらか一方または双方の光導波路は、波長λの光を反射する構造の回折格子領域と、０からλ／２の範囲で位相シフトさせる位相シフト領域により形成されていることを特徴とする光変調装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子の変調電極が有するインピーダンスと、光導波路素子の外部から変調信号を入力する伝送線路のインピーダンスとが異なる場合でも、変調信号の反射を抑制し、かつ、変調信号の減衰を抑制すると共に、光導波路素子の変調電極に変調信号を入力する線路上に、コンデンサを含むフィルタ回路を配置した場合でも、数十ＧＨｚの広帯域に渡り光応答周波数特性を平坦化可能な光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】中継基板７上に形成され、外部信号線が接続されるコネクタ８と変調電極３とを接続する中継線路について、中継線路は信号電極を接地電極で挟むコプレーナ型線路であり、中継線路のインピーダンスが段階的又は連続的に変化し、光導波路素子モジュール内での変調信号の反射を抑制するよう構成される。また、中継線路の途中にはコンデンサを含むフィルタ回路が配置されている。 （もっと読む）

【解決手段】 ウェハ貼り合わせ技術を用いる光変調器を提供する。ある実施形態に係る方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハにエッチングを実施して、ＳＯＩウェハの第１の表面にシリコン導波路構造の第１の部分を形成する段階と、結晶質シリコン層を含む第２のウェハであって、結晶質シリコンの第１の表面を持つ第２のウェハを用意する段階とを備える。当該方法はさらに、ウェハ貼り合わせ技術を用いて、薄い酸化物を介して、第２のウェハの第１の表面を、ＳＯＩウェハの第１の表面に、貼り合わせる段階を備える。尚、シリコン導波路構造の第２の部分は、結晶質シリコン層にエッチングで形成される。 （もっと読む）