光ファイバ（100A-100D）を用いて、光信号（300）をフィルタ処理する方法。光信号（300）をフィルタ処理する方法は、光信号（306）源に結合された光ファイバ（100A-100D）を選択するステップ（304）と、コア材料（105）を選定して、光ファイバ（100A-100D）内に導波管を提供するステップ（306）と、コア（102）の周囲に配置された第1の光クラッド層（104）内に、光格子（114-1）を設置するステップ（310）と、実質的にコア（102）内に誘導された、光ファイバ（100A-100D）内に光信号を伝播させるステップ（312）と、光格子（114-1）を用いて、前記光信号を有する選定波長の伝播経路を調整するステップ（314）と、選定波長を定めるステップ（316）であって、このため、コア（102）に対するエネルギー刺激を選択的に変化させることにより、伝播経路が調整され、これにより導波管が調整されるステップと、を有する。
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【課題】高速でアルファパラメータが小さく、かつ消光比が大きく、また駆動電圧とＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２３と、基板の一方の面側に形成され、光を変調するための高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用の中心導体２４ａ及び複数の接地導体２４ｂ、２４ｃからなる進行波電極２４とを有し、光導波路は前記進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調する幅の少なくとも一部が互いに異なる複数の相互作用光導波路２３ａ、２３ｂを有するマッハツェンダ光導波路であり、複数の相互作用光導波路は、その幅が変化する部位であるテーパ３１〜３６を各々具備し、複数の相互作用光導波路の各々のテーパの間における光の結合が充分小さくなるように、かつテーパでの光の放射損失が充分小さくなるように、テーパの長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】光受信部及びＦＭ復調部を大幅に設計変更することなく、多チャンネル信号の広帯域化及び一括伝送を行える光伝送装置を提供する。
【解決手段】光ＳＳＢ−ＳＣ変調部１３は、光源１１が出力する光信号ｆａを外部入力する電気信号ｆｃの振幅に応じて光ＳＳＢ−ＳＣ変調し、光強度変調信号を出力する。光位相変調部１４は、外部入力する周波数ｆ１〜ｆｎの第１〜第ｎの電気信号の振幅レベルに応じて光信号ｆａを光位相変調し、光位相変調信号として出力する。光合波部１５は、光強度変調信号と光位相変調信号とを合波する。光検波部１６は、合波された光強度変調信号と光位相変調信号とを自乗検波によって光ホモダイン検波し、２つの光信号間の差ビート信号である広帯域変調信号を生成する。合波部１７は、この広帯域変調信号と周波数ｆｏ〜ｆｔの第ｏ〜第ｔの電気信号とを合波し、広帯域変調信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】光導波路を伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、変調信号の動作点を制御するためのバイアス電圧が印加されるバイアス電極を備える光変調器において、バイアス電圧の低電圧化を可能とする。
【解決手段】電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングによる微細加工の困難な電気光学結晶に対して、アスペクト比率の高い凹凸からなる周期構造を形成する。
【解決手段】本発明による光導波路の製造方法は、電気光学効果を有する材料から形成され、複数の凸部及び凹部が周期的に配列された線状の光導波領域を備える第１基板１００を用意する。また、電気光学効果を有する材料から形成され、複数の凸部及び凹部が周期的に配列された線状の光導波領域を備える第２基板２００を用意する。その後、第１基板の光導波領域が有する凸部と第２基板の光導波領域が有する凸部とが接するように第１基板１００及び第２基板２００を貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】光強度変調部で生じるＤＣドリフトによる最適バイアス電圧のずれに対して、常に安定した動作を実現し，所望の広帯域変調信号を提供すること。
【解決手段】光源１０と、光分岐部１１と、光合波部１２と、光角度変調部２０と、光強度変調部３０と、光検波部４０と、ＤＣ電源制御部５０と、第１のＤＣ電源５１と、第２のＤＣ電源５２と、第３のＤＣ電源５３と、第１の分配部６１と、第２の分配部６２と、レベル検知部７０と、復調部８０と、歪みレベル検知部８１とから構成され、第１の及び第２のバイアス電圧を光強度変調部３０に印加する第１のＤＣ電源５１と第２のＤＣ電源５２の制御をレベル検知部７０で検知した信号レベルによって制御し、第３のバイアス電圧を光強度変調部に印加する第３のＤＣ電源５３の制御を歪みレベル検知部８１で検知した歪みレベルによって制御する、広帯域変調信号発生装置。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め効果の高い導波路構造を備えた光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の光変調器は、光伝搬方向に延びる第１領域１１０を挟んで配置された第１電極８および第２電極９を支持する第１基板１００と、光伝搬方向に延びる第２領域２１０を挟んで配置された第３電極１０および第４電極１１を支持する第２基板２００とを備えている。第２基板２００は、第２領域２１０が第１基板１００の第１領域１１０に整合するように第１基板１００に対して固定されている。第１基板１００の第１領域１１０と第２基板２００の第２領域２１０との間には、電気光学効果を有する材料から形成された光導波路１２が設けられており、光導波路１２の両側面は、第１基板１００と第２基板２００との間に位置する空気に接している。 （もっと読む）

【課題】変調信号が流れる電極内で表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、光導波路に均一かつ十分な電界を印加できるようした導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】導波路型光変調器１Ａは、例えば半導体材料で構成された基板５に、光が伝送される光導波路２Ａが形成される。また、光導波路２Ａを伝送される光を変調する変調電界を印加する信号伝送導体３Ａが、基板５に形成される。信号伝送導体３Ａは、光導波路２Ａと重なる位置に形成され、光導波路２Ａの延在方向に対して所定の角度で傾斜して、幅方向の端面が光導波路２Ａを横切っており、変調信号の周波数が上昇することで、表皮効果による電流分布の偏りが発生しても、電界が印加される位置が光導波路２Ａの幅方向に移動して、光導波路２Ａに均一かつ十分な電界が印加される。 （もっと読む）

シリコンベースの光変調器構造は、関連部分の構造の屈折率を変え、それによって、デバイスの性能に所望のされない変化を取扱うための正確な調整を提供する、１又はそれ以上の別個の局在化加温素子を含んでいる。加温は例えばシリコンベースの抵抗、ケイ化物抵抗、順バイアスＰＮ接合等のような熱光学デバイスであり、これらの構造のいずれもシリコンベースの光変調器に簡単に取り込まれうる。ＤＣ電圧のこれらの構造のいずれかへの印加は熱を生成し、次いで導波領域に伝達する。導波領域の局所温度の増加は、順次、領域内の屈折率を増加する。印加ＤＣ電圧の制御は、屈折率の制御となる。 （もっと読む）

【課題】高速で駆動電圧が低く、製作の歩留まりの良い光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有するＬＮ基板１と、光導波路４と、基板の一方の面側１ａに形成された中心導体５ａ及び接地導体５ｂ、５ｃからなる進行波電極５と、基板の他方の面側１ｂで基板に接着して形成され、基板の比誘電率より低い材料からなる低誘電率接着層１３とを具備し、光導波路が、入力光導波路と、相互作用光導波路と、信号光を出射する出力光導波路からなる光変調器において、相互作用光導波路の近傍を伝搬する電気信号の電気力線のうち、空気中以外に存在する電気力線が基板と低誘電率接着層を通過することにより電気信号の等価屈折率が下がり、光導波路を伝搬する光の等価屈折率に近づくよう低誘電率接着層の厚みを設定するとともに、低誘電率接着層が基板の破損を抑え、基板の一方の面側に、基板の長手方向における撓み強度を増加する基板強度補強材１４を具備する。 （もっと読む）

【課題】光変調装置において、変調信号による変調を行いながらであっても高い消光比を安定して実現する。
【解決手段】光変調器１０から出力される周波数ｆ_０、ｆ_＋１、およびｆ_−１の各成分を持つ光をモニタし、第２光検出手段１４ｂで全成分のパワーＰ２を測定するとともに第１光検出手段１４ａでフィルタ手段１３により切り出された周波数ｆ_０成分のパワーＰ１を測定して、これら受光パワーＰ１およびＰ２に基づき、光変調器１０の各マッハツェンダー光導波路ＭＺ−Ａ、ＭＺ−Ｂ、ＭＺ−ＣそれぞれのＤＣ電極により付与する位相差を制御している。制御は、受光パワーＰ１を最小、受光パワーＰ２を最大とするように行う。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ₃基板に高アスペクト比の微細加工を施す。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ₃基板１０１と、パターン化されたＡｌ膜１０３とを備え、前期パターン化されたＡｌ膜１０３を酸素プラズマ照射によりＡｌ₂Ｏ₃膜１０２を形成し、Ａｌ₂Ｏ₃膜１０２と、Ａｌ膜１０３とを備え、Ａｌ₂Ｏ₃膜１０２がＬｉＮｂＯ₃基板１０１エッチング時にエッチング保護膜として働いて、ＬｉＮｂＯ₃基板１０１にサブミクロンサイズの微細パターンが形成となる。 （もっと読む）

【課題】焦電効果による電界の発生を防止した簡単な構成の光導波路変調器の実現。
【解決手段】基材11と、基材11内の上面の直下に設けられた光導波路12,13,14と、基材11の上面上の光導波路13,14の両側に設けられた制御電極15A,15B,16A,16Bと、を備える光導波路変調器であって、基材11の上面上の制御電極の両側に設けられた２つの接地電極21,22と、２つの接地電極21,22を接続するボンディングワイヤ23と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
接着層を伝搬する迷光が薄板内に再入射することを抑制すると共に、薄板と補強板との接着強度を高めた光変調素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成された厚さ２０μｍ以下の薄板１と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路２と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極３とを含む光変調素子において、該薄板と接着層４を介して接合される補強板５を有し、該補強板の該薄板に対向する面は、粗面１０に形成さていることを特徴とする。
好ましくは、該粗面の粗さが、該接着層内を伝搬する迷光の波長の１０分の１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶内部の電界分布が一様となるようにして、良好な電気光学特性を得る。
【解決手段】電気光学結晶４０を用いた電気光学素子において、電気光学結晶４０に電界を印加するための陽極４２ａおよび陰極４２ｂを備え、陽極４２ａの電気光学結晶４０との接触面積は、陰極４２ｂの電気光学結晶４０との接触面積より狭い。具体的には、陽極４２ａの幅は、陰極４２ｂの幅より狭く、陰極４２ｂの幅を、陽極４２ａおよび陰極４２ｂの間隔より広くする。 （もっと読む）

【課題】 単一の変調器を用いて平坦なスペクトル特性を有する光周波数コムを発生する光周波数コム発生装置を提供する。
【解決手段】駆動信号系(11)及びバイアス信号系(14)が，第１の駆動信号(9)，第２の駆動信号(10)及びバイアス信号(12,13)を，下記式(I)を満たすように駆動する光周波数コム発生装置。
ΔＡ＋Δθ＝π／２ (I)
（ここで，ΔＡ及びΔθは，それぞれΔＡ≡（Ａ₁−Ａ₂）／２，及びΔθ≡（θ₁−θ₂）／２と定義され，Ａ₁及びＡ₂はそれぞれ前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の電極への入力時における前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号の振幅を示し，θ₁及びθ₂はそれぞれ第1の導波路及び第2の導波路に印加されるバイアス電圧の位相を示す） （もっと読む）

【課題】光ＳＳＢ変調器そのものの構成に変更を加えることなく、完全なＳＳＢ変調をするためのＤＣ電圧制御を容易に行うことが可能とする。
【解決手段】外部に設けられたレーザダイオード（ＬＤ）３からの光を分岐する分岐部１１２と、分岐光の一方が入力される光ＳＳＢ変調器１０と、もう一方の分岐光が入力されてその光周波数の変換を行うＡＯシフタ１１１と、ＳＳＢ変調光と周波数変換された光を合波する合波部１３と、光を受光して２乗検波により電気信号に変換するフォトダイオード（ＰＤ）１４と、所望の周波数帯の電気信号を通過させるバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）１５ａ〜１５ｃと、入力された電気信号の比を出力する比演算回路１６ａ、１６ｂと、光ＳＳＢ変調器１０へのＤＣ制御電圧を計算して最適電圧を出力するバイアスコントローラ１７とを設ける。 （もっと読む）

【課題】電気光学効果を有する光学結晶薄膜をコアにもつ光制御素子、光スイッチングユニットおよび光変調器において、小型かつ低電圧で駆動する屈折率変調型の光制御素子、光スイッチングユニットおよび光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を備える光学結晶薄膜の一部から形成されるコアの周囲を、クラッドにて囲む。このクラッドはコアより低屈折率の誘電体材料で形成され、コアとクラッドとでチャネル形状の光導波路を形成している。さらに、クラッドの外側に光導波路を挟持して対向するよう少なくとも一対の電極を配置して、この電極に電圧を印加する。これにより、光導波路内に効果的な電界を形成する。 （もっと読む）

【課題】低周波数から高周波数まで広帯域にわたって高効率な変調を施すことが可能であり、キャリア電力と信号電力の比率を任意に調整することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】第１ＳＳＢ変調部１０３ａにおいて、サブマッハツェンダー導波路でＲＦキャリア周波数ｆ_ｍの変調を行うとともにメインマッハツェンダー導波路で位相差−π／２を付与し、第２ＳＳＢ変調部１０３ｂにおいて、サブマッハツェンダー導波路でデータ信号による変調を行うとともにメインマッハツェンダー導波路で位相差π／２を付与する。この場合、２つのＳＳＢ変調部からの出力光は互いに反対の単一側波帯を有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学結晶について低コストで大量生産を可能にする。
【解決手段】レジスト２を塗布したウエハ１の表面を研削加工することによってリッジ５０を形成し、リッジ５０を形成した面に電極３０を蒸着する。そして、リフトオフによってリッジ５０の上面の電極３０を分離して、リッジ５０を挟んで対向した電極３０ａ、３０ｂを形成する。これにより、安価で大量に電気光学素子１００を提供することができる。また、電気光学素子１００を凸型面においてへき開して分離する。これにより、レーザー光を入射する凸型面を研磨する工程を不要とすることができる。 （もっと読む）