【課題】変調帯域を十分に拡大することができる光変調器を得る。
【解決手段】半導体チップ１０内に導波路１２が設けられている。進行波型電極１４の入力部１４ａに、第１のワイヤ１８を介して給電ライン２０が接続されている。進行波型電極１４の出力部１４ｂに、第２のワイヤ２２及び終端ライン２４を介して終端抵抗２６が接続されている。出力部１４ｂと接地点の間の電気容量は、入力部１４ａと接地点の間の電気容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
素子自体のサイズを増加させることなく、電極間のクロストークを抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路（２１〜２３）と、該光導波路を伝播する光波を変調する変調電極とを有する光制御素子において、該変調電極は、少なくとも二つの信号電極（３１，３２）と該信号電極を挟むように配置された接地電極（４１〜４３）から構成され、二つの該信号電極の間に配置された該接地電極と、それ以外の該接地電極とを電気的に接続すると共に、該信号電極の一部を跨ぐように配置された電気的接続手段（５１，５２）を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用した場合でも、薄板の反りや割れを抑制し、製品の歩留まりを改善した光変調器を提供すること。また、高周波特性の劣化を抑制した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路内を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該薄板は接着層を介して、薄板とほぼ同一の線膨張率を有し、かつ、誘電率が薄板より低い補強基板に接着されており、該補強基板の接着層側の面には、該光導波路が延在する方向と平行な方向に溝が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＮ変調器を備える光変調器において、ＤＣドリフトを低減すること。
【解決手段】光変調器６００は、ＬＮ変調器６０１の両端に第１及び第２のＰＬＣ６０２、６０３が突き合わせ接続（バットジョイント）されたＰＬＣ−ＬＮ変調器である。第１のＰＬＣ６０２の入力ポートには、第１のファイバブロック６０４を介して、光信号入力側光ファイバ６０５が接続され、第２のＰＬＣ６０３の出力ポートには、第２のファイバブロック６０６を介して、光信号出力側光ファイバ６０７が接続されている。本実施形態に係る光変調器６００は、ＬＮ変調器６０１のＤＣドリフトを低減するために、第２のＰＬＣ６０３に、ＭＺＩの上アーム又は下アームの位相を非可逆的にトリミングする位相トリミング部６１０を有する。ＬＮ変調器単体ではなく、ＰＬＣ−ＬＮ変調器においては、ＰＬＣ部分の位相調整機能を活用することにより、ＤＣドリフトを低減可能である。 （もっと読む）

【課題】
ネスト型光導波路のように、光導波路が複数の光導波路部分を有し、該光導波路部分が互いに平行配置される光導波路素子において、光導波路部分が近接して配置される場合でも、各光導波路に印加される変調信号のクロストークを効果的に抑制することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決方法】
電気光学効果を有する基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路素子において、該光導波路は、複数の光導波路部分が互いに平行配置され、少なくとも一つの該光導波路部分には該変調用電極による電界が印加される構成を有し、該光導波路部分間の距離が３００μｍ以下であり、かつ該光導波路部分間には溝が形成され、該溝の内側には、導電性材料が充填又は付着されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電子装置を提供する。
【解決手段】光電子装置は、半導体基板内に形成されたｐドーピング領域とｎドーピング領域と、ｐドーピング領域とｎドーピング領域との間に形成された光導波路コア領域と、光導波路コア領域とｐドーピング領域との間に形成され、それぞれが第１距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第１スラブと、光導波路コア領域とｎドーピング領域との間に形成され、それぞれが第２距離だけ離隔して形成され、光導波路コア領域の厚さと同じ厚さを有する複数の第２スラブと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光学的ディエンファシス駆動方式を使うことができる光変調器とその信号生成方法とを提供する。
【解決手段】光変調器５０は、第１位相変調器５２によって位相変調された第１光信号を伝送するための第１光導波路５８−１と、第１位相変調器の長さより短い長さを有する第２位相変調器５４によって位相変調された第２光信号を伝送するための第２光導波路５８−２と、を含み、第２光導波路の長さは、第１光導波路の長さより長い。 （もっと読む）

【課題】
共振型電極を用いながら、動作帯域を拡大すると共に、製造時の電極形状のバラツキに起因する特性の劣化を抑制することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、共振型電極と、該共振型電極に制御信号を給電する給電電極とを備え、該共振型電極は、１本の信号電極３０を有し、該信号電極の長さは、所定周波数を有する該制御信号が該信号電極上に形成する波長より長く設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４１を複数に分岐した分岐配線部４２，４３を有し、該分岐配線部の全てが、該信号電極上の異なる位置５１，５２に接続され、該信号電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】任意の偏光状態を実現可能な偏波制御装置を提供する。
【解決手段】偏波制御装置は、入力された直線偏波の光を２分岐する分岐部と、２分岐された入力光をそれぞれ強度変調する第１強度変調器および第２強度変調器と、前記第１強度変調器と前記第２強度変調器の出力のうち少なくとも一方を位相変調する位相変調器と、前記変調を受けた２つの光を、一方の偏波を直交させて合波する偏波合成部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】変調時の動作条件が変動した場合における光パルスの波形劣化を抑制すること、また、ノイズ成分の小さい光パルスを発生させること。
【解決手段】光パルス発生装置１は、光周波数が増加方向に変化する第１の時間領域と減少方向に変化する第２の時間領域が交互に繰り返され、前記第１及び第２の時間領域の一方の時間領域で大きい光パワーを有し他方の時間領域で小さい光パワーを有する連続した光パルス列を発生させる光パルス発生部２０と、前記光パルス発生部２０からの光が入射され、前記一方の時間領域で前記入射光を透過させ前記他方の時間領域で前記入射光を遮断又は減衰させる光制御部３０と、前記光制御部３０からの光が入射され、前記一方の時間領域の光をパルス圧縮する光パルス圧縮部４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でマイクロ波帯などの超高周波域で高い変調効率を実現することが可能な導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】 基板２と、マッハツェンダー型光導波路３と変調電極とからなり、変調電極は電界印加線路４ａ、５ａを備えた４段の共振電極部９と給電部６とからなり、給電結合線路７ｂ、８ｂ、共振結合線路４ｂ、５ｂにより各部間の結合がなされている。各共振電極部および４段の共振電極部全体が変調信号の周波数において共振器となるように構成され、１段目と３段目の電界印加線路で同相の電界となり、２段目と４段目の電界印加線路で逆相の反転電界となるように、線路長が調整され、電界印加線路４ａ、５ａの配置の周期Ｐは、位相シフト光導波路３ｂ，３ｃの等価屈折率をｎ、変調信号の周波数をｆ、真空中での光速をｃとすると、Ｐ＝ｃ／２ｎｆとなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の消費電力または素子長を小さくする。
【解決手段】第１クラッド層４と、第２クラッド層６と、第１クラッド層４と第２クラッド層６に挟まれた光導波層８とを有し、光導波層８は、第１半導体層１０と、第１半導体層１０上に設けられ一方向に延在する第２半導体層１２とを有し、第１半導体層１０は、第２半導体層１２の片側に設けられたｎ型領域１４と、第２半導体層の反対側に設けられたｐ型領域１６と、ｎ型領域１４とｐ型領域１６の間に設けられたｉ型領域１８とを有し、第２半導体層１２は、第１半導体層１０より狭いバンドギャップを有する。 （もっと読む）

【課題】
低駆動電圧化及び小型化が可能な光制御素子を提供することであり、特に、低コストな駆動系部品の使用による低コスト化が可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された複数の光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、同じ共振周波数を有する少なくとも２つの共振型電極３１，３２と、該共振型電極の各々に制御信号を給電する給電電極４１，４２とを備え、各共振型電極３１，３２の形状及び形成位置、並びに各共振型電極への給電電極による給電位置は、互いに奇モード結合が可能なように設定され、該給電電極は、１本の入力配線部４０を複数に分岐した分岐配線部４１，４２を有し、各共振型電極には、該分岐配線部により同相又は所定位相差を有する制御信号が給電されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇や特性の低下を招くことなく、実装が容易な状態で、ＬＳＩのチップ間やチップ内の信号伝送を、光配線で行えるようにする。
【解決手段】素子形成領域１２２のシリコン上にエピタキシャル成長により形成した半導体層を光吸収層として備えて素子形成領域１２２に形成された光素子１２３と、光導波領域１２１に形成された溝部１０１ａと、溝部１０１ａに充填されて形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２の上に形成されて光素子１２３に光接続するコア１０３と、コア１０３の上に形成された上部クラッド層１０４と、コア１０３よりなる光導波路の光導波方向に垂直な方向の素子形成領域１２２の側部の基板１０１上に形成されて、光素子１２３に電極引き出し部１０５を介して接続する電極パッド部１０６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の伝播損失が少なく、バラツキの少ない導波路型共振器デバイスを提供する。
【解決手段】光入力端及び光出力端を有し、前記光入力端より入射した光を伝播させる光導波路と、前記光導波路に近接して配置された所定の周波数で共振する共振器と、を有し、前記光導波路及び前記共振器は、単結晶のシリコン層により形成されるものであって、前記共振器は前記シリコン層の一部によりコアが形成されるＰＩＮ接合構造を有し、前記共振器は、直線部分と角部分を有する略多角形状で形成されており、前記共振器は、前記角部分のいずれか１つにおいて前記光導波路と最も近接して配置されており、前記直線部分は、前記シリコン層における［１ ０ ０］方向、［０ １ ０］方向、［０ ０ １］方向、［１ １ ０］方向、［１ ０ １］方向、［０ １ １］方向のいずれかに沿って形成されていることを特徴とする導波路型共振器デバイスにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧の増加を抑制しながら周波数応答特性の広帯域化が可能な光変調器を提供することであり、さらには、製造に掛る時間やコストの増加を抑制した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを有する光変調器において、該変調電極は、信号電極Ｓとそれを挟むように配置される接地電極Ｇとからなるコプレーナ型電極であり、該信号電極と該接地電極との間隔（Ｇ１，Ｇ２）は、基板に最も近い部分から基板からはなれる方向に向かって徐々に広くなるよう構成され、少なくとも該信号電極全体は、単一の材料から構成されることを特徴とする。 （もっと読む）