【課題】簡素な駆動回路で駆動可能な光変調器を提供する。
【解決手段】光を長手方向に透過するべく所定の幅及び厚みを有し長手方向に延びたコア層２と、コア層２を厚み方向から挟む第１クラッド層３ｕ及び第２クラッド層３ｄとを有する光変調器１であって、コア層２が電界に応じて屈折率が変化する電気光学効果光学材料で形成され、第１クラッド層３ｕ及び第２クラッド層３ｄの、厚み方向、かつ、コア層２と接しない側の面のそれぞれに、コア層２内に電界を形成する第１電極４ｕ及び第２電極４ｄが形成され、上記第１電極４ｕ及び第２電極４ｄの少なくとも一方が、長手方向に対して光の入射側から幅方向に傾斜した辺５を有する。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】電極の曲がった部分における信号損失を低減する。
【解決手段】信号電極３ｂは、曲がり部４ａを有している。接地電極３ｃは、信号電極３ｂを挟むように形成されている。また、信号電極３ｂと接地電極３ｃは、曲がり部４ａにおける信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ１が、曲がり部４ａの両端における信号電極３ｂと接地電極３ｃとのギャップの幅Ｓ２より狭くなるように形成されている。これにより、曲がり部４ａにおける電界分布が抑制され、信号電極３ｂの曲がり部４ａでの信号損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】小型で、且つ、安価に作製することができる光導波路型ＲＦ光変換器および光変調素子を提供する。
【解決手段】光導波路型ＲＦ光変換器１は、リング共振器１０および強誘電体層１３を備える。リング共振器１０は、前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路１１を含む。強誘電体層１３は、リング状光導波路１１のクラッドの一部をなすように設けられる。強誘電体層１３に外部から電界を印加すると、電界の強度に応じて強誘電体層１３の屈折率が変化するのに伴って、リング状光導波路１１の有効屈折率も変化する。有効屈折率の変化によって、リング共振器１０のフィルタ特性が短波長側または長波長側にシフトするので、光導波路型ＲＦ光変換器１を伝播する光の波長がフィルタ特性の遷移域にあれば、光の強度が変化する。このようにして、ＲＦ信号を光強度信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能で、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、進行波電極４と、凹部により構成される中心導体用リッジ部８ａと接地導体用リッジ部８ｂを具備し、中心導体用リッジ部と接地導体用リッジ部に光導波路が各々形成される光変調器において、凹部は第１〜３の凹部９ａ〜９ｃでなり、第１の凹部に対して対称に第２、３の凹部が形成され、第１、２の凹部間に中心導体用リッジ部が形成され、第１、３の凹部の間に接地導体用リッジ部が形成され、第１、２の凹部の上方には接地導体が形成されておらず、第３の凹部の上方と、第２の凹部に隣接する中心導体用リッジ部でない側に形成された接地導体の中心導体に対して第３の凹部と対称となる位置とにて、一方に接地導体が形成された部分と形成されていない部分が交互に形成され、他方に中心導体よりも薄く形成された部分と中心導体と同じ厚みを持つ部分とが形成される。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１、光導波路３、進行波電極、凹部により構成されるリッジ部を具備し、リッジ部は中心導体用リッジ部と接地導体用リッジ部からなる光変調器において、凹部は第１〜第３の凹部でなり、第１の凹部の中心線に対し対称な位置に第２、３の凹部が形成され、第１、２の凹部の上方には接地導体が形成されておらず、第３の凹部の上方には、中心導体４ａよりも導体が薄く形成された部分４ｂ^（５）'と中心導体と同じ厚みを持つ部分４ｂ^（５）とが、光導波路方向に交互に形成され、第２の凹部に隣接する中心導体用リッジ部でない側の基板上に形成された接地導体には、中心導体の中心線で第３の凹部と対称となる位置に、中心導体よりも導体が薄く形成された部分４ｃ^（５）'と中心導体と同じ厚みを持つ部分４ｃ^（５）とが光導波路方向に交互に形成される。 （もっと読む）

液晶層を通り抜ける光の伝播を制御する可変液晶装置は、周波数依存性材料を利用して前記装置内に有効な電極構造を動的に再構築させる。前記装置内で電場を発生させる駆動信号の周波数は可変であり、周波数依存性材料は周波数毎に異なる電荷移動度を有する。周波数依存性材料は、電荷移動度が低いと、現行の電極構造にはほとんど影響を及ぼさないが、電荷移動度が高いと、固定電極を拡張させると考えられる。これを利用すれば、有効な電極構造や、ひいては電場の空間プロファイルを変更することも可能である。更にはこれにより液晶の光学特性が変化して、光学装置の周波数制御が可能となる。
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【課題】自己整合でエッチング可能かつ製造方法の容易な光変調装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２上に配置される強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置される上部電極４とを備えた強誘電体キャパシタを含む光変調装置であって、上部電極４が、強誘電体膜３のエッチングマスクとして強誘電体膜３と自己整合パターニングされた導電膜を含んでいることを特徴とし、さらに強誘電体キャパシタを駆動するための制御回路を半導体基板１０上に有するとともに、強誘電体キャパシタを、下部電極２と上部電極４間に印加する電界に応じて強誘電体膜３の屈折率が変化するファブリーペロー型の共振器６として機能させる。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板の厚みが１５μｍ以下の場合でも、駆動電圧Ｖπを低減し、光損失を抑制すると共に、インピーダンス整合を図ることが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚さが１５μｍ以下の基板１と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調制御するための制御電極とを有する光導波路素子において、該制御電極は、該光導波路を挟んで配置される信号電極３と接地電極４とから構成され、該信号電極の幅Ｗと該信号電極と該接地電極との間のギャップＧとの比Ｗ／Ｇが、０．７以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より広い周波数帯域において良好なマイクロ波特性を得る。
【解決手段】誘電性基板４１と、誘電性基板４１の第１面４Ａに形成され、互いに分断された第１線路４２ａおよび第２線路４２ｂならびに第１および第２線路４２ａ，４２ｂの周囲に形成された接地電極４２ｃからなるコプレナー線路４２と、第１および第２線路４２ａ，４２ｂの分断を接続するように搭載されたコンデンサ部材４３と、第２線路４２ｂに接続形成された終端抵抗４４と、誘電性基板４１における第１面４Ａの裏面である第２面４Ｂに形成されたマイクロストリップ線路４５と、誘電性基板４１内に形成され、第１線路４２ａとマイクロストリップ線路４５とを導通させる導通部４６と、をそなえる。 （もっと読む）

【課題】薄板化した光導波路基板がボンディング工程によって割れることのない光デバイスを提供する。
【解決手段】光導波路を有する基板上に電極が形成され、該電極に外部との電気的接続のための配線が圧着して接続される光デバイスであって、前記基板の厚さが３０μｍ以下であり、前記配線の１圧着部分の面積が５０００μｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、周波数特性に優れた電界吸収型変調器を提供すること。
【解決手段】ＥＡ変調器１０は、印加される電界に応じて光の吸収量が変化する光導波層３２と、光導波層３２に電界を印加するｐ側電極４０と、を含む。ｐ側電極４０は、光導波層３２の入力端３２ａに入力され出力端３２ｂから出力される光の経路に沿って延伸するメサ部４２と、電気信号線が接続されるＰＡＤ部４４と、ＰＡＤ部４４とメサ部４２の入力端３２側の部分領域とを接続する帯状のＰＡＤ接続部４６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小型で、駆動電圧が低く、光変調帯域が広く、特性インピーダンスについて改善された光変調デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、基板に形成された光導波路３０と、基板上に設けられた電極４０とを備え、光導波路は、電極に電圧を印加することにより屈折率が変化する領域である相互作用部に相互作用光導波路を含んで構成されている光変調デバイスにおいて、相互作用光導波路が、その幅方向の中心線について、基板の長手方向に関する微分係数が連続となる状態で蛇行して形成されており、電極が、蛇行して形成されている相互作用光導波路と並んで蛇行して形成されており、相互作用光導波路と電極とが並んでほぼ直線に形成されている場合と比較して相互作用部の長さが長くなっている。 （もっと読む）

【課題】光変調器において、電極のパターニング精度を向上させて歩留りを向上させるのと共に、電極を厚くして電極損失を減少させることである。
【解決手段】光変調器は、電気光学材料からなる基板５、基板５上に設けられた変調用電極２Ａ、３Ａ、２Ｂ、および基板５に設けられた光導波路１ｃを備えている。変調用電極に変調電圧を印加することによって、光導波路１ｃを伝搬する光を変調する。変調用電極の少なくとも一部が、基板５上に設けられている基部２ａ、３ａと、この基部よりも幅の狭い突出部２ｂ、３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】生産性が良く、機械的強度が強い光変調器を提供する。
【解決手段】光を変調する相互作用部に高周波信号を伝搬させる第１入力用フィードスルー部を具備する光変調器において、第２入力用フィードスルー部を有する別体の基板を有し、基板と別体の基板の厚みから決定される誘電体共振の共振周波数が高周波信号の周波数より高く、別体の基板は外部回路からの高周波信号を第１入力用フィードスルー部に伝搬し、第２入力用フィードスルー部の特性インピーダンス、第２入力用フィードスルー部に電気的に接続されるコネクタの特性インピーダンス、もしくは外部回路の特性インピーダンスと相互作用部とのインピーダンス不整合を低減するインピーダンス変換部を具備し、外部回路から第２入力用フィードスルー部に印加された高周波信号が残留反射を生じつつ、別体の基板上のインピーダンス変換部が無い場合と比較し電気的反射が小さくなって相互作用部に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】導波路型位相変調器（ＷＰＭ）を含む光導波路型デバイスを提供する。
【解決手段】ＷＰＭによって与えられる位相シフトを示すモニタ光を作り出すために導波路型モニタリング構造がマッハツェンダ型干渉計を形成するようにＷＰＭと並列で光学的に結合される。この導波路型モニタリング構造は第１のＷＰＭに入る光の一部を取り出して第１の取り出し光を供給するための第１の光タップ、第１のＷＰＭを出る光の一部を取り出して第２の取り出し光を供給するための第２の光タップ、および第１または第２の取り出し光のうちの一方の光位相を試験信号で変調することで第１の位相シフトに従うモニタ光の強度を変調するための補助的位相変調器を含む。モニタ光の変調指数に基づいてフィードバック回路がＷＰＭによって与えられる位相シフトを制御する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、第１および第２の光導波路３ａ、３ｂからなる光導波路３と、基板上に形成されたバッファ層２と、バッファ層の上方に配置された中心導体４ａおよび中心導体を挟むよう配置される第１および第２の接地導体４ｂ、４ｃからなる接地導体により構成された進行波電極とを具備し、基板におけるバッファ層が形成される側の表面が平坦である光変調器において、第１の光導波路の上方に中心導体を、第２の光導波路の上方に第１の接地導体を有し、第１の接地導体が、第２の光導波路直上ではない位置に光導波路の光軸方向に延在する第１の位置を有し、第２の接地導体が、中心導体の中心線に対して第１の位置と対称となる位置に光導波路の光軸方向に延在する第２の位置を有し、第１の位置および第２の位置に導体が欠落した部位１１ａ、１１ｂを具備する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、基板上の２本の光導波路３ａ、３ｂと、基板上方のバッファ層２と、バッファ層の上方の中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げて形成した凹部により構成されるリッジ部とを具備し、該リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、少なくとも中心導体用リッジ部に光導波路３ｂを有する光変調器において、接地導体が、凹部９ｃで導体が欠落した部位１１ａを具備し、凹部以外に形成された接地導体の体積とそれらが形成されている領域の面積との比が凹部に形成された接地導体の体積と接地導体が形成された面積との比よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減すると共に、駆動信号の反射減衰量を改善した光導波路型変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有するＺカット型基板と、該基板上に形成されたマッハツェンダー型光導波路部分を有する光導波路と、該光導波路内を導波する光波を変調するための変調用電極とを有する光導波路型変調器において、該信号電極２１が前記一方の分岐導波路７から離れマッハツェンダー型光導波路部分の対称軸ｄを跨いで該信号電極を取り出す領域では、前記一方の分岐導波路に繋がるＹ分岐部の一部（点ａから点ｂの間）に沿って該信号電極を配置し、さらに、該信号電極２２が前記一方の分岐導波路８から離れマッハツェンダー型光導波路部分の対称軸ｄを跨がずに該信号電極を取り出す領域では、前記一方の分岐導波路に繋がるＹ分岐部に沿わずに該信号電極を配置する。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成された２本の光導波路３ａ、３ｂと、基板の上に形成されたバッファ層２と、該バッファ層の上方に配置された中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げることにより形成した凹部９ａ〜９ｃにより構成されるリッジ部とを具備し、該リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、中心導体用リッジ部に２本の光導波路のうちの１本が形成されている光変調器において、２本の光導波路の中間に設けた中心線に対して凹部が実質的に対称な配置であり、かつ進行波電極は中心導体の中心線に対して実質的に対称な構造である。 （もっと読む）