【課題】空間位相変調素子を用いて、チャンネル毎に独立に分散補償を行なう可変分散補償器においては、多チャンネル化に伴って、空間位相変調素子の１辺のサイズが大きくなる。空間位相変調素子の大型化は、量産性および製造コストの点で好ましくない。また、空間位相変調素子を利用して可変分散補償器を構成する場合、ＡＷＧのＦＳＲの端部に対応する光周波数（波長）において、光透過率が低下する問題があった。
【解決手段】ＡＷＧの分光軸に対応する方向のサイズを短く抑えた空間位相変調素子を利用した複数の可変分散補償器（ＴＯＤＣ）ブロックを組み合わせ、多チャンネルの可変分散補償器を構成する。ＴＯＤＣブロックにおいて使用されるＡＷＧのＦＳＲを、そのＴＯＤＣブロックによりカバーするＷＤＭ通信チャンネル群の全帯域幅と等しく成るように設定する。ＴＯＤＣブロックによってカバーするＷＤＭ通信チャンネル群の全帯域幅と所定の関係を満たすようにＦＳＲを設定し、光透過特性を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 可視光領域を含む波長帯域において、ホール型の金属薄膜フィルタよりも光吸収が少なく、透過率および反射率の高い光学フィルタを提供する。
【解決手段】 誘電体基板と誘電体層との間に、複数の第１の金属構造体を孤立した状態で２次元的に設けられている。この第１の金属構造体は、第１の方向に第１の長さを有し、かつ、第１の方向と直交する第２の方向に第２の長さを有している。また、第１の長さと第２の長さは、可視光領域における光の波長以下の長さである。第１の金属構造体と、入射する光とが共鳴することにより、第１の金属構造体の表面に誘起される局在プラズモンによって、可視光領域における所定の波長の透過率を減少または反射率を増加させる。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率が高く、部品点数を少なくして装置の長大化・大型化を防止でき、透過スペクトルが急峻で狭帯域特性を発揮する多段構造のリオフィルタと同等の波長フィルタを実現する。
【解決手段】波長フィルタ３１は、一定の光学的厚さを有する第１及び第２位相子３２，３３をその間に入射側偏光子３４と内側反射膜３５と出射側偏光子３６を挟んで積層し、第１及び第２位相子の外側主面にそれぞれ第１及び第２外側偏光子３８〜４０，４２〜４４と第１及び第２外側反射膜４１，４５とを光の進行方向に沿って配置する。入射光Ｌ1は入射側偏光子によりｓ偏光が反射され、ｐ偏光が透過する。ｓ偏光及びｐ偏光はそれぞれ第１及び第２位相子内部を多重反射しながら透過し、出射側偏光子により合成されて出射する。 （もっと読む）

【課題】波長フィルタの高い光透過率及び光利用効率を実現し、装置の長大化を防止して小型化を可能にする。
【解決手段】波長フィルタ５１は偏光ビームスプリッタ３２とその側面に対向配置した反射型位相素子３３，５３とを備える。偏光ビームスプリッタに入射したｓ偏光は、偏光分離膜３６で反射されて反射型位相素子３３に入射し、反射ミラー３８により位相子３７部分を往復しかつｐ偏光に変換されて偏光ビームスプリッタに再入射し、偏光分離膜を通過して反射型位相素子５３に入射し、反射ミラー５５により位相子５４部分を往復しかつｓ偏光に変換されて偏光ビームスプリッタに再入射し、偏光分離膜で反射されて出射する。１つの偏光分離膜が透過順に配置した３つの偏光子として機能し、それらの間にそれぞれ２つ分の位相子を配置した構成と等価の波長フィルタが実現される。 （もっと読む）

【課題】光変調器のマイクロ波の速度整合をはかり、光変調器の金属電極による伝搬光の吸収による光損失を防止するとともに、駆動電圧を低減する。
【解決手段】光変調器は、電気光学単結晶のＸ板またはオフセットＸ板からなり、厚さ３０μｍ以下の基板１、基板１の一方の主面１ａ上に設けられた信号電極２および接地電極３Ａ、３Ｂ、信号電極と接地電極とのギャップに形成されており、基板の主面１ａから凹んだギャップ内溝８およびギャップ内溝の底部に設けられたチャンネル型光導波路からなる変調部６Ａ、６Ｂを備えている。信号電極と接地電極に変調電圧を印加することによって、変調部を伝搬する光を変調する。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有する基板を薄板化した場合でも、光挿入損失を改善し、基板内の迷光増加を抑制可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成され、厚さｔが１２μｍ以下の基板１と、該基板の表面から高屈折率材料を基板内にドープして形成される光導波路２とを有する光導波路素子において、該光導波路の入力側端部又は出力側端部のいずれかには、該光導波路の高さＨが基板面から１３００Å以上となる光閉じ込め制御部が形成されることを特徴とする。
好ましくは、該光閉じ込め制御部の長さは、該光導波路の端部から０．８ｍｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽光エネルギーを電力に変換する際の変換効率を低コストでしかも低労力で向上させる。
【解決手段】太陽光エネルギーを電力に変換する太陽電池用の波長変換素子において、供給される太陽光のうち太陽電池２の吸収帯域に対応する光を透過可能な基板１１と、供給される太陽光における紫外光に応じて励起子が励起される第１のエネルギー準位を有する複数の量子ドット１１からなる入力側量子ドットグループ１３と、第１のエネルギー準位との共鳴に応じて入力側量子ドットグループ１３を構成する各量子ドット１２から基板１１を介して励起子が注入される共鳴エネルギー準位を有し、当該共鳴エネルギー準位から放出されたエネルギーに応じて紫外光より長波長である、太陽電池２の吸収帯域の出力光を生成する出力側の量子ドット１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザーと光変調器のマルチチップモジュールを作製する際に、光ファイバと光変調器の結合損失を補償すると共に、半導体ＩｎＰ マッハツェンダ変調器での損失を補償し、デバイスからの出力パワーを増加させた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】同一半導体基板１上にて光λ１が導波する方向に半導体光増幅器５０とマッハツェンダ変調器６０とが集積されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上部のｎ型のクラッド層と導波路の電気信号ラインとが電気的に分離できるｎｐｉｎ型の半導体光変調器及びこれを利用する光変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体光変調器は、コア層、前記コア層を挟み下部及び上部にそれぞれ配置される第１クラッド層及び第２クラッド層、並びに前記第２クラッド層と前記コア層との間に挿入されるバリア層を含む積層構造からなる第１半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の積層構造のうち、前記第２クラッド層がｎ型半導体内で局所的に積層方向に貫通するｐ型半導体を持つ積層構造からなる第２半導体光導波路と、前記第１半導体光導波路の前記第１クラッド層に接続される第１電極と、前記第１半導体光導波路の前記第２クラッド層と前記第２半導体光導波路の前記第２クラッド層のｐ型半導体とを電気的に接続する第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低コスト化、省電力化、小型化を実現する光デバイスの制御装置を提供すること。
【解決手段】制御目標値に基づき、制御対象である光デバイスに対する制御値を表すデジタルパルス制御信号を生成して出力するデジタル処理手段と、前記光デバイスの帯域以上の帯域を有する低域透過フィルタを備え、前記デジタルパルス制御信号の入力を受け付け、該デジタルパルス制御信号を平滑化するとともに増幅して、前記光デバイスを駆動するアナログ駆動信号を生成して出力する駆動手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置に用いて画素の精細さおよび動作の高速性に優れるとともに、光変調度が大きく、消費電力が低い空間光変調器の提供。
【解決手段】基板と、２層以上の磁性膜と１層以上の非磁性膜を積層してなる多層構造の光変調部と、前記光変調部に電流を流すための電極と、光の偏光を検出する偏光フィルターとを具備する空間光変調素子であって、前記磁性膜の少なくとも１つが垂直磁気異方性を有する磁性材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であり、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、光導波路３ａ、３ｂと、基板上に形成されたバッファ層２と、バッファ層の上方に配置された中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部に形成した凹部９ａ〜９ｃにより構成されるリッジ部とを具備し、リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、中心導体用リッジ部に２本の光導波路のうちの１本が形成されている光変調器において、凹部における接続用接地導体の厚みが中心導体や隣接する接地導体の厚みよりも薄く、２本の光導波路の中間に設けた中心線に対して凹部が実質的に対称な配置であり、かつ進行波電極は中心導体の中心線に対して実質的に対称な構造である。 （もっと読む）

【課題】駆動電源の負担を軽減可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光変調器は、２次の電気光学効果を有する電気光学結晶２１と、電気光学結晶２１の第１の面および第２の面に配置された電極２２ａ〜２６ｂとを備えている。電極２２ａと電極２２ｂとで第１の電極対を形成し、電極２３ａと電極２３ｂとで第２の電極対を形成し、電極２４ａと電極２４ｂとで第３の電極対を形成し、電極２５ａと電極２５ｂとで第４の電極対を形成し、電極２６ａと電極２６ｂとで第５の電極対を形成している。第１の電極対〜第５の電極対は、それぞれ直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、安定性について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板１と、基板上の２本の光導波路３ａ、３ｂと、基板上方のバッファ層２と、バッファ層の上方の中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、進行波電極を伝搬する高周波電気信号の電界強度が強い領域における基板の少なくとも一部を掘り下げて形成した凹部により構成されるリッジ部とを具備し、該リッジ部は中心導体が上方に形成された中心導体用リッジ部８ａと、接地導体が上方に形成された接地導体用リッジ部８ｂからなり、少なくとも中心導体用リッジ部に光導波路３ｂを有する光変調器において、接地導体が、凹部９ｃで導体が欠落した部位１１ａを具備し、凹部以外に形成された接地導体の体積とそれらが形成されている領域の面積との比が凹部に形成された接地導体の体積と接地導体が形成された面積との比よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

本発明に従う電界吸収型光変調器は、少なくとも一層のｐドープ半導体(６)と少なくとも一層のｎドープ半導体(８)との間に吸収層(７)を具え、これら層はリッジ型導波路構造を形成し、吸収層の厚さが９〜６０ｎｍの範囲であり、かつリッジ部の幅が４．５〜１２μｍの範囲であることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】 光機能を実現するシリコン基板上に集積化された光デバイスを提供すること。
【解決手段】 導波路を通る光を調整する光調整構造を有する光デバイスは、結晶基板と、これとは異なる材質の結晶体とが一体化されていて、その一方に光導波路が設けられ、他方に光導波路に光学的に一体化した光調整構造が設けられてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光結合効率の低下を抑制し、光結合効率の安定した光半導体モジュールおよびその組立方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０１と、該半導体レーザ１０１から出射される光を平行光線にする第一のレンズ１０２と、前記平行光線を集光させる第二のレンズ１０３と、該第二のレンズ１０３によって集光した光が光導波路に結合する位置に配置された半導体光変調器５０４とを共通のサブマウント上に搭載し、第二のレンズ１０３の焦点距離ｆ₂が第一のレンズ１０２の焦点距離ｆ₁に比較して長く、且つ半導体光変調器５０４の光のフィールド５１２の径が半導体レーザ１０１の光のフィールド１１０の径に比較して大きくなるような構成とした。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を小さくすることができる光処理回路を提供する。
【解決手段】位相変調器１２０が、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられるｎ型の第一の半導体クラッド層１０２と、第一の半導体クラッド層１０２上に設けられるノンドープの半導体コア層１０３と、半導体コア層１０３上に設けられるｎ型の第二の半導体クラッド層１０５と、第二の半導体クラッド層１０５と半導体コア層１０３との間に設けられる半絶縁性の半絶縁層１０４とを有する層構造をなすと共に、第二の半導体クラッド層１０５上に設けられて半導体コア層１０３へ電圧を印加する位相変調用電極１０７を備えている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を小さくすることができる光処理回路を提供する。
【解決手段】位相変調器１２０が、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられるｎ型の第一の半導体クラッド層１０２と、第一の半導体クラッド層１０２上に設けられるノンドープのｉ型の半導体コア層１０３及び半導体補助クラッド層１０４と、半導体補助クラッド層１０４上に設けられるｎ型の第二の半導体クラッド層１０６と、第二の半導体クラッド層１０６と半導体補助クラッド層１０４との間に設けられるｐ型の第三の半導体クラッド層１０５とを有する層構造をなすと共に、第二の半導体クラッド層１０６上に設けられて半導体コア層１０３及び半導体補助クラッド層１０４へ電圧を印加する位相変調用電極１０７を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数のサブキャリアを含む電気信号を、アナログ光変調により伝送する場合において、従来技術より帯域を有効利用でき、相互混合ノイズの復調への影響を抑えることができる光伝送装置を提供する。
【解決手段】光伝送装置は、各チャネルの光キャリアを生成する手段と、各チャネルに入力される複数のサブキャリアを含む電気信号を周波数変換する手段と、各チャネルの光キャリアを、対応するチャネルの周波数変換後の前記電気信号により変調し、各チャネルについて、複数のサブキャリアに対応する側波帯を含む光信号を生成する手段と、各チャネルの光キャリアと側波帯とを合波する手段とを備えており、合波する手段が出力する波長多重光信号は、同じチャネルの光キャリアと側波帯の間に、他チャネルの光キャリア又は他チャネルの側波帯を含む周波数配置を有する。 （もっと読む）