説明

Fターム[2H079HA16]の内容

光の変調 (22,262) | 特性・目的 (1,307) | 目的 (827) | 高光利用効率 (83)

Fターム[2H079HA16]に分類される特許

61 - 80 / 83


【課題】 良好な挿入損失を有し光学特性にばらつきの無い光アッテネータ、光スイッチ等の光デバイスを提供すること。
【解決手段】 ファラデー効果を有する磁性ガーネット単結晶と、隙間を介して相対峙する一対の先端部を有するヨークとコイルとで構成されかつ上記隙間に磁性ガーネット単結晶が配置されると共にこの磁性ガーネット単結晶に対し光軸に垂直な方向に可変磁界を印加する電磁石と、上記隙間に配置された磁性ガーネット単結晶に対し光軸に平行な方向に固定磁界を印加する永久磁石とを備え、可変磁界と固定磁界とで構成される外部磁界により磁性ガーネット単結晶を透過する光線のファラデー回転角を制御する光デバイスであって、上記隙間に配置された磁性ガーネット単結晶5の外縁部と各ヨーク先端部8間の距離が0.08mm以上、0.5mm以下に設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】偏波依存性があり高い電気光学定数を有する材料を用いて光偏向素子を形成することで駆動電圧の低減および偏向角の増大を図り、かつ、偏向角の偏波依存性によって生じる損失を減少させることのできる光スイッチを提供する。
【解決手段】本発明の光スイッチは、光入力部10の入力チャネル導波路に与えられた光を、スラブ型光導波路部40の前後に配置した第1および第2光偏向部30,50で対称に偏向させることで光出力部70の所望の出力チャネル導波路に導くものであり、第1および第2光偏向部30,50が、プリズム型電極を形成した入力側上部電極部32,52および出力側上部電極部33,53の間に1/2波長板35,55を有し、スラブ型光導波路部40も中央に1/2波長板41を有する。
(もっと読む)


【課題】各ユニットが発光素子を備えることなく安価かつ簡単に構成できるようにする。
【解決手段】第1の光導波路150はユニット110〜140を接続する。この光導波路150は、発光部170から供給される、データ情報を有しない、つまりデータ的にnull(無効)な4つの波長の光を導波する。第2の光導波路160は、ユニット110〜140を接続する。この光導波路160は、データ情報を有する4つの波長の光を導波するリング状の光導波路である。変調機能部112〜142は、それぞれ、他のユニットにデータを送るとき、光導波路150から光導波路160に、当該他のユニットに応じた波長の光を、送信データで変調した状態で導波する。受光機能部113〜143は、それぞれ、光導波路160から自己のユニットに応じた波長の光を取り出して受信データを得る。 (もっと読む)


【課題】 偏光依存性光制御素子を設けた光集積回路において、無偏光の伝播光を光入力結合した場合にも、優れた光利用効率を有し、低消費電力の光システムが可能となる小型で信頼性に優れた光集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板と、基板上に形成された導波路と、偏光依存性光制御素子とを設けた光集積回路において、前記導波路の伝播光を2つの導波路へ分岐する偏光分離素子と、前記偏光分離素子により分岐された伝播光の一方を偏光変換する偏光変換素子と、前記偏光分離素子により分岐された他方の伝播光と前記偏光変換素子により偏光された伝播光とを合波する合波素子と、前記合波素子からの伝播光を前記偏光依存性光制御素子へ結合する結合素子とを設けたことを特徴とする光集積回路を主たる構成にする。 (もっと読む)


【課題】 小型で高性能な光学素子を提供する。
【解決手段】 開口31と、少なくとも一方の表面30aに周期的に形成された凹凸形状(同心円状の溝32)とを有し、その凹凸形状の存在によって表面30aに入射されて開口31を透過する光の強度が増強される構造とされた導電性フィルム30と、屈折率周期構造を有するフォトニック結晶20とを備える。フォトニック結晶20には光導波路と、その光導波路と光結合する欠陥構造(点状欠陥22)とが形成され、導電性フィルム30はフォトニック結晶20上に配置されて開口31が欠陥構造と近接される。 (もっと読む)


【課題】 精密な温度制御を行わなくても、光デバイスを構成する電気光学材料の温度をほぼ一定に保つことが可能であり、かつ低コスト化を実現可能な光デバイスを提供すること。
【解決手段】 常誘電相と強誘電相との間で相転移を起こすKTN材料を備える光スイッチ10は、交流駆動回路17と、交流駆動回路17に電気的に接続され、位相変調用電極13と位相変調用電極14とに挟まれ、コア12を含む、動作領域の近傍に配置された、加熱用電極15および16とを備える。このような構成において、交流電力を加熱用電極15、16に印加することにより、KTN材料の温度を上昇させ、動作領域の温度を、KTNの相転移温度よりも高い温度にほぼ一定に保持する。 (もっと読む)


【課題】 光の利用効率を改善した光変調装置を提供する。
【解決手段】 光変調装置10は、発光部22と、ファブリーペロー型の共振器16と、共振器16に制御電圧を印可する制御部12とを備える。共振器16は、印可する電界に応じて屈折率が変化する光変調膜34と、光変調膜34に電界を印可する櫛形電極35、36とを備える。発光部22から発光された光は、光変調膜34に印可される電界の方向と実質的に垂直に、かつ光入射面の法線方向から傾いて、光入射面に入射される。 (もっと読む)


【課題】 光の利用効率を改善した光変調装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板30上に、Ptなどの金属材料を用いて第1反射層32を形成した後、印可する電界に応じて屈折率が変化する電気光学材料を用いた光変調膜34を形成する。その後、光変調膜34の上面の凹凸が、光変調装置10に入射する光の波長の1/100以下となるように平坦化処理を行う。その後、ITOやZnOなどを用いた透明電極36を光変調膜34上に形成し、誘電体多層膜からなる第2反射層40を形成する。 (もっと読む)


【課題】
厚みが20μm以下の薄板を用いた光変調器における光ファイバとの結合損の改善した光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚みが20μm以下の薄板と、該薄板の表面又は裏面に形成された光導波路と、該薄板の表面に形成され、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極とを含む光変調器において、該光導波路の入射部又は出射部における薄板形状は、薄板の幅が入射端部又は出射端部では薄板の厚みの2倍以内であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 フォトニック結晶配列で構成された光導波路の機械的な強度を保ちつつ、光を高効率に閉じ込めることのできる光制御素子を提供する。
【解決手段】 導波部反射構造17aと導波部反射構造17bとは、光導波路部分14を層法線方向の両側から挟んでいる。配列部分反射構造18aと配列部分反射構造18bとは、フォトニック結晶配列部分13を層法線方向の両側から挟んでいる。導波部反射構造17aの屈折率は配列部分反射構造18aの屈折率より小さい。光反射層11bのX1-X2方向に沿った屈折率分布も光反射層11aと同じである。導波部反射構造17a及び導波部反射構造17bは、光伝搬層12において光の電磁界強度が集中している部分をカバーするように設けられている。 (もっと読む)


【課題】 光導波路のコア層上に、導電性のクラッド層と半絶縁性のクラッド層を有し、微細パターンを有する光半導体素子を提供する。
【解決手段】 第1の導電型を有する第1の半導体層を含む第1の層上に、光導波路層を含む第2の層を形成する第1の工程と、前記第2の層上に半絶縁性半導体層を含む第3の層を形成する第2の工程と、第2の導電型の不純物を前記半絶縁性半導体層に拡散させて、当該半絶縁性半導体層の一部を、第2の導電型を有する第2の半導体層とする第3の工程と、前記第3の工程の後で前記第3の層、前記第2の層、および前記1の層をエッチングしてメサ構造を形成する第4の工程と、前記メサ構造上に前記第2の半導体層と接する金属配線を形成する第5の工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 バイアス点における出力の温度依存性を低減し、出力効率の向上が可能なマッハツェンダー型光素子およびその駆動方法を提供すること。
【解決手段】 3dBカプラ22と、3dBカプラ22のそれぞれの出力端に接続された、KTNからなる導波路コアを含む光導波路23、24と、光導波路23、24の出力端に連結された3dBカプラ25とを備える。光導波路23には、電源29に電気的に接続された電極27Aおよび27Bが配置され、バイアスVと信号電圧Vとが印加されている。一方、光導波路24には、電源30に電気的に接続された電極28Aおよび28Bが配置され、バイアスVが印加されている。 (もっと読む)


【課題】低消費パワー、小型、低ノイズの直接光スイッチを提供する。
【解決手段】光スイッチは、チャンネル導波路を環状に接続したリング共振器1と、2本の直線導波路2,4とを備える。直線導波路2,4の4つの端部のいずれかに、リング共振器1の任意の共振ピークの近傍の波長λ1を有するパルス状のポンプ光L1を導入し、4つの端部のいずれかに共振ピークと異なる別の共振ピークの近傍の波長λ2を有する連続的なプローブ光L2を導入する。ポンプ光L1の導入によるリング共振器1の共振波長の変化によってプローブ光L2に対するリング共振器1の透過率を変化させ、直線導波路2,4の端部において、ポンプ光L1の光強度に応じて強度変調されたプローブ光L2a’,L2b’を得る。 (もっと読む)


【課題】従来のものに比べて挿入損失が小さく、低損失の光通信デバイス及び光デバイスを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板1と、この基板1に形成された導波路対4A,4Bを有する第1の光変調器1−1と、基板1に形成された導波路対7A,7Bを有する第2の光変調器1−2と、第1の光変調器1−1の出力に設けられ第1の光変調器1−1の導波路対4A,4Bを伝播する光を結合して分岐しうる導波路カプラ5と、この導波路カプラ5による分岐後の出力に遅延差を与えて第2の光変調器1−2の導波路対7A,7Bへ入力する遅延接続部6A,6Bとをそなえて構成する。 (もっと読む)


電気光学結晶(1)の対向する一対の側面(1a、1b)に、溝(3a、3b)を各底面の距離が所定の距離以下になるべく各々の底面が互いに近接するように形成し、この溝(3a、3b)をほぼ完全に埋めるように各溝内に一対の電極(5a、5b)を形成する。
(もっと読む)


放射線の透過性を高める機器であって、少なくとも一つの放射線源(12)と、第1(20)および第2の(22)表面を有する金属板(18)であって、該金属板(18)に設けられ、前記第1の表面(20)から前記第2の表面(22)まで延伸する少なくとも一つの開口(24)を備える金属板と、を有し、前記金属板(18)は、前記第1(20)および前記第2の(22)表面のうち少なくとも一つに設置された、周期的な表面凹凸構造(26)を有し、前記放射線源(12)から進行し、前記金属板(18)の前記一つの表面に入射された放射線(13)は、前記金属板(18)の少なくとも一つの前記表面(20、22)上で表面プラズモンモードと相互作用し、これにより、前記金属板(18)の前記少なくとも一つの開口(24)を通る放射線の透過性が高められる。光透過性を高める当該機器は、放射状偏向放射線(16)を発生する手段(15)を有し、前記放射状偏向放射線は、表面凹凸構造(26)を有する前記金属板(18)の前記表面(20、22)の一方に入射され、前記放射線の、前記プラズモンに対する効率的な結合がなされ、これにより、前記光透過性がさらに向上する。
(もっと読む)


【課題】WDM用低コスト、小型、低PDLの光可変減衰器アレイを提供すること。
【解決手段】上記の目的を達成するために本発明に係わる光可変減衰器は基板上に形成した電極上に複数の樹脂光導波路を形成し該導波路にグレーディッド型多モード導波路を形成し該多モード導波路中に溝を形成し該溝に注入された液晶に該電極によって電圧を光の伝播方向と垂直に印加すると同時に発熱させ導波路の屈折率を調整させることを特徴とするような構造を採用した。 (もっと読む)


【課題】 電気光学定数の高い電気光学薄膜素子を得る。
【解決手段】 Zカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも大きいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子、あるいはXカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも小さいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子である。Zカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、+0.1%以上、Xカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、−0.1%以下とすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】所望の波長における放射ビームが、わずかな吸収または減衰で、または吸収または減衰なしにまたは所望の許容範囲内の減衰で透過させることのできる電気光学変調器を含むシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】光学素子および電場発生器を有しており、この電場発生器は、上記光学素子に加えられる電場を発生させ、加えられたこの電場により、光学素子の少なくとも1つの方向において屈折率が変化するようにし、上記光学素子が、155ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべての放射ビームを透過するようにしたことを特徴とするシステムを構成する。 (もっと読む)


【課題】 フォトニック結晶配列で構成された光導波路に光を高効率に閉じ込め、光導波路を伝搬する光を制御する。
【解決手段】 第1電極13、第2電極14、第3電極15、第4電極16は、積層方向において禁止帯領域100にのみ重なり光導波路101には重ならないように、光導波路101に沿って形成されている。第1電極13と第2電極14との間隔及び第3電極15と第4電極16との間隔は、光導波路101の幅に等しい。第1電極13と第3電極15とは積層方向において対向するように同形状に形成され、第2電極14と第4電極16とは積層方向において対向するように同形状に形成されている。第1電極13と第3電極15との間に発生する電界と、第2電極14と第4電極16との間に発生する電界とは、光導波路101部分において同方向となる。 (もっと読む)


61 - 80 / 83