【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の横電界型液晶表示装置の問題点である波縞雑音（ウエイビーノイズ）を防止し、さらに工程時間短縮及び材料費節減による生産性を極大化すると同時にマスク工程進行による不良を減らすことによって収率を向上させる。
【解決手段】本発明は３マスク工程により半導体層終端部を完全に覆う形態の横電界型液晶表示装置及びその製造方法を提供することによって工程単純化及び材料費節減を介して生産性を極大化し、スイッチング領域において、ソース及びドレイン電極がアクティブ層を含む半導体層の終端部を完全に覆う構造になるので、波縞雑音（ウエイビーノイズ）を基本的に防止する効果がある。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の画質むらを低減する。
【解決手段】 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記複数本の第１配線と交差するように配置された第２配線とを有する表示装置であって、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所において、前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さが、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所とは別の箇所の前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さより厚く、前記ある箇所の前記第２配線の幅は、前記ある箇所とは別の箇所の前記第２配線の幅より広い表示装置である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低いトランジスタを提供する。
【解決手段】Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含む半導体膜と、その上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続された電極又は配線とを有し、前記半導体膜は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３以下）であり、且つ前記所定の深さより浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第２の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３を超える）であり、前記半導体膜の、前記電極又は配線と接する部分よりも深い領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の銅を電極や配線材料として用いる場合に、水分やレジスト剥離液に対する耐酸化性を向上でき、しかもエッチング剤などに対する耐酸性を向上できる電子機器用基板及びその製造方法を提供することと、そのような電子機器用基板を備えた電子機器の提供。
【解決手段】少なくとも表面が絶縁性である基板３６上に銅層（銅配線）４０ａを形成し、該銅層（銅配線）４０ａをリン化銅、ホウ化銅、シュウ化銅のうちから選択されるいずれかの銅化合物層４０ｂによって被覆したことを特徴とする電子機器用基板３１を用いた液晶表示装置（電子機器）３０。 （もっと読む）

【課題】 基板上の段差を改善することにより、配線周辺での液晶の配向不良を防止することのできる液晶装置を提供すること。
【解決手段】 ＦＦＳ方式の液晶装置において、第１の基板１０上には、ソース線６ａおよび下側電極４１の表面側を覆うように層間絶縁膜８が形成され、この層間絶縁膜８の上層には、下側電極４１との間に発生した電界で液晶を駆動する上側電極４２が形成されている。下側電極４６の膜厚と上側電極４７の膜厚の和は、ソース線６ａの膜厚よりも厚いため、上側電極４２の上面は、層間絶縁膜８のうち、ソース線６ａを覆う部分の上面よりも高い位置にある。 （もっと読む）

【課題】幅の異なるＬＤＤ領域を自己整合的に形成し、それらの幅を個々の回路に応じて精密に制御する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることによって、ゲート電極の膜厚の薄い領域の幅を自由に設定でき、そのゲート電極をマスクとして自己整合的に形成できる２つのＬＤＤ領域の幅を個々の回路に応じて異ならせることができる。なお、一つのＴＦＴにおいて、幅の異なる２つのＬＤＤ領域は、両方ともゲート電極と重なる構造である。 （もっと読む）

【課題】マスク工程をさらに単純化して製造費用を節約し、製造時間を短縮することによって、工程収率を改善することのできる液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、第２マスク工程時、相互に異なるスリットの幅の半透過部を有するマスクを利用して製造される。ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。また、本発明では、アレイ基板を３マスク工程により製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂膜又は導電膜の膜厚や抵抗値を精度良く検証できる検査用パターンを備えた電気光学装置、電気光学装置の検査方法、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 対向配置され、シール材によって貼り合わせられた一対の基板と、当該一対の基板間に保持された電気光学材料と、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に設けられた樹脂膜及び導電膜と、を含む電気光学装置において、基板上のシール領域外であって、一対の基板が重なる領域に、樹脂膜又は導電膜の形成状態を検査するための検査用パターンを設け、当該検査用パターンを用いて、例えば、膜厚や抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の少ない画素薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】画素薄膜トランジスタと、前記画素薄膜トランジスタ上に形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記画素薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、を有し、前記画素薄膜トランジスタは、半導体膜、ゲイト電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記半導体膜はエッジを有し、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方との間に、前記半導体膜のエッジが存在せず、前記ソース電極またはドレイン電極の一方は、分岐し弧状に延長する部分を有し、前記ソース電極またはドレイン電極の他方の一部は、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方の、分岐し弧状に延長する部分に囲まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶注入口における液晶の流れを阻害することなく基板間隔を維持することにより、表示品質を向上させた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、対向配置された２つの基板１，２と、液晶注入口４を除いて、２つの基板の表示領域３を囲って形成され、２つの基板を接着するシール剤と、シール剤により囲まれた基板１，２間に注入された液晶９と、表示領域３および液晶注入口４における基板１，２間に介在する柱状スペーサ６と、液晶注入口４における柱状スペーサ６の配置領域において、柱状スペーサ６と基板１との間に形成された台座膜８とを有する。 （もっと読む）

【課題】写真工程を減らす液晶表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】ＴＦＴ部及びパッド部の基板上に第１及び第２金属膜を順次積層し、第１金属膜の幅が底から狭くなるよう１次写真工程により第１及び第２金属膜をパターニングしてゲート電極及びゲートパッドをＴＦＴ部及びパッド部に形成する段階、基板全面上に絶縁膜を形成する段階、２次写真工程によりＴＦＴ部の絶縁膜上に半導体膜を形成する段階、３次写真工程によりＴＦＴ部に第３金属膜からなるソース及びドレイン電極を形成する段階、４次写真工程によりソース及びドレイン電極上とパッド部の絶縁膜上にドレイン電極とゲートパッドの第２金属膜上面を露出する保護膜パターンを形成する段階、ドレイン電極に連結の第１画素電極パターンとゲートパッドの第２金属膜に連結の第２画素電極パターンを５次写真工程により形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数のコンタクト・バイアス３５あるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線５、７とピクセル電極３間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約３．０未満である。 （もっと読む）